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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MJD253-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 4250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1599+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1599 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1599+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1599 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253GOn SemiconductorPNP, Uкэ=100V, Iк=4A (8 имп.), h21=15...180, 12.5Вт, 40МГц, DPAK-3/369C (SMD) (компл. MJD243) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4onsemiDescription: TRANS PWR PNP 4A 100V DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Power - Max: 12.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4G
Produktcode: 172039
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+1.42 EUR
247+0.94 EUR
349+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GOn SemiconductorPNP, Uкэ=100V, Iк=4A (8 имп.), h21=15...180, 12.5Вт, 40МГц, DPAK-3/369C (SMD) (компл. MJD243T4) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
auf Bestellung 11861 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
21+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
auf Bestellung 4362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.62 EUR
10+1.01 EUR
100+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
362+0.48 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 362 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.38 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+1.42 EUR
247+0.94 EUR
349+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4G*************
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 1906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.54 EUR
100+0.98 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 50V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 9540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.21 EUR
29+0.75 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.29 EUR
5000+0.26 EUR
7500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-QJNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 50V 2A NPN HI PWR BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+1.14 EUR
326+0.71 EUR
547+0.39 EUR
572+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
29+0.74 EUR
100+0.55 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873JNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 50V 2A NPN HI PWR BJT
auf Bestellung 3545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.45 EUR
100+1.06 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+1.14 EUR
326+0.71 EUR
547+0.39 EUR
572+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 50V 2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.46 EUR
24+0.89 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 50V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.35 EUR
5000+0.32 EUR
7500+0.3 EUR
12500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 5595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.39 EUR
10+0.86 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
2500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955onsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955On SemiconductorТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955FAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955STMicroelectronicsBipolar Transistors - Pre-Biased
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-001onsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 6300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2219+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-001onsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-001ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955-001 - MJD2955-001, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2700+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-1GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955-1G - MJD2955-1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 42025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1125+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 1125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: I-PAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 42025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
888+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 888 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-1G
auf Bestellung 4080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-T4ON09+
auf Bestellung 2477 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+0.86 EUR
375+0.77 EUR
750+0.7 EUR
1125+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 3103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.51 EUR
75+1.09 EUR
150+0.98 EUR
525+0.81 EUR
1050+0.74 EUR
2025+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.38 EUR
193+0.86 EUR
204+0.79 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.08 EUR
75+0.96 EUR
525+0.8 EUR
1050+0.67 EUR
5850+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 20...100
Kind of package: tube
Case: DPAK
Frequency: 2MHz
Collector current: 10A
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.89 EUR
204+0.83 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1725+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1725 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
217+0.8 EUR
267+0.62 EUR
275+0.58 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 217 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GOn SemiconductorТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955RLGON Semiconductor10 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955RLGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955RLGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 10A60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4onsemiDescription: TRANS PWR PNP 10A 60V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 104019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1389+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1389 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
auf Bestellung 12182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.31 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GON Semiconductor
auf Bestellung 109930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.37 EUR
169+1.37 EUR
258+0.83 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1389+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1389 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
auf Bestellung 5949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
16+1.33 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 66631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1389+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1389 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 20...100
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Frequency: 2MHz
Collector current: 10A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.37 EUR
169+1.37 EUR
258+0.83 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1389+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1389 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955TF - MJD2955TF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
322+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 322 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955TFON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955TFonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1025+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1025 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955TFonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955TFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 10A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 460746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1025+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1025 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955TFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
auf Bestellung 5535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MJD2955TFonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
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MJD2955VT4
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MJD29CFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
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MJD29CTF
auf Bestellung 980 Stücke:
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MJD29CTFFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 1A DPAK
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 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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MJD3055onsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
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MJD3055onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN
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MJD3055FAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
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MJD3055GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN
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MJD3055GOn SemiconductorТранзистори
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MJD3055GON
auf Bestellung 2100 Stücke:
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MJD3055GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 19 Stücke:
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MJD3055GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
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MJD3055RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
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MJD3055RLGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 1800 Stücke:
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1800+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
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MJD3055RLGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 20...100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2MHz
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