Produkte > MJE
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| MJE180STU | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE180STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 21565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE180STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube | auf Bestellung 3840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE180STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube | auf Bestellung 5159 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE180STU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil | auf Bestellung 121 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJE180STU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 40V 3A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.5 W | auf Bestellung 3840 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJE180STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube | auf Bestellung 11280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE180STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE181 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE181 | auf Bestellung 1865 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJE181 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE181 | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 3A TO126 Power - Max: 12.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Supplier Device Package: TO-126 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE181G | Aptina Imaging | Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 22 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE181G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126 Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Supplier Device Package: TO-126 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk | auf Bestellung 399 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJE181G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE181G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE181G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W NPN | auf Bestellung 1116 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJE181G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE181STU | On Semiconductor | NPN, Uкэ=60V, Iк=3A (6 имп.), h21=12...250, 50МГц, 12.5Вт, TO-225AA (комплемент. MJE171) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE181STU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE181STU | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE181STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 917 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 917 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE181STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1920 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE181STU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126-3 Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Supplier Device Package: TO-126-3 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole | auf Bestellung 3934 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJE181STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1920 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE181STU | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126-3 Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Supplier Device Package: TO-126-3 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 1877 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJE181STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1920 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE182 | GOODWORK | Description: NPN 3A 80V 12.5W TO-126 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJE182 | On Semiconductor | NPN, Uкэ=80V, Iк=3A (6 имп.), h21=12...250, 50МГц, 12.5Вт, TO-225AA (комплемент. MJE172) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE182 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Power Sw | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE182 | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 3A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | auf Bestellung 5532 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJE182 | ON | 09+ | auf Bestellung 20148 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE182 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE182 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE182 - MJE182, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 7552 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE182 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 80V 3A SOT-32-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-32-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 12.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE18204 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE18204 - TRANSISTOR, NPN TO-220 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 4720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE18204 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 600V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 17309 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE18204 | onsemi | Description: TRANS NPN 600V 5A TO-220FP Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.25V @ 400mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 200µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 13MHz Supplier Device Package: TO-220FP Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 35 W | auf Bestellung 17309 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJE18206 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE18206 - TRANSISTOR tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 6775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE18206 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 600V 8A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 | auf Bestellung 11725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE18206 | onsemi | Description: TRANS NPN 600V 8A TO-220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 200µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 13MHz Supplier Device Package: TO-220AB Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 100 W | auf Bestellung 11725 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJE182G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W NPN | auf Bestellung 6255 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJE182G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE182G | On Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W NPN, TO-225-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE182G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE182G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 11814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE182G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 3823 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE182G | ON-Semiconductor | NPN 3A 80V 12.5W 50MHz MJE182 TO126 TMJE182 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MJE182G Produktcode: 62118
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| MJE182G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 3823 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE182G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 3A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | auf Bestellung 4964 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJE182G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 12.5W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 3A Power dissipation: 12.5W Case: TO225 Current gain: 50...250 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 50MHz | auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE182STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE182STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube | auf Bestellung 2237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE182STU | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 3A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE182STU | FAIRCHILD | Trans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail | auf Bestellung 10557 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE182STU | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE182STU - TRANSISTOR, NPN, 80V, 50MHZ, TO-126 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 5880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE182STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 36 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE182STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube | auf Bestellung 318780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE182STU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 3A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | auf Bestellung 321042 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJE182STU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil | auf Bestellung 6816 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE182STU | FAIRCHILD | Trans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail | auf Bestellung 28720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE182STU | FAIRCHILD | Trans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail | auf Bestellung 36881 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE20 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJE200 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE200 | auf Bestellung 554 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJE200 | Rochester Electronics, LLC | Description: TRANS NPN 40V 5A TO225AA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE200-T | auf Bestellung 1905 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJE200G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE200G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 5A TO-126 Power - Max: 15 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-126 Frequency - Transition: 65MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk | auf Bestellung 4155 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJE200G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE200G | ON | 08+ DIP-8 | auf Bestellung 734 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE200G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W NPN | auf Bestellung 925 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJE200G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE200G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 65MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE200N | LIGHTNING | 08+ TO126 | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE200STU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil | auf Bestellung 3723 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE200STU | FAIRCHILD | Trans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail | auf Bestellung 21120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE200STU | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE200STU - MJE200STU, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 64533 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE200STU | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 5A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 15 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE200STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin TO-126 Tube | auf Bestellung 96092 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE200STU | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 5A TO-126-3 Power - Max: 15 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-126-3 Frequency - Transition: 65MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk | auf Bestellung 99932 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJE200STU | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJE200STU | FAIRCHILD | Trans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail | auf Bestellung 43413 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE200TS | auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJE200TSTU | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 5A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 15 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1920 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE210 | ON | 05+06+ | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE210 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE210 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W PNP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE210 | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 25V 5A SOT-32-3 Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-32-3 Frequency - Transition: 65MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE210 | On Semiconductor | PNP, Uкэ=25V, Iк=5A (10 имп.), h21=10...180, 65МГц, 15Вт, TO-225AA (комплемент. MJE200) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE210 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP Audio Amplifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE210 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE210-STU | auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJE210G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 65MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1836 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE210G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 15 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE210G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W PNP | auf Bestellung 467 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJE210G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE210G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 5A TO-126 Power - Max: 15 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-126 Frequency - Transition: 65MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk | auf Bestellung 143096 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJE210N | LIGHTNING | TO126 08+ | auf Bestellung 70000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE210STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin TO-126 Tube | auf Bestellung 58305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE210STU | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 5A TO-126-3 Power - Max: 15 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-126-3 Frequency - Transition: 65MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJE210STU | auf Bestellung 5250 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJE210STU | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE210STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 58888 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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