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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FCP190N60EOn SemiconductorMOSFET N-CH 600V TO220-3 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP190N60EonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V
auf Bestellung 8632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.04 EUR
50+4.7 EUR
100+4.28 EUR
500+3.55 EUR
1000+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP190N60E
Produktcode: 152423
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP190N60_GF102Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V TO-220-3
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP190N60_GF102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP190N65FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+4.41 EUR
500+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP190N65FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3225 pF @ 25 V
auf Bestellung 25369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.25 EUR
50+5.38 EUR
100+4.9 EUR
500+4.08 EUR
1000+3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP190N65FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.6A; Idm: 61.8A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.6A
Power dissipation: 208W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 61.8A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP190N65FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP190N65FON Semiconductor
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP190N65FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 40800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP190N65FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+4.41 EUR
500+4.14 EUR
1000+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP190N65FonsemiMOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.35 EUR
10+4.84 EUR
100+4.5 EUR
500+4 EUR
5000+3.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP190N65FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.33 EUR
100+3.13 EUR
500+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP190N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP190N65S3onsemiMOSFETs SuperFET3 650V 190 mOhm, TO220F PKG
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.04 EUR
10+4.32 EUR
100+3.8 EUR
500+3.19 EUR
1000+3.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP190N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.54 EUR
50+4.4 EUR
100+4.01 EUR
500+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP190N65S3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17A; Idm: 42.5A; 144W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Power dissipation: 144W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42.5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP190N65S3ON Semiconductor
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP190N65S3R0onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
auf Bestellung 1063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.13 EUR
50+2.53 EUR
100+2.28 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP190N65S3R0ONSEMIDescription: ONSEMI - FCP190N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 144W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.47 EUR
61+3.86 EUR
100+2.42 EUR
500+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP190N65S3R0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17A; Idm: 42.5A; 144W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Power dissipation: 144W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42.5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP190N65S3R0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP190N65S3R0ON Semiconductor
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP190N65S3R0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP190N65S3R0onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO220 PKG
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.02 EUR
10+2.49 EUR
100+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP1913H104GCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP1913H104G-E2Knowles / Illinois CapacitorFilm Capacitors 0.1uF 50V
auf Bestellung 2654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.61 EUR
10+3.28 EUR
50+2.68 EUR
100+2.49 EUR
500+1.96 EUR
1500+1.89 EUR
3000+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP1913H104G-E2Cornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913
Size / Dimension: 0.189" L x 0.130" W (4.80mm x 3.30mm)
Capacitance: 0.1 µF
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.083" (2.10mm)
Voltage Rating - DC: 50V
Dielectric Material: Polyphenylene Sulfide (PPS)
Termination: Solder Pads
Applications: High Frequency, Switching
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 1913 (4833 Metric)
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2944 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP1913H104G-E2Cornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.1uF 50V
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+3.5 EUR
50+3.22 EUR
100+2.67 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.88 EUR
2000+1.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP1913H104G-E2Cornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 1913 (4833 Metric)
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Size / Dimension: 0.189" L x 0.130" W (4.80mm x 3.30mm)
Capacitance: 0.1 µF
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.083" (2.10mm)
Voltage Rating - DC: 50V
Dielectric Material: Polyphenylene Sulfide (PPS)
Termination: Solder Pads
Applications: High Frequency, Switching
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
auf Bestellung 2944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.46 EUR
10+3.61 EUR
50+3.14 EUR
100+2.75 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP1913H104G-E3Cornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP1913H104JCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.1UF 50VDC 1913
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP1913H104J-E2Knowles / Illinois CapacitorFilm Capacitors 1913 50V .1uF
auf Bestellung 3435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.72 EUR
10+2.53 EUR
50+2.05 EUR
100+1.64 EUR
500+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP1913H104J-E2Cornell Dubilier KnowlesDescription: CAP FILM 0.1UF 5% 50VDC 1913
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: 1913 (4833 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: High Frequency, Switching
Termination: Solder Pads
Dielectric Material: Polyphenylene Sulfide (PPS)
Voltage Rating - DC: 50V
Height - Seated (Max): 0.091" (2.30mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.1 µF
Size / Dimension: 0.189" L x 0.130" W (4.80mm x 3.30mm)
auf Bestellung 9055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.71 EUR
10+2.51 EUR
50+2.03 EUR
100+1.89 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP1913H104J-E2Cornell DubilierCap Film 0.1uF 50V PPS 5% (4.8 X 3.3 X 2mm) Stacked 125°C T/R
auf Bestellung 1798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.02 EUR
186+0.9 EUR
188+0.86 EUR
200+0.77 EUR
250+0.74 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP1913H104J-E2Cornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 1913 50V .1uF
auf Bestellung 1630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.01 EUR
10+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP1913H104J-E2Cornell Dubilier KnowlesDescription: CAP FILM 0.1UF 5% 50VDC 1913
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1913 (4833 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: High Frequency, Switching
Termination: Solder Pads
Dielectric Material: Polyphenylene Sulfide (PPS)
Voltage Rating - DC: 50V
Height - Seated (Max): 0.091" (2.30mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.1 µF
Size / Dimension: 0.189" L x 0.130" W (4.80mm x 3.30mm)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.65 EUR
6000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP1913H104J-E2Cornell DubilierCap Film 0.1uF 50V PPS 5% (4.8 X 3.3 X 2mm) Stacked 125°C T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP1913H104J-E3Cornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.1UF 5% 50VDC 1913
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP1913H473GCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.047UF 2% 50VDC 1913
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP1913H473G-E1Cornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.047UF 2% 50VDC 1913
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP1913H473G-E1Cornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .047uF 50V 2%
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP1913H473JCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.047UF 5% 50VDC 1913
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP1913H473J-E1Knowles / Illinois CapacitorFilm Capacitors 1913 50V 0.047uF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP1913H473J-E1Cornell Dubilier KnowlesDescription: CAP FILM 0.047UF 5% 50VDC 1913
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: 1913 (4833 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: High Frequency, Switching
Termination: Solder Pads
Dielectric Material: Polyphenylene Sulfide (PPS)
Voltage Rating - DC: 50V
Height - Seated (Max): 0.067" (1.70mm)
Capacitance: 0.047 µF
Size / Dimension: 0.189" L x 0.130" W (4.80mm x 3.30mm)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.57 EUR
6000+1.52 EUR
9000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP1913H473J-E1Cornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 1913 50V 0.047uF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP1913H473J-E1Cornell Dubilier KnowlesDescription: CAP FILM 0.047UF 5% 50VDC 1913
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1913 (4833 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: High Frequency, Switching
Termination: Solder Pads
Dielectric Material: Polyphenylene Sulfide (PPS)
Voltage Rating - DC: 50V
Height - Seated (Max): 0.067" (1.70mm)
Capacitance: 0.047 µF
Size / Dimension: 0.189" L x 0.130" W (4.80mm x 3.30mm)
auf Bestellung 9920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.92 EUR
10+2.67 EUR
50+2.17 EUR
100+2.01 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FCP1913H563GCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.056UF 2% 50VDC 1913
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FCP1913H563G-E1Cornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.056UF 2% 50VDC 1913
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FCP1913H563G-E1Cornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.056uF 50Volts
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FCP1913H563G-E2Cornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.056UF 2% 50VDC 1913
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FCP1913H563JCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.056UF 5% 50VDC 1913
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FCP1913H563J-E1Cornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.056uF 50Volts
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FCP1913H563J-E1Cornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.056UF 5% 50VDC 1913
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FCP1913H563J-E2Cornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.056UF 5% 50VDC 1913
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FCP1913H683GCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.068UF 2% 50VDC 1913
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FCP1913H683G-E1Cornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.068UF 2% 50VDC 1913
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FCP1913H683G-E1Cornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.068uF 50Volts
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FCP1913H683G-E2Cornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.068UF 2% 50VDC 1913
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FCP1913H683JCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.068UF 5% 50VDC 1913
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FCP1913H683J-E1Cornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.068uF 50Volts
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FCP1913H683J-E1Cornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.068UF 5% 50VDC 1913
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FCP1913H683J-E2Cornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.068UF 5% 50VDC 1913
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FCP1913H823GCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.082UF 2% 50VDC 1913
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FCP1913H823G-E2Cornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.082UF 2% 50VDC 1913
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FCP1913H823G-E2Cornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.082uF 50Volts
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FCP1913H823G-E4Cornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.082UF 2% 50VDC 1913
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FCP1913H823JCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.082UF 5% 50VDC 1913
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FCP1913H823J-E2Cornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.082UF 5% 50VDC 1913
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FCP1913H823J-E2Cornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.082uF 50Volts
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FCP1913H823J-E4Cornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.082UF 5% 50VDC 1913
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FCP20N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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1000+7.63 EUR
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FCP20N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FCP20N60onsemiMOSFETs 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 1114 Stücke:
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1+13.17 EUR
10+8.82 EUR
100+7.08 EUR
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FCP20N60On SemiconductorFCP20N60 N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3 Транзистори
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FCP20N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 1166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.27 EUR
50+6.56 EUR
100+6.01 EUR
500+5.03 EUR
1000+4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FCP20N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.66 EUR
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FCP20N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FCP20N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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1000+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FCP20N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.9 EUR
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FCP20N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.95 EUR
13+6.82 EUR
17+5.31 EUR
50+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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FCP20N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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FCP20N60.ONSEMIDescription: ONSEMI - FCP20N60. - N CHANNEL MOSFET, 600V, 20A, TO-220
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+9.82 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FCP20N60FSonsemi / FairchildMOSFETs 600V NH MOSFET FRFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60FSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FCP20N60_F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60_GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
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FCP21N60NonsemiDescription: FCP21N60 - N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
114+4.68 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP21N60NON Semiconductor / FairchildMOSFET 600V, NCH MOSFET
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP21N60NONSEMIDescription: ONSEMI - FCP21N60N - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 796 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP21N60NFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
auf Bestellung 19389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
114+4.68 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP21N60NonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP220N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP220N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 23A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.3mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP220N80ONN
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FCP220N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP220N80onsemi / FairchildMOSFET 800V 23A N-Channel SuperFET II MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP22N60NONS/FAIMosfet N-ch 600V 22A TO-220 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP22N60NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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