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MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A

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R6008FNJTL

Description: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS

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R6008FNJTL

Description: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS

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R6008FNJTL

Trans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

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78+	2.23 EUR
100+	2.09 EUR

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R6008FNJTL

Description: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS

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R6008FNX

Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

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66+	2.67 EUR

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R6008FNX

Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

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R6008FNX

MOSFETs Trans MOSFET N-CH 600V 8A

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1+	10.45 EUR
10+	6.85 EUR
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R6008FNX

Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

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R6009

Brady Corporation

Description: R6009 HALOGEN FREE, 4.33" X 500'
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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R6009

W.H. Brady

Printer Ribbon Black Side Out

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R6009-00

Harwin Inc.

Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 9.5MM
Part Status: Active
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Mounting Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Mounting Hole Diameter: 0.157" (4.00mm)
Holding Type: Snap Fit
Between Board Height: 0.374" (9.50mm)
Length - Overall: 0.681" (17.30mm)
Material: Nylon
Mounting Type: Snap Lock
Packaging: Bulk

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31+	0.69 EUR
37+	0.57 EUR
40+	0.52 EUR
44+	0.48 EUR
50+	0.44 EUR
100+	0.42 EUR
300+	0.38 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.35 EUR

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R6009-00

HARWIN

Description: HARWIN - R6009-00 - Leiterplattenbefestigung, doppelseitiger Einrasthalter, Nylon 6.6, 9.5mm x 4mm
tariffCode: 74152900
Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
rohsCompliant: YES
Leiterplattenbefestigung: Doppelseitiger Einrasthalter
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Höhe: 9.5mm
usEccn: EAR99
Außenbreite: 4mm
Produktpalette: -

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559+	0.45 EUR

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R6009-00

Harwin

Standoffs & Spacers 9.5 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER

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5+	0.69 EUR
10+	0.67 EUR
1000+	0.61 EUR
2500+	0.55 EUR

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R6009END3TL1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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51+	3.44 EUR
63+	2.68 EUR
100+	1.94 EUR
500+	1.73 EUR
1000+	1.58 EUR
2500+	1.36 EUR

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R6009END3TL1

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

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5+	4.77 EUR
10+	3.97 EUR
100+	3.15 EUR
500+	2.68 EUR
1000+	2.27 EUR

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R6009END3TL1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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91+	1.93 EUR
100+	1.81 EUR
250+	1.7 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.54 EUR
2500+	1.46 EUR

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R6009END3TL1

Description: ROHM - R6009END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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R6009END3TL1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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51+	3.45 EUR
63+	2.75 EUR
100+	2.02 EUR
500+	1.82 EUR
1000+	1.73 EUR
2500+	1.52 EUR

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R6009END3TL1

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

auf Bestellung 2500 Stücke:

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2500+	2.15 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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R6009END3TL1

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R6009END3TL1

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Low Noise

auf Bestellung 2230 Stücke:

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1+	5.82 EUR
10+	3.8 EUR
100+	2.64 EUR
500+	2.26 EUR
1000+	2.24 EUR

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R6009END3TL1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 20 Stücke:

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R6009ENJTL

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

auf Bestellung 200 Stücke:

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89+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 89 Stücke

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R6009ENJTL

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

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83+	2.11 EUR
85+	2.03 EUR
530+	0.32 EUR
534+	0.31 EUR
538+	0.3 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 83 Stücke

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R6009ENJTL

Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

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R6009ENJTL

MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

auf Bestellung 772 Stücke:

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1+	5.84 EUR
10+	4.74 EUR
100+	3.94 EUR
500+	3.45 EUR
1000+	2.83 EUR
2000+	2.75 EUR
5000+	2.62 EUR

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R6009ENJTL

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 88 Stücke

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R6009ENJTL

Description: ROHM - R6009ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 94W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm

auf Bestellung 64 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 64 Stücke

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R6009ENJTL

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

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62+	2.84 EUR
100+	2.68 EUR
250+	2.52 EUR
500+	2.37 EUR
1000+	2.26 EUR

Mindestbestellmenge: 62 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009ENJTL

Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009ENJTL

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

69+	2.52 EUR
100+	2.37 EUR
250+	2.23 EUR
500+	2.11 EUR
1000+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 69 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009ENJTL

Description: ROHM - R6009ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 94W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm

auf Bestellung 64 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	6.77 EUR
53+	4.39 EUR

Mindestbestellmenge: 37 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009ENX

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 55 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009ENX

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)

auf Bestellung 397 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.16 EUR
10+	6.43 EUR
100+	5.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009ENX

MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET

auf Bestellung 429 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.15 EUR
10+	5.38 EUR
100+	3.81 EUR
500+	3.77 EUR
1000+	3.62 EUR
2500+	3.33 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009ENXC7G

Description: ROHM - R6009ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm

auf Bestellung 1924 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	7.47 EUR
59+	3.95 EUR
100+	3.02 EUR
500+	2.27 EUR
1000+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 34 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	4.28 EUR
66+	2.62 EUR
100+	2.52 EUR

Mindestbestellmenge: 41 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009ENXC7G

Description: 600V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.59 EUR
50+	3.18 EUR
100+	3.07 EUR
500+	2.74 EUR
1000+	2.53 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009ENXC7G

MOSFETs TO220 600V 9A N-CH MOSFET

auf Bestellung 3689 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.78 EUR
10+	3.5 EUR
100+	3.17 EUR
500+	2.59 EUR
1000+	2.45 EUR
2000+	2.31 EUR
5000+	2.2 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	4.26 EUR
66+	2.55 EUR
100+	2.43 EUR

Mindestbestellmenge: 41 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009JND3TL1

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	2.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009JND3TL1

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover

auf Bestellung 2396 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.95 EUR
10+	3.88 EUR
100+	2.7 EUR
500+	2.32 EUR
1000+	2.31 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009JND3TL1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009JND3TL1

Description: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm

auf Bestellung 44 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

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R6009JND3TL1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

61+	5.63 EUR

Mindestbestellmenge: 61 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009JND3TL1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

117+	1.49 EUR
120+	1.44 EUR
530+	0.32 EUR
541+	0.3 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 117 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009JND3TL1

Description: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm

auf Bestellung 44 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009JND3TL1

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.43 EUR
10+	4.87 EUR
100+	3.92 EUR
500+	3.21 EUR
1000+	2.67 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009JND3TL1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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R6009JND3TL1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 97 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

71+	2.48 EUR

Mindestbestellmenge: 71 Stücke

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R6009JNJGTL

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

96+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 96 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009JNJGTL

Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	2.68 EUR
2000+	2.51 EUR
3000+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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R6009JNJGTL

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	3.05 EUR
60+	2.89 EUR
100+	2.73 EUR

Mindestbestellmenge: 58 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009JNJGTL

Description: ROHM - R6009JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm

auf Bestellung 87 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 87 Stücke

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R6009JNJGTL

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover

auf Bestellung 983 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.52 EUR
10+	4.88 EUR
100+	3.47 EUR
500+	2.89 EUR
1000+	2.73 EUR

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R6009JNJGTL

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	3.05 EUR
60+	2.89 EUR
100+	2.73 EUR

Mindestbestellmenge: 58 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009JNJGTL

Description: ROHM - R6009JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm

auf Bestellung 87 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	7.38 EUR
53+	4.45 EUR

Mindestbestellmenge: 34 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009JNJGTL

Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.66 EUR
10+	5.02 EUR
100+	3.52 EUR
500+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009JNXC7G

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

auf Bestellung 1585 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

85+	2.06 EUR
88+	1.96 EUR
100+	1.76 EUR
200+	1.68 EUR
1000+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 85 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009JNXC7G

Description: ROHM - R6009JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009JNXC7G

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

auf Bestellung 1585 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

78+	2.25 EUR
79+	2.18 EUR
100+	2.09 EUR
500+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 78 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009JNXC7G

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover

auf Bestellung 1957 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.44 EUR
10+	3.81 EUR
100+	3.45 EUR
500+	3.17 EUR
1000+	3.08 EUR
2000+	2.95 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009JNXC7G

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V

auf Bestellung 1899 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.12 EUR
50+	1.7 EUR
100+	1.39 EUR
500+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009JNXC7G

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009JNXC7G

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

auf Bestellung 1585 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

78+	2.25 EUR
80+	2.12 EUR
100+	2 EUR
500+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 78 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009KND3TL1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	1.98 EUR
100+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 88 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009KND3TL1

Description: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009KND3TL1

Description: ROHM - R6009KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	6.38 EUR
61+	3.83 EUR

Mindestbestellmenge: 40 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009KND3TL1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	3.21 EUR
75+	2.3 EUR
76+	2.17 EUR
100+	1.63 EUR
250+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 55 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009KND3TL1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	3.2 EUR
75+	2.24 EUR
76+	2.13 EUR
77+	2.05 EUR
100+	1.5 EUR
250+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 55 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009KND3TL1

Description: ROHM - R6009KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 80 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009KND3TL1

Description: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	4.05 EUR
10+	2.71 EUR
100+	1.9 EUR
500+	1.52 EUR
1000+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009KND3TL1

MOSFETs TO252 600V 9A N-CH MOSFET

auf Bestellung 4949 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.69 EUR
10+	3.01 EUR
100+	2.07 EUR
500+	1.65 EUR
1000+	1.52 EUR
2500+	1.44 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009KNJTL

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	4.06 EUR

Mindestbestellmenge: 43 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009KNJTL

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 29 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009KNJTL

Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	4.11 EUR
10+	3.69 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009KNJTL

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	4.07 EUR

Mindestbestellmenge: 43 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6009KNJTL

Description: ROHM - R6009KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 94W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm

auf Bestellung 902 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.99 EUR
500+	3.47 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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R6009KNJTL

MOSFETs Nch 600V 9A Si MOSFET

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R6009KNJTL

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

auf Bestellung 90 Stücke:

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79+	2.21 EUR

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R6009KNJTL

Description: ROHM - R6009KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 94W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm

auf Bestellung 902 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	12.04 EUR
34+	6.89 EUR
100+	3.99 EUR
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R6009KNJTL

Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

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R6009KNX

MOSFETs Nch 600V 9A Si MOSFET

auf Bestellung 163 Stücke:

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1+	5.26 EUR
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100+	2.39 EUR
500+	1.87 EUR
1000+	1.67 EUR

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R6009KNX

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

auf Bestellung 247 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	5.11 EUR
10+	3.31 EUR
100+	2.27 EUR

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R6009KNX

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

auf Bestellung 400 Stücke:

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71+	2.45 EUR
100+	2.31 EUR
250+	2.17 EUR

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R6009KNXC7G

Description: 600V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

auf Bestellung 551 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.32 EUR
10+	4.46 EUR
100+	3.61 EUR
500+	3.2 EUR

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R6009KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

116+	1.51 EUR
118+	1.46 EUR
123+	1.37 EUR
200+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 116 Stücke

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R6009KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	4.44 EUR
62+	2.75 EUR
100+	2.49 EUR

Mindestbestellmenge: 40 Stücke

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R6009KNXC7G

MOSFETs TO220 600V 9A N-CH MOSFET

auf Bestellung 1727 Stücke:

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1+	6.72 EUR
10+	3.45 EUR
100+	3.14 EUR
500+	2.56 EUR
1000+	2.4 EUR
2000+	2.23 EUR
5000+	2.2 EUR

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R6009KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	4.45 EUR
61+	2.82 EUR
100+	2.59 EUR

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R6009RND3TL1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

74+	2.38 EUR
100+	2.24 EUR

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R6009RND3TL1

Description: ROHM - R6009RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.665 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.665ohm

auf Bestellung 139 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	5.27 EUR
74+	3.15 EUR
119+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 48 Stücke

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R6009RND3TL1

Description: 600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 100 V

auf Bestellung 2111 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.68 EUR
11+	1.95 EUR
25+	1.77 EUR
100+	1.57 EUR
250+	1.48 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.38 EUR

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R6009RND3TL1

MOSFETs TO252 650V 27A N-CH MOSFET

auf Bestellung 5127 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.78 EUR
10+	1.86 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.48 EUR
2500+	1.4 EUR
5000+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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R6009RND3TL1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

79+	2.2 EUR
87+	1.99 EUR
107+	1.58 EUR
200+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 79 Stücke

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R6009RND3TL1

Description: ROHM - R6009RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.665 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.665ohm

auf Bestellung 139 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.15 EUR
119+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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R6009RND3TL1