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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF7324TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7324TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7324TRPBF - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7324TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7325IRSO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7325Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7325PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7325TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8SO
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7325TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7325TRPBFIOR
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7325TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7326IR
auf Bestellung 232080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7326D2IR07+ SO-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7326D2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7326D2PBF
Produktcode: 41019
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7326D2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7326D2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7326D2TRIOR2001 SMD
auf Bestellung 1481 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7326D2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7326D2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7326D2TRPBFIR0506+ SOP-8
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7326D2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.02 EUR
23+0.79 EUR
100+0.66 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.59 EUR
2000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7326TRIOR2001
auf Bestellung 3336 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7326TRPBFIOR
auf Bestellung 960000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7327IOR09+ SO-8
auf Bestellung 1074 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7328International RectifierSO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7328International RectifierTranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7328TR; IRF7328; IRF7328-GURT; IRF7328TRXTMA1; IRF7328 TIRF7328
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7328PBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7328PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7328PBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2675 @ 25, Qg, нКл = 78 @ 10 В, Rds = 21 мОм @ 8 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
verfügbar 44 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7328PBF
Produktcode: 28319
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 8
Rds(on),Om: 0.021
Ciss, pF/Qg, nC: 2675/52
Gebr.: 2P
/: SMD
verfügbar: 5 St.
    1+0.82 EUR
    10+0.78 EUR
    100+0.72 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7328PBFInfineon TechnologiesMOSFETs DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7328PBFInfineonTransistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8 Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7328TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
    Supplier Device Package: 8-SO
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    FET Feature: Logic Level Gate
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
    Power - Max: 2W
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Configuration: 2 P-Channel (Dual)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7328TRIR08+ LQFP44
    auf Bestellung 250 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7328TRUMWTransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7328; IRF7328TR; IRF7328TRXTMA1; SP001555158; SP001565270; SP005828189; IRF7328TR UMW TIRF7328 UMW
    Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
    auf Bestellung 100 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    50+0.75 EUR
    Mindestbestellmenge: 50 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7328TRJGSEMITransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 28mOhm; 8,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7328; IRF7328TR; IRF7328TRXTMA1; SP001555158; SP001565270; SP005828189; IRF7328TR JGSEMI TIRF7328 JGS
    Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
    auf Bestellung 200 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    50+0.99 EUR
    Mindestbestellmenge: 50 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7328TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7328TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
    tariffCode: 85412900
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
    usEccn: EAR99
    Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
    Verlustleistung, p-Kanal: 2W
    Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
    productTraceability: No
    Kanaltyp: p-Kanal
    Verlustleistung, n-Kanal: 2W
    SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
    auf Bestellung 1418 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7328TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Configuration: 2 P-Channel (Dual)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Power - Max: 2W
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
    FET Feature: Logic Level Gate
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7328TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 35020 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    482+1.14 EUR
    535+1.01 EUR
    1000+0.91 EUR
    10000+0.79 EUR
    Mindestbestellmenge: 482 Stücke
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    IRF7328TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7328TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
    tariffCode: 85412900
    Wandlerpolarität: p-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    productTraceability: No
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
    Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    hazardous: false
    Kanaltyp: p-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Produktpalette: -
    Bauform - Transistor: SOIC
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
    euEccn: NLR
    rohsCompliant: YES
    Verlustleistung, n-Kanal: 2W
    Drain-Source-Spannung Vds: 30V
    Qualifikation: -
    Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
    Verlustleistung, p-Kanal: 2W
    Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
    Dauer-Drainstrom Id: 8A
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm
    usEccn: EAR99
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Verlustleistung Pd: 2W
    SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
    auf Bestellung 1418 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7328TRPBFInternational RectifierMOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 8A Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7328TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 8A
    auf Bestellung 11772 Stücke:
    Lieferzeit 94-98 Tag (e)
    2+2.78 EUR
    10+2.22 EUR
    100+1.78 EUR
    500+1.45 EUR
    1000+1.18 EUR
    2000+1.11 EUR
    4000+1.05 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7328TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Configuration: 2 P-Channel (Dual)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Power - Max: 2W
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
    FET Feature: Logic Level Gate
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7328TRPBFInternational RectifierMosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7328TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
    auf Bestellung 214 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    133+1.11 EUR
    Mindestbestellmenge: 133 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7328TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
    auf Bestellung 3369 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+3.13 EUR
    10+1.81 EUR
    100+1.26 EUR
    500+1.06 EUR
    1000+0.98 EUR
    4000+0.82 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7328TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm
    tariffCode: 85412900
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: N
    Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
    usEccn: EAR99
    Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
    Verlustleistung, p-Kanal: 2W
    Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
    euEccn: NLR
    Bauform - Transistor: SO-8
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: HEXFET Series
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
    Verlustleistung, n-Kanal: -
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
    auf Bestellung 5431 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7328TRPBFXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
    Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; SO8
    Type of transistor: P-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 30V
    Drain current: 8A
    Case: SO8
    Mounting: SMD
    Kind of package: reel; tape
    Kind of channel: enhancement
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7328TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm
    tariffCode: 85412900
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
    usEccn: EAR99
    Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
    Verlustleistung, p-Kanal: 2W
    Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
    euEccn: NLR
    Bauform - Transistor: SO-8
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: HEXFET Series
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
    Verlustleistung, n-Kanal: -
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
    auf Bestellung 5431 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7328TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8DSO-902
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Configuration: 2 P-Channel (Dual)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Power - Max: 2W (Ta)
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7329PBFInternational RectifierMOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7329PBF
    Produktcode: 58448
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    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7329PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
    Supplier Device Package: 8-SO
    Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
    FET Feature: Logic Level Gate
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
    Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
    Power - Max: 2W
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Configuration: 2 P-Channel (Dual)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Tube
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7329PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC Tube
    auf Bestellung 98 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    70+2.1 EUR
    79+1.79 EUR
    87+1.57 EUR
    Mindestbestellmenge: 70 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7329PBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V DUAL P-CH HEXFET 17mOhms 38nC
    auf Bestellung 228 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7329PBF 
    auf Bestellung 9080 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7329TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
    Supplier Device Package: 8-SO
    Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
    FET Feature: Logic Level Gate
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
    Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
    Power - Max: 2W
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Configuration: 2 P-Channel (Dual)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7329TRInternational Rectifier2xP-MOSFET HEXFET 9.2A 12V 2W 0.17? IRF7329 TIRF7329
    Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
    auf Bestellung 15 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    20+2.1 EUR
    Mindestbestellmenge: 15 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7329TRInternational Rectifier2xP-MOSFET HEXFET 9.2A 12V 2W 0.17? IRF7329 TIRF7329
    Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
    auf Bestellung 100 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    20+2.1 EUR
    Mindestbestellmenge: 20 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 24000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    4000+0.58 EUR
    Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7329TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
    Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 12V; 9.2A; SO8
    Type of transistor: P-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 12V
    Drain current: 9.2A
    Case: SO8
    Mounting: SMD
    Kind of package: reel; tape
    Kind of channel: enhancement
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 2515 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    611+0.9 EUR
    1000+0.82 EUR
    Mindestbestellmenge: 611 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Configuration: 2 P-Channel (Dual)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Power - Max: 2W
    Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
    FET Feature: Logic Level Gate
    Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Active
    auf Bestellung 12155 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    7+2.52 EUR
    12+1.59 EUR
    100+1.06 EUR
    500+0.84 EUR
    1000+0.76 EUR
    2000+0.75 EUR
    Mindestbestellmenge: 7 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL PCh -12V 9.2A
    auf Bestellung 2409 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+2.11 EUR
    10+1.38 EUR
    100+0.9 EUR
    500+0.82 EUR
    1000+0.75 EUR
    2000+0.73 EUR
    4000+0.64 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 171 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 17 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7329TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm
    tariffCode: 85412900
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: N
    Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
    Verlustleistung, p-Kanal: 2W
    Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
    euEccn: NLR
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: HEXFET Series
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
    productTraceability: No
    Kanaltyp: p-Kanal
    Verlustleistung, n-Kanal: 2W
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
    auf Bestellung 2655 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 24000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    4000+0.58 EUR
    Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Configuration: 2 P-Channel (Dual)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Power - Max: 2W
    Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
    FET Feature: Logic Level Gate
    Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Active
    auf Bestellung 12000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    4000+0.65 EUR
    8000+0.61 EUR
    Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 1580 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    81+1.82 EUR
    135+1.07 EUR
    172+0.82 EUR
    500+0.74 EUR
    1000+0.65 EUR
    Mindestbestellmenge: 81 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 171 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    148+0.99 EUR
    Mindestbestellmenge: 148 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7329TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm
    tariffCode: 85412900
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
    Verlustleistung, p-Kanal: 2W
    Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
    euEccn: NLR
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: HEXFET Series
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: p-Kanal
    Verlustleistung, n-Kanal: 2W
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
    auf Bestellung 2655 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7331Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO
    Packaging: Tube
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Configuration: 2 N-Channel (Dual)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Power - Max: 2W
    Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
    FET Feature: Logic Level Gate
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7331HRInfineon / IRInfineon
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7331PBF
    Produktcode: 26137
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    		IRTransistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: SO-8
    Uds,V: 30
    Idd,A: 7
    Rds(on), Ohm: 01.04.2000
    Ciss, pF/Qg, nC: 1340/13
    Bem.: 2N
    JHGF: SMD
    Produkt ist nicht verfügbar
    1+0.6 EUR
    10+0.56 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7331PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO
    Supplier Device Package: 8-SO
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    FET Feature: Logic Level Gate
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
    Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
    Power - Max: 2W
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Configuration: 2 N-Channel (Dual)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Tube
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7331PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V DUAL N-CH HEXFET 30mOhms 13nC
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7331TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO
    Supplier Device Package: 8-SO
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    FET Feature: Logic Level Gate
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
    Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
    Power - Max: 2W
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Configuration: 2 N-Channel (Dual)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7331TRHRInfineon / IRInfineon
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7331TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7331TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 20
    Dauer-Drainstrom Id: 7
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Verlustleistung Pd: 2
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8
    Produktpalette: HEXFET
    Wandlerpolarität: n-Kanal
    Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
    Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
    Betriebstemperatur, max.: 150
    SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7331TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Configuration: 2 N-Channel (Dual)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Power - Max: 2W
    Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
    FET Feature: Logic Level Gate
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7331TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Configuration: 2 N-Channel (Dual)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Power - Max: 2W
    Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
    FET Feature: Logic Level Gate
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7331TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7331TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
    SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7331TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 20V 7.0A
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7331TRPBF-1Infineon / IRInfineon SO-8
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7331TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SOIC
    Supplier Device Package: 8-SOIC
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
    Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
    Power - Max: 2W (Ta)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Configuration: 2 N-Channel (Dual)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7333IR
    auf Bestellung 5000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7335D1IOR02+ SMD
    auf Bestellung 8000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7335D1HRInfineon / IRInfineon
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7335D1TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 14-SOIC
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7335D1TRIOR2004
    auf Bestellung 185200 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7335D1TRHRInfineon / IRInfineon
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7335D1TRPBFIOR
    auf Bestellung 194500 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7335SIOR02+ SMD-8
    auf Bestellung 50 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7336D1TRIRSOP8 04+
    auf Bestellung 10000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7336D1TR
    Produktcode: 45446
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		IRTransistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: SO-14
    verfügbar: 86 St.
    • 12 St. - stock Köln
    • 74 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
    1+0.5 EUR
    10+0.39 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7338IRSO-8
    auf Bestellung 72000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7338PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8SO
    Packaging: Tube
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Configuration: N and P-Channel
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Power - Max: 2W
    Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 3A
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 9V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 4.5V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
    FET Feature: Logic Level Gate
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Obsolete
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7338PBFInfineon TechnologiesMOSFET 12V DUAL N- & P- CH HEXFET
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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