Produkte > HGT
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HGTG5N120BND | onsemi | IGBTs 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTG5N120BND | ONSEMI | Description: ONSEMI - HGTG5N120BND - IGBT, 21 A, 2.7 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7 DC-Kollektorstrom: 21 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Verlustleistung Pd: 167 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTG5N120BND Produktcode: 58070
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| HGTG5N120BND | onsemi | Description: IGBT NPT 1200V 21A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns Switching Energy: 450µJ (on), 390µJ (off) Test Condition: 960V, 5A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 53 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 21 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 167 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTG7N60A4 | onsemi | Description: IGBT 600V 34A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off) Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 37 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 125 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTG7N60A4 | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTG7N60A4D | onsemi | Description: IGBT 600V 34A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off) Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 37 nC Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 125 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTG7N60A4D | onsemi | IGBTs 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTG7N60A4D | FAIRCHILD | 03+ | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTG7N60A4D_Q | onsemi / Fairchild | Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTH12N40C1D | Harris Corporation | Description: 12A, 400V, N-CHANNEL IGBT Power - Max: 75 W Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Part Status: Active Gate Charge: 19 nC Supplier Device Package: TO-218 Isolated Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTH12N40CID | Harris Corporation | Description: 12A, 400V, N CHANNEL IGBT WITH A Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTH12N40E1D | Harris Corporation | Description: 12A, 400V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A Supplier Device Package: TO-218 Isolated Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A Power - Max: 75 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 109 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTH12N50C1 | Harris Corporation | Description: 12A, 500V, N-CHANNEL IGBT Power - Max: 75 W Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Part Status: Active Gate Charge: 19 nC Supplier Device Package: TO-218 Isolated Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTH12N50C1D | Harris Corporation | Description: IGBT 500V 12A TO-218 ISOLATED Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A Supplier Device Package: TO-218 Isolated Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A Power - Max: 75 W | auf Bestellung 483 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTH12N50CID | Harris Corporation | Description: 12A, 500V, N CHANNEL IGBT WITH A Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 1374 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTH20N40C1 | Harris Corporation | Description: 20A, 400V, N-CHANNEL IGBT Power - Max: 100 W Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Part Status: Active Gate Charge: 33 nC Supplier Device Package: TO-218 Isolated Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTH20N40C1D | Harris Corporation | Description: 20A, 400V, N-CHANNEL IGBT Power - Max: 100 W Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Part Status: Active Gate Charge: 33 nC Supplier Device Package: TO-218 Isolated Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 74 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTH20N50C1 | Harris Corporation | Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A Supplier Device Package: TO-218 Isolated Gate Charge: 33 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A Power - Max: 100 W | auf Bestellung 4984 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTH20N50E1 | Harris Corporation | Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A Supplier Device Package: TO-218 Isolated Gate Charge: 33 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A Power - Max: 100 W | auf Bestellung 287 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTH20N50E1D | Harris Corporation | Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A Supplier Device Package: TO-218 Isolated Gate Charge: 33 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A Power - Max: 100 W | auf Bestellung 146 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTH20N50EID | Harris Corporation | Description: 20A, 500V, N CHANNEL IGBT WITH A Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 1433 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTIS20N60C3RS | Harris Corporation | Description: HGTIS20N60C3RS Part Status: Active Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTP10N120BN | ONS/FAI | TO-220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTP10N120BN Produktcode: 121310
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| HGTP10N120BN | onsemi | Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off) Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 298 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTP10N120BN | onsemi / Fairchild | IGBTs 35A 1200V N-Ch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTP10N120BN | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTP10N40C1 | HARRIS | HGTP10N40C1 | auf Bestellung 370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP10N40C1 | Harris Corporation | Description: IGBT 400V 10A TO-220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A Supplier Device Package: TO-220-3 Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A Power - Max: 60 W | auf Bestellung 1977 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP10N40C1 | HARRIS | HGTP10N40C1 | auf Bestellung 1007 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP10N40C1 | HARRIS | HGTP10N40C1 | auf Bestellung 462 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP10N40C1D | HARRIS | HGTP10N40C1D | auf Bestellung 206 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP10N40C1D | Harris Corporation | Description: IGBT 400V 17.5A TO-220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A Supplier Device Package: TO-220 Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 17.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 75 W | auf Bestellung 206 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP10N40E1 | Harris Corporation | Description: IGBT 400V 10A TO-220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A Supplier Device Package: TO-220-3 Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A Power - Max: 60 W | auf Bestellung 267 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP10N40E1D | Harris Corporation | Description: 17.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT Power - Max: 75 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector (Ic) (Max): 17.5 A Part Status: Active Gate Charge: 19 nC Supplier Device Package: TO-220 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTP10N40EID | Harris Corporation | Description: 17.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP10N40F1D | Harris Corporation | Description: IGBT 400V 12A TO-220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A Supplier Device Package: TO-220 Gate Charge: 13.4 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 75 W | auf Bestellung 806 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP10N40F1D | HARRIS | HGTP10N40F1D | auf Bestellung 806 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP10N50C1 | INTERSIL | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| HGTP10N50C1D | Harris | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTP10N50E1 | HARRIS | HGTP10N50E1 | auf Bestellung 7100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP10N50E1 | HARRIS | HGTP10N50E1 | auf Bestellung 316 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP10N50E1 | HARRIS | HGTP10N50E1 | auf Bestellung 7227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP10N50E1 | Harris Corporation | Description: IGBT 500V 10A TO-220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A Supplier Device Package: TO-220-3 Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A Power - Max: 60 W | auf Bestellung 14643 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP10N50E1D | HARRIS | HGTP10N50E1D | auf Bestellung 3196 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP10N50E1D | Harris Corporation | Description: IGBT 500V 17.5A TO-220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A Supplier Device Package: TO-220 Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 17.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Power - Max: 75 W | auf Bestellung 3712 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP10N50E1D | HARRIS | HGTP10N50E1D | auf Bestellung 444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP12N6001 | Harris Corporation | Description: HGTP12N6001 Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTP12N60A4 | onsemi / Fairchild | IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTP12N60A4 | HARRIS | HGTP12N60A4 | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP12N60A4 | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 600V 54A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-220-3 Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off) Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 78 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 54 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 167 W | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP12N60A4D | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 600V 54A TO-220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-220-3 Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off) Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 78 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 54 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 167 W | auf Bestellung 74846 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP12N60A4D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 64486 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP12N60A4D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 11800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP12N60A4_NL | onsemi / Fairchild | IGBTs PWR IGBT 12A,600V,SMPS SERIES N-CH TO-220A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTP12N60B3D | onsemi / Fairchild | IGBTs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTP12N60C3 Produktcode: 99779
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| HGTP12N60C3 | onsemi / Fairchild | IGBTs 24a 600V N-Ch IGBT UFS Series | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTP12N60C3 | ONS/FAI | HGTP12N60C3 IGBT 600V 24A 104W TO220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTP12N60C3 | onsemi | Description: IGBT 600V 24A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-220-3 Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off) Gate Charge: 48 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 104 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTP12N60C3D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTP12N60C3D | onsemi | Description: IGBT 600V 24A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-220-3 Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off) Gate Charge: 48 nC Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 104 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTP12N60C3D Produktcode: 216813
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| VBsemi | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В Sättigungsspannung Vce, V: 1,65 В Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 24 А Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 12 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 104 Вт Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 28/270 | auf Bestellung: 26 St.
|
| ||||||||
| HGTP12N60C3D Produktcode: 122684
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Fairchild | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В Sättigungsspannung Vce, V: 1,65 В Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 24 А Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 12 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 104 Вт Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 28/270 | Produkt ist nicht verfügbar
|
| ||||||||
| HGTP12N60C3D | onsemi | IGBTs HGTP12N60C3D | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTP12N60C3R | HARRIS | HGTP12N60C3R | auf Bestellung 2724 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP12N60C3R | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 24A TO-220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-220-3 Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 71 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A Power - Max: 104 W | auf Bestellung 2724 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP12N60C3_NL | onsemi / Fairchild | IGBTs PWR IGBT UFS 12A 600V TF<275NS N-CH TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTP14N0FVLR4600 | Harris Corporation | Description: HGTP14N0FVLR4600 Part Status: Active Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTP14N36G3VL | onsemi / Fairchild | Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 14a 380V Logic Level | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTP14N36G3VL | Fairchild Semiconductor | Description: Insulated Gate Bipolar Transisto Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A Supplier Device Package: TO-220AB IGBT Type: Trench Gate Charge: 24 nC Current - Collector (Ic) (Max): 18 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V Power - Max: 100 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTP14N40F3VL | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTP14N44G3VL | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT, 27A, 490V, N-CHANNEL Power - Max: 231 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 490 V Current - Collector (Ic) (Max): 27 A Part Status: Active Test Condition: 300V, 7.5A, 1kOhm, 5V Td (on/off) @ 25°C: -/18µs Supplier Device Package: TO-220AB Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 8A Input Type: Logic Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTP15N40C1 | Harris Corporation | Description: IGBT 400V 15A TO-220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A Supplier Device Package: TO-220 Gate Charge: 33 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A Power - Max: 75 W | auf Bestellung 368 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP15N40C1 | HARRIS | HGTP15N40C1 | auf Bestellung 354 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP15N40E1 | Harris Corporation | Description: IGBT 400V 15A TO-220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A Supplier Device Package: TO-220 Gate Charge: 33 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A Power - Max: 75 W | auf Bestellung 488 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP15N40E1 | HARRIS | HGTP15N40E1 | auf Bestellung 393 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP15N50C1 | HARRIS | HGTP15N50C1 | auf Bestellung 1670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP15N50C1 | Harris Corporation | Description: IGBT 500V 15A TO-220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A Supplier Device Package: TO-220 Gate Charge: 33 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A Power - Max: 75 W | auf Bestellung 8333 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP15N50C1 | HARRIS | HGTP15N50C1 | auf Bestellung 6263 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP15N50C1 | HARRIS | HGTP15N50C1 | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP15N50E1 | HARRIS | HGTP15N50E1 | auf Bestellung 463 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP15N50E1 | HARRIS | HGTP15N50E1 | auf Bestellung 589 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP15N50E1 | HARRIS | HGTP15N50E1 | auf Bestellung 933 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP15N50E1 | Harris Corporation | Description: IGBT 500V 15A TO-220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A Supplier Device Package: TO-220 Gate Charge: 33 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A Power - Max: 75 W | auf Bestellung 1985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP1N120BND | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| HGTP20N35F3ULR3935 | HARRIS | HGTP20N35F3ULR3935 | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP20N35F3ULR3935 | Harris Corporation | Description: 20A, 350V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP20N35F3VL | Harris Corporation | Description: 20A, 350V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP20N35F3VL | HARRIS | HGTP20N35F3VL | auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP20N35G3VL | ON Semiconductor | HGTP20N35G3VL | auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP20N35G3VL | ONSEMI | Description: ONSEMI - HGTP20N35G3VL - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP20N35G3VL | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 380V 20A TO-220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 5V, 20A Supplier Device Package: TO-220AB Gate Charge: 28.7 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 380 V Power - Max: 150 W | auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP20N60A4 | onsemi | Description: IGBT 600V 70A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220-3 Td (on/off) @ 25°C: 15ns/73ns Switching Energy: 105µJ (on), 150µJ (off) Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 142 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A Power - Max: 290 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTP20N60A4 | onsemi / Fairchild | IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTP20N60A4 | ONS/FAI | IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| HGTP20N60A4 Produktcode: 61820
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Fairchild | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 В Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 70 А Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 А Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 290 Вт Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 15/73 | auf Bestellung: 21 St.
|
| ||||||||
| HGTP20N60A4 | Fairchild | Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C; HGTP20N60A4 THGTP20n60a4 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||
| HGTP20N60A4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
