Produkte > SSM
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SSM3J327R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23F Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 67463 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J327R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23F Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J327R,LF | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J327R,LF | Toshiba | MOSFETs Small-Signal MOSFET | auf Bestellung 11879 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J327R,LF(B | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 107 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J327R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3J327R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.093 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm | auf Bestellung 8635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J327R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 8925 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J327R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J327R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3J327R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.093 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0785ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 8635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J327R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J327R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 1848 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J327RLF(T | Toshiba | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J328R | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J328R,JF | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 1924 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J328R,LF | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 2398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J328R,LF | Toshiba | SSM3J328R,LF Транзистори | auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J328R,LF | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J328R,LF | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 2398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J328R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V | auf Bestellung 253640 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J328R,LF | Toshiba | MOSFETs P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS | auf Bestellung 38950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J328R,LF | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J328R,LF | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J328R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V | auf Bestellung 253475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J328R,LF(B | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J328R,LF(B | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F | auf Bestellung 182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 182 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J328R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm | auf Bestellung 14445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J328R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 1064 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J328R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J328R,LF(T | TOSHIBA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; SOT23F; ESD Version: ESD Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT23F Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Gate charge: 12.8nC On-state resistance: 88.4mΩ Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J328R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J328R,LF(T | Toshiba | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 29.8mOhm; 6A; 1W; -55°C~150°C; Substitute: SSM3J328R,LF(B; SSM3J328R,LF(T; SSM3J328RLF; SSM3J328R; SSM3J328R,LF(T TSSM3j328r Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J328R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0249ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 18645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J328R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 301 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J328RLF(T | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J331R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J331R,LF | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J331R,LF | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 115 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J331R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V | auf Bestellung 76889 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J331R,LF | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J331R,LF | Toshiba | MOSFETs P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF | auf Bestellung 6425 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J331R,LF | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J331R,LF(B | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F | auf Bestellung 1095 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J331R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3J331R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.055 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 15497 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J331R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 1535 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J331R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J331R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3J331R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.055 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 15497 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J331R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J331R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J331RLF(T | Toshiba | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J332R | UMW | Description: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J332R | UMW | Description: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | auf Bestellung 644 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J332R | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| SSM3J332R KFJ. | Toshiba | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 42mOhm; 6A; 1W; -55°C~150°C; Substitute: SSM3J332R,LXGF(T; SSM3J332R,LF(T; SSM3J332R TSSM3j332r Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J332R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V | auf Bestellung 7892 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J332R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J332R,LF | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J332R,LF | Toshiba | P-канальний ПТ, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 560 @ 15, Qg, нКл = 8,2 @ 4,5 В, Rds = 42 мОм @ 5 A, 10 В, Ugs(th) = 1,2 В @ 1 мА, Р, Вт = 1, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23F-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J332R,LF | Toshiba | MOSFETs SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS | auf Bestellung 104356 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J332R,LF | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 3996 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J332R,LF(B | Toshiba | MOSFET Silicon P-Channel Mos | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J332R,LF(B | Toshiba | MOSFET Silicon P-Channel Mos | auf Bestellung 11000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J332R,LF(T | TOSHIBA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F; ESD Version: ESD Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT23F Drain-source voltage: -30V Drain current: -6A Gate charge: 8.2nC On-state resistance: 144mΩ Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±12V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 4360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J332R,LF(T | Toshiba | P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 560, Qg, нКл = 8,2, Rds = 144 мОм, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT23F Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J332R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm | auf Bestellung 14475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J332R,LF(T Produktcode: 170575
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| SSM3J332R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J332R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J332R,LF(T | Toshiba | MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J332R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm | auf Bestellung 14475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J332R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J332RLF(T | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J334R | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J334R,LF | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J334R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V | auf Bestellung 72008 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J334R,LF | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 7499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J334R,LF | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 2127 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J334R,LF | Toshiba | MOSFETs P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -30VDSS 280pF | auf Bestellung 45304 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J334R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V | auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J334R,LF | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 7499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J334R,LF(B | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F | auf Bestellung 4675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J334R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3J334R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.071 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm | auf Bestellung 3505 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J334R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 7578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J334R,LF(T | Toshiba | MOSFET P-Ch 30V 4A 1.8V Drive SOT-23F Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J334R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3J334R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.071 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J334RLF(T | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J338R | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J338R,LF | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 12V 6A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J338R,LF | Toshiba | MOSFETs Small-signal MOSFET Vdss= -12V, ID= -6A | auf Bestellung 74775 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J338R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 6A, 8V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 6 V | auf Bestellung 74745 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J338R,LF | Toshiba | SSM3J338R,LF SSM3J338R MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J338R,LF | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 12V 6A 3-Pin SOT-23F T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J338R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 6A, 8V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 6 V | auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J338R,LF Produktcode: 127792
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| SSM3J338R,LF : SSM3J338R,LF(T | Toshiba | MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J338R,LF(B | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 12V 6A 3-Pin SOT-23F | auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J338R,LF(B | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 12V 6A 3-Pin SOT-23F | auf Bestellung 1872 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J338R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3J338R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.0176 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0139ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0176ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 60056 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J338R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 12V 6A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 6777 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| SSM3J338R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3J338R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.0176 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0176ohm | auf Bestellung 57026 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3J338RLF(T | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |