Produkte > BSZ
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| BSZ105N04NSG | Infineon Technologies | Description: OPTLMOS POWER-MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ105N04NSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ105N04NSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 29A Power dissipation: 35W Case: PG-TSDSON-8 On-state resistance: 10.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Technology: OptiMOS™ 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ105N04NSGATMA2 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ105N04NSGATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 40V | auf Bestellung 4145 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSZ105N04NSGATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ105N04NSGATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ110N06NS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSZ110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V | auf Bestellung 867 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSZ110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 3873 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ110N06NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.011 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 15593 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 3873 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ110N06NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8 Case: PG-TSDSON-8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 50W Drain current: 20A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 80A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ110N08NS5 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 14891 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ110N08NS5 | Infineon | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSZ110N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 2220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ110N08NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 13858 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ110N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8 Case: PG-TSDSON-8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 50W Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ110N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ110N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ110N08NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 15293 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ110N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 25952 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ110N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 | auf Bestellung 11231 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSZ120P03NS3 G | Infineon | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSZ120P03NS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3 | auf Bestellung 6621 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSZ120P03NS3E G | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ120P03NS3EG | Infineon technologies | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSZ120P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ120P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ120P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ120P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ120P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ120P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3 | auf Bestellung 6850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSZ120P03NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 9000 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1641 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ120P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ120P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ120P03NS3GATMA1 | Infineon | MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ120P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ120P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 9770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ120P03NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 9000 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P3 productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1641 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ120P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V | auf Bestellung 833 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSZ123N08NS3 G | Infineon | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSZ123N08NS3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ123N08NS3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP | auf Bestellung 2331 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ123N08NS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ123N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ123N08NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0123 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 17876 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ123N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc) FET Type: N-Channel Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | auf Bestellung 36285 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSZ123N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 630000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ123N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ123N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ123N08NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0123 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 17876 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ123N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSZ123N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ123N08NS3GATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ123N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ12DN20NS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3 | auf Bestellung 5866 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSZ12DN20NS3G | Infineon Technologies | Description: BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ12DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 531 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ12DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ12DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ12DN20NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 9216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ12DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ12DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 4192 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ12DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 531 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ12DN20NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 9216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ12DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ12DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc) | auf Bestellung 3429 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSZ130N03LS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3 | auf Bestellung 1907 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSZ130N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 15 V | auf Bestellung 25856 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSZ130N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ130N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ130N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 15 V | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSZ130N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 260000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ130N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ130N03LSGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ130N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0108 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ130N03MS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3M | auf Bestellung 475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSZ130N03MSG | Infineon technologies | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSZ130N03MSG | Infineon Technologies | Description: BSZ130N03 - 12V-300V N-CHANNEL P | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ130N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 9870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ130N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ130N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ130N03MSGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ130N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0092 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ130N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 4085 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ130N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ130N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V | auf Bestellung 1188 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSZ130N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 4085 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ130N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ146N10LS5 | Infineon / IR | MOSFETs TRENCH >=100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ146N10LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ146N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 44A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ146N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MV POWER MOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ146N10LS5ATMA1 Produktcode: 208437
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSZ146N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 44A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ146N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ146N10LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ146N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 44A TSDSON | auf Bestellung 9942 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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