Produkte > DMG
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMG3406L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 84000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3406L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23 On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Drain current: 2.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT23 | auf Bestellung 4427 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3406L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 768000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3406L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 141000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3406L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG3406L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 770mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 770mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DMG3406L productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3406L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 15 V | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3406L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 50mOhm 10V 3.6A | auf Bestellung 18794 Stücke: Lieferzeit 290-294 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3406L-7-ML | MOSLEADER | Description: N 30V 3.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3407SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3407SSN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 4A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | auf Bestellung 2044 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3407SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3407SSN-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -30A; 1.1W; SC59 On-state resistance: 72mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 1.1W Gate charge: 16nC Polarisation: unipolar Drain current: -3.6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SC59 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3407SSN-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS | auf Bestellung 3937 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3407SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3407SSN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 4A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3407SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3407SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3413L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG3413L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 3090 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3413L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS | auf Bestellung 3174 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3413L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 717000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3413L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG3413L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 3090 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3413L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857 pF @ 10 V | auf Bestellung 725961 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3413L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 723000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3413L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 705000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3413L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857 pF @ 10 V | auf Bestellung 723000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3413L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3414U | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG3414U - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV Verlustleistung: 780mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm | auf Bestellung 730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3414U | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 20V 4.2A 25mΩ 780mW DMG3414U Diodes TDMG3414u Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3414U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V | auf Bestellung 96000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3414U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 612 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 612 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3414U-7 | Diodes | N-Channel 20 V 4.2A (Ta) 780mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3414U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 612 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 612 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3414U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V | auf Bestellung 99029 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3414U-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch 20V VDSS 8 Vgss 30A IDM | auf Bestellung 10822 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3414U-7 Produktcode: 197913
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DMG3414U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3414U-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A Power dissipation: 0.78W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3414UQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3414UQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3414UQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3414UQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 780mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 0.78W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.6nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3414UQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 780mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 0.78W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.6nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3414UQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG3414UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 780mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3414UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8935 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3414UQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3414UQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG3414UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 780mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3414UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3414UQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | auf Bestellung 21640 Stücke: Lieferzeit 290-294 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3415U | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3415U-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH DFN-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3415U-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | auf Bestellung 7901 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3415U-7 | DIODES/ZETEX | P-MOSFET 20V 4A 39mΩ 900mW DMG3415U Diodes TDMG3415u Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3415U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3415U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V | auf Bestellung 136971 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3415U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3415U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3415U-7 Produktcode: 138016
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DMG3415U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 93000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3415U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 93000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3415U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V | auf Bestellung 135000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3415U-7 | Diodes Inc./Zetex | P-Channel 20V 4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3415U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3415U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 129000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3415U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 70 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3415UFY4-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A 3-Pin DFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3415UFY4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET P-CHAN. | auf Bestellung 5763 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3415UFY4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN2015H4-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2015H4-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281.9 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3415UFY4Q | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3415UFY4Q-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R | auf Bestellung 402000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3415UFY4Q-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R | auf Bestellung 1992 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3415UFY4Q-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN2015-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3415UFY4Q-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 16V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: X2-DFN2015 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3415UFY4Q-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3415UFY4Q-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R | auf Bestellung 1992 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3415UFY4Q-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3415UFY4Q-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W | auf Bestellung 11203 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3415UFY4Q-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN2015-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 33532 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3415UFY4Q-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 16V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: X2-DFN2015 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3415UFY4Q-7-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3415UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 777045 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3415UQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG3415UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3415UQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3415UQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2874000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3415UQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K | auf Bestellung 11599 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3415UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 777000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3415UQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG3415UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3415UQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3415UQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 273000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3418L | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3418L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3418L-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh FET 30V 12Vgss 4.0A 1.4W | auf Bestellung 9850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3418L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464.3 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3418L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 357000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3418L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3418L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh FET 30V 12Vgss 4.0A 1.4W | auf Bestellung 8904 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3418L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464.3 pF @ 15 V | auf Bestellung 83650 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3418L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3418L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| DMG3418L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG3418L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464.3 pF @ 15 V | auf Bestellung 83673 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|