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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STP1082BGA-180SUNBGA?
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP109118AEssentra Access SolutionsDescription: STP109118A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP109118AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP109118BEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP109118BEssentra Access SolutionsDescription: STP109118B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10DNIE
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10H100
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10K80Z
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10LN80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.64 EUR
10+3.83 EUR
100+3.47 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10LN80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 5A; Idm: 32A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.03 EUR
59+2.96 EUR
100+2.89 EUR
500+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N105K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 6A; Idm: 24A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N105K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-220 package
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.43 EUR
10+4.33 EUR
100+3.94 EUR
500+3.25 EUR
1000+3.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.03 EUR
59+2.9 EUR
100+2.78 EUR
500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N105K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1050V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.59 EUR
50+4.41 EUR
100+4.01 EUR
500+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N20
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 4.9A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 30A
Gate charge: 13.5nC
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+2.17 EUR
49+1.75 EUR
55+1.57 EUR
65+1.33 EUR
72+1.19 EUR
100+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
auf Bestellung 1744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.45 EUR
10+1.83 EUR
100+1.67 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.14 EUR
2000+1.13 EUR
4000+1.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.96 EUR
50+1.92 EUR
100+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP10N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 85W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
auf Bestellung 918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.05 EUR
77+3.02 EUR
124+1.74 EUR
500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N60ZFP
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N62K3
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N65K3
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N65K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N80FI
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.36 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 22nC
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.86 EUR
32+2.69 EUR
38+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.36 EUR
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 5A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.33 EUR
26+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.79 EUR
10+3.83 EUR
100+3.53 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.64 EUR
2000+2.62 EUR
5000+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N95K5STMN-Channel 950 V 8A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
auf Bestellung 827 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.1 EUR
50+4.13 EUR
100+3.75 EUR
500+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NA40
auf Bestellung 18530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NA40FI
auf Bestellung 18530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NB20STTO-220AB
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NB20FP
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NB50STTO-220
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NB50FPSTTO-220FP
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NB60SFPST
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NC50STMicroelectronicsMOSFETs MOS 500V .52 OHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NC50STTO-220
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NC50F
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NC50FP
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK50ZSTM07+ TO-220
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1219 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK50ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 V 0.55 Ohm 9 A SuperMESH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK50ZPST09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60FP
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.01 EUR
50+4.64 EUR
100+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.47 EUR
10+6.22 EUR
100+4.63 EUR
500+3.89 EUR
1000+3.14 EUR
2000+3.12 EUR
5000+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6878 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.61 EUR
50+3.45 EUR
100+3.08 EUR
500+2.61 EUR
1000+2.32 EUR
2000+2.2 EUR
5000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60Z
Produktcode: 14727
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1370/50
Montage: THT
erwartet: 55 St.
  • 55 St. - erwartet 09.08.2026
auf Bestellung: 5 St.
  • 5 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.73 EUR
10+1.55 EUR
100+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP10NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.75 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
auf Bestellung 1221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.82 EUR
56+4.2 EUR
100+3.62 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.63 EUR
50+3.55 EUR
100+3.21 EUR
500+2.77 EUR
1000+2.52 EUR
2000+2.46 EUR
5000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZSTMN-кан., 600V, 0.65 Ом, 10A, TO-220 (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5.06 EUR
23+3.81 EUR
26+3.3 EUR
32+2.7 EUR
50+2.38 EUR
100+2.11 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 5,7 А, Rds = 750 мОм, Р, Вт = 115, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-220FP Очікується: 15 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZF
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 3 St.
  • 3 St. - stock Köln
auf Bestellung: 272 St.
  • 272 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.37 EUR
10+1.24 EUR
100+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP10NK60ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.75 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
auf Bestellung 926 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.32 EUR
52+4.5 EUR
100+3.77 EUR
500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZFPSTMN-кан., 600V, 0.65 Ом, 10A, TO-220FP (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.33 EUR
21+4.24 EUR
24+3.65 EUR
29+2.96 EUR
50+2.55 EUR
100+2.21 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.44 EUR
50+4.33 EUR
100+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZFPSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 10 А, Ptot, Вт = 35, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1370 @ 25, Qg, нКл = 70 @ 10 В, Rds = 750 мОм @ 4,5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.69 EUR
10+5.68 EUR
100+4.24 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.28 EUR
2000+3.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZFPSTN-MOSFET 10A 600V 35W 0.75Ω STP10NK60ZFP TSTP10NK60ZFP
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZFP-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 52W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: STP10NK60ZFP STMicroelectronics; STP10NK60ZFP-CN CHIPNOBO TSTP10NK60ZFP CNB
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK62ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK62ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK70ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 700 Volt 8.6Amp Zener SuperMESH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK70Z
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK70ZSTMTO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK70ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 700V 8.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.59 EUR
50+4.41 EUR
100+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK70ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 700V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.95 EUR
2000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK70ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5.4A; Idm: 34A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.62 EUR
17+5.15 EUR
20+4.46 EUR
50+3.18 EUR
100+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK70ZFPSTMТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK70ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 700V 8.6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.69 EUR
50+5.59 EUR
100+5.11 EUR
500+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK70ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 700V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.96 EUR
2000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK70ZFP
Produktcode: 151574
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK70ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 700V-0.75ohms Zener SuperMESH 8.6A
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.13 EUR
10+7.28 EUR
100+5.37 EUR
500+4.77 EUR
1000+4.24 EUR
2000+4.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK70ZFPSTN-MOSFET 8.6A 700V 35W 0.85Ω STP10NK70ZFP TSTP10NK70ZFP
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK70ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 700V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80FPSTTO-220 07+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZSTP10NK80Z Транзисторы MOS FET Power
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80Z
Produktcode: 139478
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 1931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.68 EUR
10+4.27 EUR
100+3.83 EUR
500+3.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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