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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SSM3J135TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3A UFM
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J135TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J135TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J135TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J135TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.103 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+1.09 EUR
344+0.68 EUR
535+0.4 EUR
715+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J13TTOSHIBA
auf Bestellung 7080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J13T(TE85L)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J13T(TE85L.F)
auf Bestellung 2870 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J13T(TE85LF)
auf Bestellung 4170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J13T TOSHIBASOT-23 07+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J140TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4.4A 3-Pin UFM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J140TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
auf Bestellung 2626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
26+0.81 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J140TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4.4A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 1478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+0.86 EUR
237+0.73 EUR
305+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J140TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J140TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4.4A 3-Pin UFM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J140TU,LFToshibaMOSFETs X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4.4A
auf Bestellung 1534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.5 EUR
10+0.68 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J140TU,LXHFToshibaMOSFETs SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4.4A
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.62 EUR
10+0.99 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J140TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J140TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J143TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J143TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-5.5A
auf Bestellung 6601 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.54 EUR
10+0.4 EUR
100+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J143TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J143TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J143TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J143TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
auf Bestellung 5275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
29+0.75 EUR
100+0.51 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J143TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J143TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J143TU,LXHFToshibaMOSFET SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-5.5A
auf Bestellung 4860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.86 EUR
10+0.74 EUR
100+0.51 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.27 EUR
9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J143TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.19 EUR
27+0.79 EUR
100+0.51 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J144TU,LF
Produktcode: 173097
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J144TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J144TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.11 EUR
31+0.69 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J144TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
745+0.24 EUR
1270+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 745 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J144TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.2A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J144TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J144TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J144TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
588+0.3 EUR
745+0.23 EUR
1270+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 588 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J144TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J144TU,LXHFToshibaMOSFETs SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.2A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J144TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J144TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.093 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+1.18 EUR
229+1.01 EUR
249+0.87 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J144TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J144TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.093 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+1.18 EUR
229+1.01 EUR
249+0.87 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J145TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3A UFM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J145TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3A 3-Pin UFM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J145TU,LFToshibaMOSFETs X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3A
auf Bestellung 2654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.02 EUR
10+0.64 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J145TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J145TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3A 3-Pin UFM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J145TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3A UFM
auf Bestellung 5827 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
35+0.62 EUR
100+0.42 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J145TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J145TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
35+0.6 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J145TU,LXHFToshibaMOSFETs SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3A U
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.52 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J145TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J145TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J145TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.103 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
280+0.89 EUR
459+0.51 EUR
700+0.31 EUR
918+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 280 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J145TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J145TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.103 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
280+0.89 EUR
459+0.51 EUR
700+0.31 EUR
918+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 280 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J145TULXHF(TToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J14TToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J14TTOSHIBA
auf Bestellung 7130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J14T/KDL
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J14TTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 413 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J14TTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 413 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15CT
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15CT(TPL3)ToshibaMOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -1.0A -30V -20VGS
auf Bestellung 2632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
auf Bestellung 60872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.46 EUR
75+0.29 EUR
120+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
2000+0.1 EUR
5000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15CT,L3FToshibaMOSFETs Small Low Ron Pch MOSFETs Vdss:-30V, Id:-0.1A, Pd: 0.1W
auf Bestellung 18745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.48 EUR
12+0.29 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.11 EUR
2500+0.096 EUR
10000+0.071 EUR
20000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.079 EUR
20000+0.071 EUR
30000+0.067 EUR
50000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15F,LFToshibaMOSFETs Sm-signal/Hi-Speed S-Mini (SOT-346)
auf Bestellung 10588 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.42 EUR
14+0.25 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.099 EUR
3000+0.082 EUR
6000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
auf Bestellung 15073 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
84+0.25 EUR
135+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.083 EUR
6000+0.074 EUR
9000+0.07 EUR
15000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15F,LF(BToshibaSSM3J15F,LF(B
auf Bestellung 5939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1802+0.099 EUR
2500+0.094 EUR
5000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 1802 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15F,LF(BToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15F,LF(BToshibaSSM3J15F,LF(B
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15F,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J15F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 12 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: p-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
404+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 404 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15F,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J15F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 12 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: p-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
404+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 404 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FSTOSHIBASOT423
auf Bestellung 83535 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FS(TE85L,F)TOSHIBA
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
auf Bestellung 17595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
80+0.26 EUR
129+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
auf Bestellung 16200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.087 EUR
6000+0.077 EUR
9000+0.073 EUR
15000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FS,LF(BToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FS,LF(BToshibaSSM3J15FS,LF(B
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 154 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FS,LF(BToshibaSSM3J15FS,LF(B
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1725 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J15FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 12 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
596+0.42 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 596 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J15FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 12 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 100mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
596+0.42 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 596 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FU
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.087 EUR
6000+0.077 EUR
9000+0.073 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
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50+0.42 EUR
80+0.26 EUR
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SSM3J15FU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
auf Bestellung 25743 Stücke:
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SSM3J15FVToshibaToshiba
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SSM3J15FVTOSHIBA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FV,L3FToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
auf Bestellung 16042 Stücke:
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7+0.54 EUR
11+0.31 EUR
100+0.19 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
2500+0.1 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
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485+0.37 EUR
730+0.24 EUR
737+0.23 EUR
1676+0.095 EUR
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1707+0.086 EUR
3068+0.045 EUR
6000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 485 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 29854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1693+0.1 EUR
1707+0.1 EUR
3068+0.056 EUR
3096+0.055 EUR
6000+0.048 EUR
15000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 1693 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
84+0.25 EUR
117+0.18 EUR
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SSM3J15FV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J15FV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 12 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
auf Bestellung 26908 Stücke:
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582+0.43 EUR
944+0.25 EUR
1511+0.14 EUR
2646+0.081 EUR
4000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 582 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FV,L3F(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 19240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
986+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 986 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15TETOSHIBA
auf Bestellung 10200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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