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| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| CSD17308Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17308Q3 | Texas Instruments | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17308Q3 . | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 . - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 47 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3 Verlustleistung: 2.7 Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17308Q3T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Case: VSON-CLIP8 Polarisation: unipolar Gate charge: 3.9nC Dimensions: 3.3x3.3mm On-state resistance: 9.4mΩ Power dissipation: 2.7W Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Pulsed drain current: 167A | auf Bestellung 139 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17308Q3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +10V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc) | auf Bestellung 3527 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17308Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17308Q3T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0082 ohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 44 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 28 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3 Verlustleistung: 28 Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082 Rds(on)-Prüfspannung: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17308Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17308Q3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +10V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17308Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17308Q3T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0082 ohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 44 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 28 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3 Verlustleistung: 28 Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082 Rds(on)-Prüfspannung: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17308Q3T Produktcode: 133334
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| CSD17308Q3T | Texas Instruments | MOSFETs 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 11.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150 | auf Bestellung 885 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17309Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17309Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17309Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 4200 µohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 2.8W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm | auf Bestellung 1647 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17309Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 2413 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17309Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17309Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 8V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17309Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17309Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 4200 µohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 2.8W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm | auf Bestellung 1647 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17309Q3 | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET | auf Bestellung 4844 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17309Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17309Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 2413 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17309Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 8V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17310Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +10V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17310Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET | auf Bestellung 3019 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17310Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17310Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17310Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V | auf Bestellung 210329 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17310Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17310Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 3900 µohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V Verlustleistung: 3.1W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 93 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17310Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17310Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17310Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17310Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V | auf Bestellung 8258 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17310Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17310Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 3900 µohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V Verlustleistung: 3.1W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17310Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 521 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17310Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 210329 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17310Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 521 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 43 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17311Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17311Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V | auf Bestellung 2910 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17311Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 7495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17311Q5 | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-Channel NexFET Power MOSFET | auf Bestellung 1646 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17311Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 3.2W; VSON-CLIP8 Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Case: VSON-CLIP8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 2.3mΩ Power dissipation: 3.2W Drain current: 100A Drain-source voltage: 30V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17311Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17311Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17311Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17311Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V | auf Bestellung 7687 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17312Q5 | Texas Instruments | N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5240 @ 15, Qg, нКл = 36 @ 4.5 В, Rds = 1.5 мОм @ 35 А, 8 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SON-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | verfügbar 84 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17312Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 1758 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17312Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5240 pF @ 15 V | auf Bestellung 5154 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17312Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17312Q5 | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-Channel NexFET Power MOSFET | auf Bestellung 1955 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17312Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 1758 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17312Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5240 pF @ 15 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17312Q5 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 100A 8SON Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17312Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17312Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17313Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 1165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17313Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17313Q2 | Texas Instruments | MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17313Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17313Q2 | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17313Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V | auf Bestellung 9255 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17313Q2 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.03 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V Verlustleistung: 2.3W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm | auf Bestellung 1140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17313Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 1165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17313Q2 Produktcode: 126922
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| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| CSD17313Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17313Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17313Q2 | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 42mOhm; 19A; 17W; -55°C ~ 150°C; CSD17313Q2T CSD17313Q2 TCSD17313q2 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| CSD17313Q2 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.03 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V Verlustleistung: 2.3W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm | auf Bestellung 1140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17313Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17313Q2 | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17313Q2T | auf Bestellung 17679 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17313Q2G4 | Texas Instruments | MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17313Q2Q1 | Texas Instruments | MOSFETs Auto 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET | auf Bestellung 2159 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17313Q2Q1 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V | auf Bestellung 1778 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17313Q2Q1 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 1842000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17313Q2Q1 | Wurth Elektronik | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| CSD17313Q2Q1 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17313Q2Q1T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17313Q2Q1T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17313Q2Q1T | Texas Instruments | MOSFETs Automotive 30-V N channel NexFET power MOSFET 6-WSON 0 to 0 | auf Bestellung 633 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17313Q2Q1T | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17313Q2Q1T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON | auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17313Q2Q1T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 57A; 17W; WSON6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 17W Case: WSON6 Gate-source voltage: -8...10V On-state resistance: 42mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 57A Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17313Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17313Q2T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 17W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 17W Bauform - Transistor: WSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17313Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17313Q2T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17313Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17313Q2T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 17W Case: WSON6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 2x2mm | auf Bestellung 1595 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17313Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17313Q2T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 17W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17313Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17313Q2T | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD17313Q2 | auf Bestellung 2736 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17313Q2T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V | auf Bestellung 17776 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17313Q2T | Texas Instruments | N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 15, Qg, нКл = 2,7 @ 4,5 В, Rds = 30 мОм @ 4 A, 8 В, Ugs(th) = 1,8 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,4, 17, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: WDFN-6 (Exp. Pad) Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 250 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17318Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V Power Dissipation (Max): 16W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V | auf Bestellung 12435 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17318Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17318Q2 | Texas Instruments | MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2T | auf Bestellung 5801 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17318Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V Power Dissipation (Max): 16W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17318Q2 | Texas Instruments | N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 25 А, Ptot, Вт = 16, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 879 @ 15, Qg, нКл = 6 @ 4,5 В, Rds = 15,1 мОм @ 8 A, 8 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: WDFN-6 (Exp. Pad) Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 250 Stücke | verfügbar 5 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |