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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF7240TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7240TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = -40, Id = 10,5, Ciss, пФ @ Uds, В = 9250 @ -25, Qg, нКл = 73, Rds = 15 мОм, Ugs(th) = -2 В, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF7240TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7240TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+2.98 EUR
113+1.52 EUR
124+1.36 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7240TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7240TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7240TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.5 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7240TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7240TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.83 EUR
8000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7240TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -40V -10.5A 15mOhm 73nC
auf Bestellung 15143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+2.09 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
2000+1 EUR
4000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7240TRPBFInternational RectifierIRF7240TRPBF IRF7240PBF (MFET, P-CH, 40V, 10,5A, SO-8) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7240TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7240TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
480+1.36 EUR
534+1.2 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7240TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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IRF7241International RectifierТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241IRSO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7241PBF
Produktcode: 144674
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241PBFInfineon TechnologiesMOSFET 1 P-CH -40V HEXFET 41mOhms 53nC
auf Bestellung 1985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241TRInternational RectifierP-MOSFET 6.2A 40V 2.5W 0.041Ω IRF7241 smd TIRF7241
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -40V -6.2A 41mOhm 53nC
auf Bestellung 4913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+1.12 EUR
100+0.8 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.62 EUR
2000+0.57 EUR
4000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 40V 6.2A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7241TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.2 A, 0.041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+2.2 EUR
169+1.38 EUR
250+0.9 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH, Udss=-40V, Id=-6.2A, SO-8, -55...+150 Транзистори
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.18 EUR
16+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 40V 6.2A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7241TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.2 A, 0.041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+2.2 EUR
169+1.38 EUR
250+0.9 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730SiliconixN-MOSFET 4.5A 400V 75W 1Ω IRF730 TIRF730
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730ON SemiconductorIRF730
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730Harris CorporationDescription: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
auf Bestellung 24533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
166+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730HARRISIRF730
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730ONSEMIDescription: ONSEMI - IRF730 - IRF730, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730(MFET,N-CH,74W,400V,5.5A,TO220AB) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730HARRISIRF730
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 400 Volt 5.5 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730SiliconixN-MOSFET 4.5A 400V 75W 1Ω IRF730 TIRF730
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730
Produktcode: 15294
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730STMТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730HARRISIRF730
auf Bestellung 6306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+3.15 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 1,1Ohm; 6A; 54W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF730; IRF730-BE3; IRF730-ML MOSLEADER TIRF730 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301IRSO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301PBFInternational Rectifier(MFET,DUAL,N-CH,LL,1.4W,20V,3.5A,SO-8) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301PBF
Produktcode: 22639
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 5,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 660/20
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung: 51 St.
  • 51 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.96 EUR
10+0.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301PBFInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,2 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15, Qg, нКл = 20 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
verfügbar 37 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 5.2A 8-Pin SOIC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301PBFInfineon / IRMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 50mOhms 13.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7301PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
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IRF7301TRUMWTransistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF7301TRUMWTransistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IRF7301TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRF7301TRJSMicro SemiconductorTransistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 28mOhm; 7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR JSMICRO TIRF7301 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF7301TRUMWTransistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF7301TR-CNCHIPNOBOTransistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 45mOhm; 6,5A; 1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR-CN CHIPNOBO TIRF7301 CNB
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF7301TR-VBVBsemiSOP-8 MOSFETs ; N-Channel Array 20V 7.1A 2W Surface Mount SO-8 IRF7301TR-VB; IRF7301TR TIRF7301TR VBS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF7301TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
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IRF7301TRPBF20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET SO-8 Транзистори
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IRF7301TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 5.2A 8-Pin SOIC T/R
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7301TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 20V 5.2A
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IRF7301TRPBF
Produktcode: 51514
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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IRF7303International RectifierСдвоенный HEXFET 5-ого поколения с N-CH и низким сопротивл. с-и 0,05 Ом U=-30 В I=4,9 А SOIC8 Транзистори
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IRF7303
Produktcode: 7928
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 4,9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
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1+0.83 EUR
10+0.68 EUR
100+0.38 EUR
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IRF7303IRSO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7303HXY MOSFETTransistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm; 6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303 HXY MOSFET TIRF7303 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF7303PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V DUAL N-CH HEXFET 50mOhms 16.7nC
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IRF7303PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7303PBF - IRF7303 - HEXFET POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF7303PBF
Produktcode: 113419
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 3,9 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 520/25
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung: 109 St.
  • 109 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.09 EUR
10+0.99 EUR
100+0.88 EUR
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IRF7303PBFInternational RectifierСдвоенный HEXFET 5-ого поколения с N-CH и низким сопротивл. с-и 0,05 Ом U=-30 В I=4,9 А SOIC8 Транзистори
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IRF7303PBFInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,9 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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IRF7303PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
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IRF7303PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC Tube
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 Mindestbestellmenge: 3800 Stücke
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IRF7303QPBFIR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7303QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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IRF7303QTRPBFIRF09+
auf Bestellung 80043 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7303TRUMWTransistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303TR UMW TIRF7303 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF7303TRInternational RectifierTransistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; IRF7303 TIRF7303
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRF7303TR
Produktcode: 212501
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF7303TRUMWTransistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303TR UMW TIRF7303 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRInternational RectifierСдвоенный HEXFET 5-ого поколения с N-CH и низким сопротивл. с-и 0,05 Ом U=-30 В I=4,9 А SOIC8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TR-TPTECH PUBLIC30V 7A 35mOhm@10V 1.3W 3V 2 N-Channel SOIC-8 MOSFETs Substitute: IRF7303TR; IRF7303 SOIC8(T/R) TECH PUBLIC TIRF7303 TEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
779+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 779 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7303TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF
Produktcode: 29858
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+1.42 EUR
4000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7303TRPBFInfineonIRF7303TRPBF IRF7303PBF MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 30V 4.9A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7303TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+1.42 EUR
4000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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IRF7303TRPBFInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,9 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 475 Од. ви
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IRF7303TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7303TRPBFXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IRF7303TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs PLANAR FET
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IRF7303TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
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