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| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| ISC0703NLSATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC0703NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ISC0703NLSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 1299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ISC0703NLSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC073N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >100-150V | auf Bestellung 6306 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ISC073N12LM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC073N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 86 A, 0.0073 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 4284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ISC073N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC073N12LM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC073N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 86 A, 0.0073 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 4284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ISC073N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V | auf Bestellung 2889 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ISC078N12NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 49.6µA Supplier Device Package: SuperSO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V | auf Bestellung 4885 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ISC078N12NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC078N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 85 A, 7800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm | auf Bestellung 4480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ISC078N12NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 49.6µA Supplier Device Package: SuperSO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC078N12NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | auf Bestellung 1963 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ISC078N12NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC078N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 85 A, 7800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm | auf Bestellung 4480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ISC079N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 77µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 165W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 36A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta), 95A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2049 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ISC079N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | auf Bestellung 1826 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ISC079N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 77µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 165W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 36A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta), 95A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC0802NLSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | auf Bestellung 1034 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ISC0802NLSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC0802NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm | auf Bestellung 702 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ISC0802NLSATMA1 | Infineon Technologies | ISC0802NLSATMA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC0802NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 92µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5190 pF @ 50 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ISC0802NLSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC0802NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 125W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm | auf Bestellung 702 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ISC0802NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 92µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5190 pF @ 50 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ISC0803NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC0803NLSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC0803NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 3793 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ISC0803NLSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | auf Bestellung 906 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ISC0803NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC0803NLSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC0803NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 43W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 3793 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ISC0804NLSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0103 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 60W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0103ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 363 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 363 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC0804NLSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | auf Bestellung 4998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ISC0804NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ISC0804NLSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0103 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 363 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ISC0804NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V | auf Bestellung 8951 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ISC0805NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-46 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V | auf Bestellung 10503 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ISC0805NLSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC0805NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 71 A, 0.0072 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 74W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 2987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ISC0805NLSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 74W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 71A Power dissipation: 74W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC0805NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-46 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ISC0805NLSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC0805NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 71 A, 0.0072 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 2987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ISC0805NLSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | auf Bestellung 774 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ISC0806NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 16A/97A TDSON Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 61µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 97A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | auf Bestellung 4756 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ISC0806NLSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | auf Bestellung 9803 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ISC0806NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 16A/97A TDSON Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 61µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 97A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC0806NLSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC0806NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 96W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 96W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm | auf Bestellung 3334 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ISC080N10NM6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC080N10NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 8050 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 100W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8050µohm | auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ISC080N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ISC080N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC080N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.05mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V | auf Bestellung 13022 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ISC080N10NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 8050 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8050µohm | auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ISC080N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ISC080N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ISC080N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.05mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ISC080N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5113 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ISC080N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | auf Bestellung 211 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ISC088N08NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC088N08NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET > 60-80V | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ISC088N08NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 40 V | auf Bestellung 4825 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ISC1008ER100M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 10 20% ER e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER100M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 10UH 250MA 950 MOHM | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER101M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 100 20% ER e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER101M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 100UH 80MA 5.8 OHM SMD | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER102M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 1000 20% ER e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER102M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1MH 30MA 30 OHM SMD | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER121M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 120UH 60MA 6.2 OHM SMD | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER121M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 120 20% ER e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER150M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 15 20% ER e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER150M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 15UH 220MA 1.15 OHM | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER151M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 150 20% ER e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER151M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 150UH 50MA 7.5 OHM SMD | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER1R0M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 1 20% ER e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER1R0M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1UH 1A 50 MOHM SMD | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER1R5M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 1.5 20% ER e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER1R5M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.5UH 800MA 60 MOHM | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER1R8M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 1.8 20% ER e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER1R8M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.8UH 680MA 90 MOHM | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER220M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 22 20% ER e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER220M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 22UH 180MA 1.4 OHM SMD | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER221M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 220 20% ER e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER221M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 220UH 50MA 10 OHM SMD | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER2R7M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 2.7 20% ER e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER2R7M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 2.7UH 650MA 140 MOHM | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER330M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 33 20% ER e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER330M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 33UH 150MA 1.6 OHM SMD | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER331M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 330 20% ER e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER331M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 330UH 50MA 11.5 OHM | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER390M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 39 20% ER e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER390M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 39UH 130MA 1.85 OHM | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER3R9M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 3.9 20% ER e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER3R9M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 3.9UH 650MA 260 MOHM | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER470M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 47 20% ER e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER470M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 47UH 110MA 2.5 OHM SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 750 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER471M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 470 20% ER e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER471M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 470UH 50MA 16.5OHM SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 750 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER4R7M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 4.7 20% ER e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER4R7M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 4.7UH 500MA 350 MOHM | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER561M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 560 20% ER e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER561M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 560UH 30MA 18 OHM SMD | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER5R6M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 5.6 20% ER e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER5R6M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 5.6UH 450MA 400 MOHM | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ISC1008ER680M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 68 20% ER e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |