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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDD10AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.42 EUR
5000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD10AN06A0ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 27mΩ
Power dissipation: 135W
Gate charge: 4.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
auf Bestellung 1628 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+2.06 EUR
45+1.9 EUR
48+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD10AN06A0onsemiMOSFETs 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V
auf Bestellung 8084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.3 EUR
10+3.44 EUR
100+2.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD10AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD10AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD10AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.58 EUR
81+2.13 EUR
82+2.06 EUR
113+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD10AN06A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD10AN06A0-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V, 50A, 10.5mOhm Power Trench MOSFET
auf Bestellung 6044 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD10AN06A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD10AN06A0QFairchild SemiconductorDescription: 1-ELEMENT, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
auf Bestellung 1084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
102+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD10AN06A0QON SemiconductorFDD10AN06A0Q
auf Bestellung 1084 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+4.87 EUR
500+4.55 EUR
1000+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD10AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD10AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD10AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD10AN06AOFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD10N20LZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD10N20LZTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD10N20LZTMonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel MOSFET, UniFET
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.93 EUR
10+1.69 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD12-03S4CHINFA ELECTRONICSCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 10W; Uin: 10÷36VDC; Uout: 3.3VDC; Iout: 3A; FDD12
Manufacturer series: FDD12
Operating temperature: -25...71°C
Insulation voltage: 1.5kV DC
Power: 10W
Output voltage: 3.3V DC
Input voltage: 10...36V DC
Output current: 3A
Type of converter: DC/DC
Protection: short circuit protection SCP
Body dimensions: 50.8x50.8x12mm
Efficiency: 78%
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD12-03S5CHINFA ELECTRONICSCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 10W; Uin: 18÷72VDC; Uout: 3.3VDC; Iout: 3A; FDD12
Manufacturer series: FDD12
Operating temperature: -25...71°C
Insulation voltage: 1.5kV DC
Power: 10W
Output voltage: 3.3V DC
Input voltage: 18...72V DC
Output current: 3A
Type of converter: DC/DC
Protection: short circuit protection SCP
Body dimensions: 50.8x50.8x12mm
Efficiency: 80%
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD12-0512T5
Produktcode: 165577
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Netzteile und Ladegeräte > Blocks DC_DC Wandler
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD12-0515T4
Produktcode: 91847
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD12-15S4CHINFA ELECTRONICSCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 12W; Uin: 10÷36VDC; Uout: 15VDC; Iout: 800mA; FDD12
Manufacturer series: FDD12
Operating temperature: -25...71°C
Insulation voltage: 1.5kV DC
Power: 12W
Output voltage: 15V DC
Input voltage: 10...36V DC
Output current: 0.8A
Type of converter: DC/DC
Protection: short circuit protection SCP
Body dimensions: 50.8x50.8x12mm
Efficiency: 80%
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+39.6 EUR
5+36.57 EUR
25+30.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD120AN15A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD120AN15A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD120AN15A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD120AN15A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.12 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 2360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3 EUR
132+1.76 EUR
199+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD120AN15A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.65 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD120AN15A0ON-SemiconductorN-Channel 150V 2.8A (Ta), 14A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount DPAK FDD120AN15A0 ON Semiconductor TFDD120an15a0
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD120AN15A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.65 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD120AN15A0onsemiMOSFETs 150V 14a 0.120 Ohm
auf Bestellung 3595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.25 EUR
10+2 EUR
100+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD120AN15A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD120AN15A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.12 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 2360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+3 EUR
132+1.76 EUR
199+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD120AN15A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
222+0.79 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD120AN15A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD120AN15A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD120AN15A0ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 65W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 282mΩ
Power dissipation: 65W
Gate charge: 14.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
auf Bestellung 1379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+1.81 EUR
60+1.44 EUR
68+1.25 EUR
94+0.9 EUR
108+0.79 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD120AN15A0-F085onsemi / FairchildMOSFET 14A 150V MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD120AN15A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD120AN15A0-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD120AN15A0-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.0905 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 14
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0905
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD120AN15A0-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 14A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD120AN15A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD120AN15A0_F085onsemiDescription: FDD120AN15A0_F085
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FDD120AN15AO
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDD13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 13577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
303+2.15 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.73 EUR
10000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 303 Stücke
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FDD13AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD13AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.2 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDD13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
303+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 303 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.33 EUR
5000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD13AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.84 EUR
67+3.5 EUR
100+2.2 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.25 EUR
90+1.87 EUR
91+1.8 EUR
107+1.46 EUR
250+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 34mΩ
Power dissipation: 115W
Gate charge: 29nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+3.3 EUR
37+2.31 EUR
44+1.95 EUR
50+1.71 EUR
100+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0FairchildN-Channel 60V 9.9A (Ta), 50A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount DPAK FDD13AN06A0 ON Semiconductor TFDD13an06a0
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.33 EUR
5000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.25 EUR
90+1.92 EUR
91+1.86 EUR
107+1.54 EUR
250+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0onsemiMOSFETs N-Channel PwrTrench
auf Bestellung 3360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.9 EUR
10+3.17 EUR
100+2.24 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.68 EUR
2500+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.99 EUR
10+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
303+2.15 EUR
500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 303 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; TO252AA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252AA
On-state resistance: 13.5mΩ
Power dissipation: 115W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0-F085onsemiMOSFETs Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab
auf Bestellung 10672 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.16 EUR
10+2.68 EUR
100+1.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD13AN06A0-F085 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
10+2.71 EUR
100+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
auf Bestellung 225212500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
auf Bestellung 2252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13N06A0fairchild07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD14AN06A0FAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD14AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+4.34 EUR
500+4.07 EUR
1000+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD14AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+4.34 EUR
500+4.07 EUR
1000+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD14AN06LA0fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD14AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 11308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+4.34 EUR
500+4.07 EUR
1000+3.75 EUR
10000+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD14AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+4.34 EUR
500+4.07 EUR
1000+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD14AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 56708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
114+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD14AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6061 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+4.34 EUR
500+4.07 EUR
1000+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD14AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+4.34 EUR
500+4.07 EUR
1000+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD14AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+4.34 EUR
500+4.07 EUR
1000+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD14AN06LA0onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD14AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17589 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+4.34 EUR
500+4.07 EUR
1000+3.75 EUR
10000+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD14AN06LA0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD14AN06LA0-F085onsemi / FairchildMOSFET 60V N-CHAN PwrTrench
auf Bestellung 1014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD14AN06LA0-SB82248onsemiMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD14AN06LA0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3
auf Bestellung 189012500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD14AN06LA0_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD14AN06LA0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3
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FDD14AN06LA0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3
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FDD14AN06L_F085onsemionsemi NMOS DPAK 60V 12 MOHM
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FDD15-03S1CHINFA ELECTRONICSCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 10W; Uin: 9÷18VDC; Uout: 3.3VDC; Iout: 3A; FDD15
Manufacturer series: FDD15
Operating temperature: -10...51°C
Insulation voltage: 1.5kV DC
Power: 10W
Output voltage: 3.3V DC
Input voltage: 9...18V DC
Output current: 3A
Type of converter: DC/DC
Protection: short circuit protection SCP
Body dimensions: 50.8x50.8x12mm
Efficiency: 77%
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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FDD15-03S2CHINFA ELECTRONICSCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 10W; Uin: 18÷36VDC; Uout: 3.3VDC; Iout: 3A; FDD15
Manufacturer series: FDD15
Operating temperature: -10...51°C
Insulation voltage: 1.5kV DC
Power: 10W
Output voltage: 3.3V DC
Input voltage: 18...36V DC
Output current: 3A
Type of converter: DC/DC
Protection: short circuit protection SCP
Body dimensions: 50.8x50.8x12mm
Efficiency: 77%
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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FDD15-05S1CHINFA ELECTRONICSCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 10W; Uin: 9÷18VDC; Uout: 5VDC; Iout: 2A; FDD15
Manufacturer series: FDD15
Operating temperature: -10...51°C
Insulation voltage: 1.5kV DC
Power: 10W
Output voltage: 5V DC
Input voltage: 9...18V DC
Output current: 2A
Type of converter: DC/DC
Protection: short circuit protection SCP
Body dimensions: 50.8x50.8x12mm
Efficiency: 77%
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+15.72 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FDD15-12S1CHINFA ELECTRONICSCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 10W; Uin: 9÷18VDC; Uout: 12VDC; Iout: 834mA; FDD15
Manufacturer series: FDD15
Operating temperature: -10...51°C
Insulation voltage: 1.5kV DC
Power: 10W
Output voltage: 12V DC
Input voltage: 9...18V DC
Output current: 0.834A
Type of converter: DC/DC
Protection: short circuit protection SCP
Body dimensions: 50.8x50.8x12mm
Efficiency: 77%
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD15-12S2CHINFA ELECTRONICSCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 15W; Uin: 18÷36VDC; Uout: 12VDC; Iout: 1.25A; FDD15
Manufacturer series: FDD15
Operating temperature: -10...51°C
Insulation voltage: 1.5kV DC
Power: 15W
Output voltage: 12V DC
Input voltage: 18...36V DC
Output current: 1.25A
Type of converter: DC/DC
Protection: short circuit protection SCP
Body dimensions: 50.8x50.8x12mm
Efficiency: 81%
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD15-15S3
Produktcode: 37698
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FDD1600N10ALZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
auf Bestellung 22247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.03 EUR
11+1.92 EUR
100+1.27 EUR
500+1 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FDD1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 29 Stücke:
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FDD1600N10ALZONSEMIDescription: ONSEMI - FDD1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 14.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 2335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.3 EUR
125+1.87 EUR
179+1.2 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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FDD1600N10ALZUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 6.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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FDD1600N10ALZonsemiMOSFETs PT5 100V LL ZENER 150MOHM GRN COMPOUND
auf Bestellung 13195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.98 EUR
10+1.77 EUR
100+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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