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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
HN1C01FU-Y(TE85L)TOSHIBASOT363-C1Y
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FU-Y(TE85L) SOT363TOSHIBA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FU-Y(TE85L) SOT363-CTOSHIBA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FU-Y(TE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FU-Y,LFToshibaBipolar Transistors - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=50V, IC=0.15A, hFE=120 to 400 in SOT-26 (SM6) package
auf Bestellung 14523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.39 EUR
14+0.24 EUR
100+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.096 EUR
3000+0.075 EUR
6000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FU-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 34400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.39 EUR
87+0.24 EUR
140+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FU-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.077 EUR
6000+0.069 EUR
9000+0.065 EUR
15000+0.061 EUR
21000+0.057 EUR
30000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FU-Y,LF(BToshibaTransistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 550 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FU-Y,LF(BToshibaTransistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1183+0.14 EUR
2500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1183 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FU-Y,LF(BToshibaTransistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FU-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C01FU-Y,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2356 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.52 EUR
782+0.3 EUR
1260+0.17 EUR
1716+0.12 EUR
1935+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FU-Y,LF(TToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1401+0.12 EUR
2305+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 1401 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FU-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C01FU-Y,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2356 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
477+0.52 EUR
782+0.3 EUR
1260+0.17 EUR
1716+0.12 EUR
1935+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 477 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FU-Y,LXHFToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FU-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
auf Bestellung 5870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.15 EUR
30+0.71 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FU-Y,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6)
auf Bestellung 5757 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.15 EUR
10+0.71 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FU-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FU-YLF(TToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FU-YTE85LSOT363-C1YTOSHIBA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FUGRTOSHIBA
auf Bestellung 93100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FUGRLFTToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R
auf Bestellung 4688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
767+0.23 EUR
1288+0.13 EUR
1458+0.12 EUR
1681+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 767 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FUGRLFTToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
767+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 767 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FUGRLFTToshibaBipolar Transistors - BJT VCEO 50V IC 150mA HFE 120 - 400 150mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FYTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
auf Bestellung 2801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FYTE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A
auf Bestellung 5496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.6 EUR
10+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FYTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C03F-B(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C03F-B(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 20 V, 300 mA, 300 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 30MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 300mA
auf Bestellung 2622 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
265+0.94 EUR
410+0.57 EUR
654+0.33 EUR
935+0.23 EUR
1102+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 265 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C03F-B(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C03F-B(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C03F-B(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 20 V, 300 mA, 300 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Übergangsfrequenz, NPN: 30MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 300mA
auf Bestellung 2622 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
265+0.94 EUR
410+0.57 EUR
654+0.33 EUR
935+0.23 EUR
1102+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 265 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C03F-B(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6
auf Bestellung 2723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C03F-B(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, SM6
auf Bestellung 8224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.39 EUR
10+1.38 EUR
100+0.94 EUR
1000+0.61 EUR
3000+0.29 EUR
9000+0.18 EUR
24000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C03FBTOSHIBA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C03FN-B(TE85L)
auf Bestellung 4979 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C03FUTOSSOT-363
auf Bestellung 1620 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C03FU(AB)
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C03FU-1
auf Bestellung 1106 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C03FU-A(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C03FU-A(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C03FU-A(TE85L,FToshibaBipolar Transistors - BJT US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C03FU-BTOS05+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C03FU-B(TE85L)TOSHIBASOT363-C3B
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C03FU-B(TE85L) SOT363TOSHIBA
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C03FU-B(TE85L,FToshibaBipolar Transistors - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.73 EUR
10+1.19 EUR
100+0.76 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C03FU-B(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C03FU-B(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C03FU-B(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C03FU-B(TE85L,F)TOSHIBA
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C03FU-B,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
auf Bestellung 17543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
57+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C03FU-B,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C03FU-B,LFToshibaBipolar Transistors - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=20V, IC=0.3A, hFE=350 to 1200 in SOT-26 (SM6) package
auf Bestellung 14510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.61 EUR
100+0.35 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C03FU-B,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C03FU-B,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 20 V, 300 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 350hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 30MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 300mA
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
328+0.76 EUR
530+0.44 EUR
1141+0.19 EUR
1241+0.18 EUR
1363+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 328 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C03FU-B,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C03FU-B,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 20 V, 300 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 350hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 30MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 300mA
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.76 EUR
530+0.44 EUR
1141+0.19 EUR
1241+0.18 EUR
1363+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C03FV-BTOSHIBA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C08F-B
auf Bestellung 3010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C08F-B(T5R.T)TOSHIBASOT163-C3B
auf Bestellung 1307 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C08F-B(T5R.T) SOT163-C3TOSHIBA
auf Bestellung 2614 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D01FTOSHSOT23
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D01F(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SM6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D01F(TE85L,F)ToshibaDiodes - General Purpose, Power, Switching SM6 M8 DIODE (LF)
auf Bestellung 14895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.52 EUR
100+0.26 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
24000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D01F(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SM6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D01FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: ES6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
34+0.62 EUR
100+0.31 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D01FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: ES6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D01FE(TE85L,F)ToshibaDiodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode, 80V ES6 0.1A High Speed
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D01FU(T5L,F,T)ToshibaDiodes - General Purpose, Power, Switching 85V Vrm 80VR 300mA 2A IFSM 0.92V VF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D01FU,LF(TToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
44+0.48 EUR
100+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D01FU,LF(TToshibaSmall Signal Switching Diodes High Speed Switching Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D01FU,LF(TToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: US6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D02F(T5LDNSO,F)TOSHIBASOT26/SOT363
auf Bestellung 12315 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D02F(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: SM6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D02F(TE85L,F)ToshibaSmall Signal Switching Diodes SM6 M8 DIODE (LF), IFM=300mA
auf Bestellung 7357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.77 EUR
10+0.51 EUR
100+0.29 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D02F(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: SM6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D02FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D02FE,LFToshibaSmall Signal Switching Diodes Switching diode, 80V ES6 0.1A High Speed
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.83 EUR
10+0.61 EUR
100+0.35 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D02FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D02FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D02FUTOSHIBA09+
auf Bestellung 11618 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D02FU(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: ES6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D02FU(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: ES6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D02FU(TE85LF)ToshibaDiodes - General Purpose, Power, Switching
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D02FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
auf Bestellung 8745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
37+0.57 EUR
100+0.29 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D02FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D02FU,LFToshibaSmall Signal Switching Diodes US6-M8,
auf Bestellung 3394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.6 EUR
10+0.39 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
24000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D03FTE85LFToshibaDiodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 4 Circuit 0.1A 80V
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.62 EUR
100+0.31 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D03FTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC-74
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-74
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair CA + CC
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
15000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D03FTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC-74
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-74
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair CA + CC
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 23738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
57+0.37 EUR
100+0.21 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D03FU
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D03FU(T5L,F,T)ToshibaDiodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode, 80V ES6 0.1A High Speed
auf Bestellung 2533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D03FU,LFToshibaSmall Signal Switching Diodes High Speed Switching Diode
auf Bestellung 8553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.51 EUR
10+0.33 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.099 EUR
9000+0.09 EUR
24000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D03FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: US6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80mA
Diode Configuration: 2 Pair CA + CC
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
45+0.46 EUR
100+0.24 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D03FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: US6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80mA
Diode Configuration: 2 Pair CA + CC
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D03FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1D03FU,LF(T - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, zweifach, gemeinsame Anode, 85 V, 100 mA, 1.2 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 1.6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.62 EUR
622+0.37 EUR
1141+0.19 EUR
1296+0.17 EUR
1500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1D03FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1D03FU,LF(T - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, zweifach, gemeinsame Anode, 85 V, 100 mA, 1.2 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 1.6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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HN1D03FULF(TToshibaDiodes - General Purpose, Power, Switching
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HN1D04FUTOSHIBA08+ SOT-353
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HN1D04FUTE85LFToshibaDiodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 4 Circuit 0.1A 80V
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HN1D04FUTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: US6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Series Connection
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
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HN1D04FUTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: US6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Series Connection
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
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HN1J02FUTOSHIBA
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HN1K02FU/K1TOSHIBA
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HN1K02FUTE85R
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