Produkte > IKW
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| IKW50N60TA Produktcode: 139366
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar
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| IKW50N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 2.6mJ Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N60TAFKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IKW50N60TAFKSA1 - IKW50N60 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALL tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 9853 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9853 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 2.6mJ Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W | auf Bestellung 9853 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IKW50N60TFKSA | Infineon | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A TO-247 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A | auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 2.6mJ Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W | auf Bestellung 636 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 9120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N60TFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2796 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 9206 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 264 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65EH5 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N65EH5 | Infineon | auf Bestellung 12360 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 197 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 156 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65EH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 138W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 54ns Turn-off time: 207ns Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY | auf Bestellung 283 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IKW50N65EH5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65EH5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 275 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 275W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 186 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 197 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 81 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 25ns/172ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 500µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 275 W | auf Bestellung 162 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 156 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65ES5 | Infineon Technologies | IGBTs Trenchstop 5 IGBT | auf Bestellung 361 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 274 W | auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 199 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon | GBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY | auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 199 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N65ES5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60.5A Power dissipation: 137W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 47ns Turn-off time: 161ns Technology: TRENCHSTOP™ 5 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N65ES5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - Verlustleistung: 274W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 639 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65ET7 | Infineon | IKW50N65ET7XKSA1 IGBT Trench Field Stop 650 V 50 A 273 W Through Hole PG-TO247-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IKW50N65ET7XKSA1 Produktcode: 178408
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65ET7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 273W; TO247-3; 1.2mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 273W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Turn-off time: 350ns Turn-on switching energy: 1.2mJ Technology: Field Stop; Trench | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N65ET7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 273 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V Verlustleistung: 273W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 93 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/350ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 850µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V Gate Charge: 290 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 273 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IKW50N65F5 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N65F5 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N65F5 | Infineon | auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IKW50N65F5 Produktcode: 187321
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IKW50N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Power - Max: 270 W Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 108 nC Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns IGBT Type: Trench Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Reverse Recovery Time (trr): 77 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: F5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 | auf Bestellung 213 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65F5FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - Verlustleistung: 305W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 3404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N65F5FKSA1 | Infineon | IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5 IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 Транзистори | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65F5FKSA1 Produktcode: 162192
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| IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A TO247-3 Reverse Recovery Time (trr): 52 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Power - Max: 305 W Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Part Status: Active Gate Charge: 120 nC Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 2364 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2469 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65H5 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY | auf Bestellung 662 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IKW50N65H5A | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 58 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 21ns/173ns Switching Energy: 450µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 116 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 270 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 4105 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N65H5FKSA1 | Infineon | 80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode IKW50N65H5 TIKW50n65h5 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65H5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65H5FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - Verlustleistung: 305W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 2915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65H5FKSA1 | Infineon | IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305mW TO-247 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 36 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 36 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N65H5FKSA1 Produktcode: 125871
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar
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| IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 57 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 305 W | auf Bestellung 7284 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N65RH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 305W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Turn-off time: 180ns Technology: Field Stop; Trench | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKW50N65RH5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 305W, To-247, 1.65Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V Verlustleistung: 305W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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