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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
ZXMN10A08E6TCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A08E6TCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A08GT
auf Bestellung 20500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A08GTA
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A08GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.58 EUR
2000+0.54 EUR
3000+0.5 EUR
5000+0.48 EUR
7000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A08GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A08GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A08GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A08GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
auf Bestellung 9394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.05 EUR
17+1.3 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A08GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A08GTADiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Channel 2A MOSFET
auf Bestellung 6679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.07 EUR
10+1.3 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A08T6TA
auf Bestellung 2525 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A09KZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A09KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A09KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A09KTCDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET N-CH 100V
auf Bestellung 2504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.99 EUR
10+2.89 EUR
100+2.14 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A09KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 50 V
auf Bestellung 823 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.46 EUR
10+2.87 EUR
100+1.96 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A09KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.63 EUR
112+1.5 EUR
124+1.31 EUR
500+1.15 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A11GDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 3.9
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+2.07 EUR
145+1.61 EUR
206+1.04 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A11GZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A11GDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.98 EUR
163+1.43 EUR
273+0.79 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A11GFTA
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A11GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V
auf Bestellung 90619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.03 EUR
17+1.27 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A11GTADiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Chnl UMOS
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.51 EUR
100+1 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A11GTA
Produktcode: 131543
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A11GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.57 EUR
2000+0.52 EUR
3000+0.5 EUR
5000+0.46 EUR
7000+0.45 EUR
10000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 43000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A11GTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A11KDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A11KDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A11KDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A11KT
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A11KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A11KTCDiodes IncorporatedMOSFETs N-Chan 100V MOSFET (UMOS)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A25ZETEXSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A25GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.9 EUR
102+1.65 EUR
103+1.57 EUR
130+1.2 EUR
250+1.14 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A25GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A25GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.55 EUR
86+2.71 EUR
138+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A25GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
auf Bestellung 22216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.17 EUR
11+2.01 EUR
100+1.36 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A25GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.71 EUR
103+1.68 EUR
130+1.3 EUR
250+1.26 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A25GTADiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Channel 2.9A MOSFET
auf Bestellung 1655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.22 EUR
10+2.05 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A25GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.95 EUR
2000+0.87 EUR
3000+0.83 EUR
5000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A25GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A25GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A25GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.71 EUR
138+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A25KDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A25KDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A25KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A25KTC
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A25KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A25KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.4 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.2 EUR
99+2.37 EUR
141+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A25KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A25KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
auf Bestellung 4509 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4 EUR
10+2.56 EUR
100+1.73 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A25KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A25KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A25KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.4 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.37 EUR
141+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A25KTCDiodes IncorporatedMOSFETs N-Chan 100V MOSFET (UMOS)
auf Bestellung 4326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.02 EUR
10+2.43 EUR
100+1.73 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.29 EUR
2500+1.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10B08E6ZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10B08E6QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10B08E6QTADiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V SOT26 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10B08E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10B08E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10B08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+1.42 EUR
209+1.12 EUR
256+0.84 EUR
500+0.61 EUR
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10B08E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Chnl UMOS
auf Bestellung 3717 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+1.17 EUR
100+0.8 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10B08E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 12583 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
16+1.33 EUR
100+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10B08E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10B08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+1.42 EUR
209+1.12 EUR
256+0.84 EUR
500+0.61 EUR
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10B08E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10B08E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.52 EUR
6000+0.48 EUR
9000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10B08E6TA 10B8DIODES/ZETEXN-MOSFET 1.6A 100V 1.1W 0.23Ω ZXMN10B08E6 TZXMN10b08e6
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10B08E6TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN15A27KT
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN15A27KTC
auf Bestellung 6070 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN15A27KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN15A27KTCDiodes IncorporatedMOSFET ENHANCE MODE MOSFET 150V N-CHANNEL
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN2069FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH SOT23-3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN2088DE6
auf Bestellung 123800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN2088DE6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 6-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN2088DE6TADiodes IncorporatedMOSFETs 20V DUAL SOT23-6 20V VBR MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN2088DE6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN20B28KDiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN20B28K-13
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN20B28KT
auf Bestellung 20500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN20B28KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.56 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN20B28KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN20B28KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.67 EUR
184+1.26 EUR
238+0.9 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN20B28KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V
auf Bestellung 849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.23 EUR
16+1.39 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN20B28KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN20B28KTCDiodes IncorporatedMOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 200V N-CHANNEL
auf Bestellung 24466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.39 EUR
10+1.13 EUR
100+0.79 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN20B28KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN20B28KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.67 EUR
184+1.26 EUR
238+0.9 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN20B28KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN20B28KTCZetex10+ SOT-23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN20B28KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN20B28KTC-13
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN2A01E6Diodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN2A01E6ZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN2A01E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V
auf Bestellung 1633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.21 EUR
20+1.06 EUR
100+0.81 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN2A01E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN2A01E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.12 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.73 EUR
155+1.5 EUR
235+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN2A01E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN2A01E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
585+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 585 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN2A01E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Chnl UMOS
auf Bestellung 4087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.55 EUR
6000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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