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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MJD253T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.7 EUR
236+0.99 EUR
318+0.68 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.38 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GOn SemiconductorPNP, Uкэ=100V, Iк=4A (8 имп.), h21=15...180, 12.5Вт, 40МГц, DPAK-3/369C (SMD) (компл. MJD243T4) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
362+0.49 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 362 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
auf Bestellung 4362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.62 EUR
10+1.01 EUR
100+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.7 EUR
236+0.99 EUR
318+0.68 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
auf Bestellung 12046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
21+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4G*************
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 1906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.54 EUR
100+0.98 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 50V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 9540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.21 EUR
29+0.75 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-QJNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 50V 2A NPN HI PWR BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.29 EUR
5000+0.26 EUR
7500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+1.14 EUR
326+0.71 EUR
547+0.39 EUR
572+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873JNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 50V 2A NPN HI PWR BJT
auf Bestellung 3545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.45 EUR
100+1.06 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+1.14 EUR
326+0.71 EUR
547+0.39 EUR
572+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
29+0.74 EUR
100+0.55 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 50V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.35 EUR
5000+0.32 EUR
7500+0.3 EUR
12500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 50V 2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.46 EUR
24+0.89 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 5595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.39 EUR
10+0.86 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
2500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955FAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955onsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955STMicroelectronicsBipolar Transistors - Pre-Biased
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955On SemiconductorТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-001onsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-001ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955-001 - MJD2955-001, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2700+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-001onsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 6300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2219+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-1GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955-1G - MJD2955-1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 42025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1125+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 1125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-1G
auf Bestellung 4080 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: I-PAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 42025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
888+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 888 Stücke
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MJD2955-T4ON09+
auf Bestellung 2477 Stücke:
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MJD2955GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 20...100
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.92 EUR
204+0.86 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1725+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1725 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
auf Bestellung 580 Stücke:
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2+2.48 EUR
10+1.08 EUR
75+0.96 EUR
525+0.8 EUR
1050+0.67 EUR
1950+0.65 EUR
5850+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 1733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.51 EUR
75+1.11 EUR
150+0.99 EUR
525+0.81 EUR
1050+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 528 Stücke:
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217+0.81 EUR
267+0.64 EUR
275+0.6 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 217 Stücke
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MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1725 Stücke:
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202+0.87 EUR
375+0.79 EUR
750+0.71 EUR
1125+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
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MJD2955GOn SemiconductorТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.4 EUR
193+0.88 EUR
204+0.8 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955RLGON Semiconductor10 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955RLGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955RLGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 10A60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4onsemiDescription: TRANS PWR PNP 10A 60V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
auf Bestellung 6334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.14 EUR
16+1.33 EUR
100+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1389+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1389 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
auf Bestellung 4863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.77 EUR
10+1.25 EUR
100+0.86 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.61 EUR
2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GON Semiconductor
auf Bestellung 109930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
168+1.38 EUR
238+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 66631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1389+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1389 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 20...100
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Frequency: 2MHz
Collector current: 10A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1389+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1389 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.98 EUR
173+1.34 EUR
253+0.84 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 104019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1389+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1389 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955TF - MJD2955TF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
322+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 322 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955TFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 10A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 460746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1025+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1025 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955TFonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955TFonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1025+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1025 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955TFON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955TFonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955TFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
auf Bestellung 5535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955VT4
auf Bestellung 6210 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD29CFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD29CTFFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 1A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD29CTF
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD3055onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055onsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
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MJD3055FAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
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MJD3055GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN
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MJD3055GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
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MJD3055GON
auf Bestellung 2100 Stücke:
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MJD3055GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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MJD3055GOn SemiconductorТранзистори
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MJD3055RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
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MJD3055RLGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 20...100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2MHz
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MJD3055RLGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 3501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
16+1.33 EUR
100+0.88 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MJD3055RLGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 10A 60V
auf Bestellung 6572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.28 EUR
10+1.44 EUR
100+0.77 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.61 EUR
1800+0.54 EUR
3600+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD3055RLGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
auf Bestellung 2212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.08 EUR
10+1.95 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
2500+0.83 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 4951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.89 EUR
12+1.83 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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