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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RJK0660DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 40A 8WPAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-WPAK
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0701DPN-E0#T2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Supplier Device Package: TO-220AB
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 12407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
78+7.63 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0701DPP-E0#T2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Supplier Device Package: TO-220FP
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
78+7.63 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0702DPN-E0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
auf Bestellung 14917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0702DPP-E0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 75V 90A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Supplier Device Package: TO-220FP
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
114+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0703DPN-A0#T2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 75V 70A TO220ABA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0703DPN-A0#T2Renesas ElectronicsMOSFET POWER TRS1 LV-MOS TO220ABS MOS TRENCH D1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0703DPN-E0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 75V 70A TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0703DPN-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0703DPP-A0#T2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 75V 70A TO220FPA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0703DPP-A0#T2Renesas ElectronicsMOSFETs POWER TRS1 LV-MOS TO220FP
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.54 EUR
10+5.59 EUR
100+4.16 EUR
500+3.5 EUR
1000+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0703DPP-E0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 75V 70A TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0703DPP-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0822SPN
Produktcode: 67008
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8542 39 90 00
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0822SPN
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0851DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0851DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFET JET Series MOSFET, 80V, LFPAK, Pb-F, HF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0851DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0851DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0852DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V
auf Bestellung 3194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.59 EUR
10+4.28 EUR
100+2.99 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0852DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 80V 30A 12mohm LFPAK56
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0852DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0852DPB-00-J5RENESAS
auf Bestellung 3879 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0853DPB-00#J5RENESASDescription: RENESAS - RJK0853DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 8000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 2428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.38 EUR
52+4.47 EUR
100+3.24 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0853DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6170 pF @ 10 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0853DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 80V 40A 8mohm LFPAK56
auf Bestellung 9384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.31 EUR
10+4.8 EUR
100+3.37 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.78 EUR
2500+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0853DPB-00#J5RENESASDescription: RENESAS - RJK0853DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 8000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 2428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.24 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0853DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6170 pF @ 10 V
auf Bestellung 4395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.85 EUR
10+4.5 EUR
100+3.15 EUR
500+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0854DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 80V LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0854DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 80V LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0854DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 80V LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0854DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 80V 25A 13mohm LFPAK56
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0855DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0855DPB-00#J5RENESASDescription: RENESAS - RJK0855DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0855DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0855DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 80V 30A 11mohm LFPAK56
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
1000+2.12 EUR
2500+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0855DPB-00#J5RENESASDescription: RENESAS - RJK0855DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0855DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0856DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0856DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1001DPN-E0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
auf Bestellung 3363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
78+7.63 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1001DPP-A0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220FPA
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220ABA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 30W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1001DPP-A0#T2Renesas ElectronicsMOSFETs POWER TRS1 LV-MOS TO220FP MOS TRENCH D12
auf Bestellung 356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.74 EUR
10+9.87 EUR
100+7.91 EUR
500+6.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1001DPP-E0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220FP
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1002DPN-A0#T2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 100V 70A TO220ABA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1002DPN-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1002DPN-E0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 100V 70A TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1002DPP-A0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1002DPP-A0#T2Renesas ElectronicsMOSFETs POWER TRS1 LV-MOS TO220FP MOS TRENCH D12
auf Bestellung 349 Stücke:
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1+10.89 EUR
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RJK1002DPP-E0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 100V 70A TO220
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RJK1002DPP-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
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RJK1003DPN-A0#T2Renesas ElectronicsMOSFET POWER TRANSISTOR 100V POWER MOSFET
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RJK1003DPN-A0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH TO220
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RJK1003DPN-E0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO220
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RJK1003DPN-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
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RJK1003DPP-A0#T2Renesas ElectronicsMOSFETs POWER TRS1 LV-MOS TO220FP MOS TRENCH D12
auf Bestellung 629 Stücke:
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RJK1003DPP-A0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO220FPA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220ABA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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RJK1003DPP-E0#T2RenesasDescription: RJK1003DPP - N-CHANNEL MOSFET 10
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V
auf Bestellung 3408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
125+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
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RJK1003DPP-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
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RJK1008DPN-00#02Renesas ElectronicsRenesas Electronics
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RJK1008DPP
auf Bestellung 85 Stücke:
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RJK1008DPP-E0#T2Renesas ElectronicsRenesas Electronics
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RJK1021DPE-00#J3Renesas ElectronicsRenesas Electronics
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RJK1028DNS-00#J5Renesas ElectronicsMOSFETs MOSFET, 30V, 3x3 pkg
auf Bestellung 4583 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.14 EUR
10+1.98 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.92 EUR
2500+0.86 EUR
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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RJK1028DNS-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: ABU / MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
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RJK1028DNS-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: ABU / MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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RJK1035
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RJK1051DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK
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RJK1051DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK
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RJK1051DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFET JET Series MOSFET, 100V, LFPAK, Pb-F, HF
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RJK1052DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 10 V
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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RJK1052DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFET JET Series MOSFET, 100V, LFPAK, Pb-F, HF
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RJK1052DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 10 V
auf Bestellung 4073 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.9 EUR
10+4.07 EUR
100+3.25 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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RJK1053DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 100V 25A 13mohm LFPAK56
auf Bestellung 4940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.9 EUR
10+4.13 EUR
25+3.89 EUR
100+3.17 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.56 EUR
2500+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1053DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1053DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1053DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1054DPB-00#J5Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1054DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFET JET Series MOSFET, 100V, LFPAK, Pb-F, H
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1054DPB-00#J5Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1054DPB-WS#J5Renesas Electronics America IncDescription: IGBT
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1055DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1055DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 100V 23A 17mohm LFPAK56
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.88 EUR
10+3.86 EUR
100+2.95 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.49 EUR
2500+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1055DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
auf Bestellung 7335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.2 EUR
10+4.71 EUR
100+3.3 EUR
500+2.69 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1055DPB-WS#J5Renesas Electronics America IncDescription: IGBT
Part Status: Obsolete
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1056DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
auf Bestellung 2259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.47 EUR
10+4.24 EUR
100+2.96 EUR
500+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1056DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFETs Power MOSFET
auf Bestellung 931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.55 EUR
10+4.61 EUR
100+3.69 EUR
250+3.39 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.64 EUR
2500+2.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1056DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1211DNS-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1865000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
153+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1211DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 120V 5A WPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1212DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 120V 3A WPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1525DPP-MG#T2Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
41+15.68 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1525DPS
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1525DPS-00#T2Renesas Electronics
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1525DPS-00#T2Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
285+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1525DPS-00#T2RenesasSilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+2.7 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1526
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1529DPK
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1535DPE-LERenesas Electronics CorporationDescription: 40A, 150V, 0.052OHM, N-CHANNEL M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LDPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 100W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-83
Packaging: Bulk
auf Bestellung 7899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
94+6.3 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK1535DPE-LERENESASTO263/2.5
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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