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IXTA8N50P
Produktcode: 99415

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA8N50P

IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA8N50P

IXYS

MOSFETs 8 Amps 500V 0.8 Ohm Rds

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA8N50P

N-CH 500V 8A 0.8Om TO-263 Транзистори

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA8N65X2

IXYS

Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

auf Bestellung 69 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.89 EUR
10+	6.54 EUR
50+	5.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA8N65X2

IXYS

MOSFETs TO263 650V 8A N-CH X2CLASS

auf Bestellung 232 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.17 EUR
10+	4.76 EUR
100+	4.74 EUR
500+	3.72 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA8N65X2

IXYS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	3.33 EUR
30+	2.84 EUR

Mindestbestellmenge: 26 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA8N70X2

IXYS

Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.27 EUR
50+	4.27 EUR
100+	3.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IXTA8N70X2

IXYS

MOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

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IXTA8PN50P

IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA90N055T

IXYS

Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount

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IXTA90N055T2

IXYS

MOSFETs 90 Amps 55V 0.0084 Rds

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA90N055T2

Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube

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Mindestbestellmenge: 300 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA90N075T2

IXYS

MOSFETs 90 Amps 75V 0.01 Rds

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.91 EUR
10+	3.72 EUR
100+	3.37 EUR
500+	3.36 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA90N075T2

IXYS

Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA90N075T2-TRL

IXYS

MOSFET IXTA90N075T2 TRL

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Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA90N075T2-TRL

IXYS

Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA90N15T

IXYS

Description: MOSFET N-CH 150V 90A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA90N20X3

IXYS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; Idm: 220A; 390W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 124ns
Pulsed drain current: 220A
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 300 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA90N20X3

IXYS

MOSFETs TO263 200V 90A N-CH X3CLASS

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 300 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA90N20X3

IXYS

Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 300 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA90N20X3-TRL

IXYS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; 200V; 90A; 390W; D2PAK-3; 124ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X3-Class
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: D2PAK-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 124ns

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA90N20X3-TRL

Littelfuse

MOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA94N20X4

IXYS

MOSFETs TO263 200V 94A N-CH X4CLASS

auf Bestellung 667 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	30.45 EUR
10+	18.16 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA94N20X4

IXYS

Description: MOSFET 200V 94A N-CH ULTRA TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 47A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube

auf Bestellung 1372 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	25.66 EUR
50+	14.74 EUR
100+	13.7 EUR
500+	13.13 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA94N20X4-TRL

Littelfuse

MOSFETs Discrete MOSFET 94A 200V X4 TO263

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA96P085T

IXYS

Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V

auf Bestellung 3741 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	16.42 EUR
50+	8.97 EUR
100+	8.26 EUR
500+	7 EUR
1000+	6.72 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA96P085T

Littelfuse

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 270 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	10.12 EUR
25+	9.54 EUR
50+	8.98 EUR
100+	8.48 EUR
250+	8.1 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA96P085T

Littelfuse

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	8.53 EUR
50+	7.06 EUR

Mindestbestellmenge: 21 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA96P085T

Littelfuse

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 757 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	9.14 EUR
50+	7.37 EUR
100+	6.37 EUR
500+	5.65 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA96P085T

P-Channel 85 V 96A (Tc) 298W (Tc) Surface Mount TO-263AA Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA96P085T

Littelfuse

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 757 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	9.14 EUR
50+	7.52 EUR
100+	6.62 EUR
500+	5.97 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA96P085T

IXYS SEMICONDUCTOR

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)

auf Bestellung 103 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	17.42 EUR
17+	13.68 EUR
21+	10.36 EUR
50+	8.08 EUR
100+	7.41 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA96P085T

IXYS

MOSFETs -96 Amps -85V 0.013 Rds

auf Bestellung 3523 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	15.79 EUR
10+	9.03 EUR
100+	8.15 EUR
500+	7.83 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA96P085T

Littelfuse

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	8.5 EUR
50+	7.2 EUR

Mindestbestellmenge: 21 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA96P085T

Littelfuse

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 300 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA96P085T TRL

Ixys Corporation

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA96P085T TRL

Ixys Corporation

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA96P085T TRL

Ixys Corporation

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA96P085T-TRL

LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - IXTA96P085T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 298W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 1481 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	17.04 EUR
22+	10.72 EUR
50+	8.73 EUR
100+	7.56 EUR
250+	7.41 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA96P085T-TRL

IXYS

MOSFETs TO263 P CHAN 85V 96A

auf Bestellung 938 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.7 EUR
10+	9.42 EUR
100+	7.19 EUR
500+	7.03 EUR
800+	6.72 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA96P085T-TRL

Littelfuse

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 643 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	5.75 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA96P085T-TRL

IXYS

Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V

auf Bestellung 1734 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	16.42 EUR
10+	11.21 EUR
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IXTA96P085T-TRL

Littelfuse

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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IXTA96P085T-TRL

IXYS

Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

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IXTA96P085T-TRL

LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - IXTA96P085T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 1481 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	17.04 EUR
22+	10.72 EUR
50+	8.73 EUR
100+	7.56 EUR
250+	7.41 EUR

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IXTA96P085T-TRL

Littelfuse

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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23+	7.74 EUR
25+	6.87 EUR
26+	6.38 EUR
100+	5.66 EUR
250+	5.3 EUR
500+	4.72 EUR

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IXTA98N075T

IXYS

Description: MOSFET N-CH 75V 98A TO-263

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Mindestbestellmenge: 300 Stücke

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IXTA98N075T7

IXYS

Description: MOSFET N-CH 75V 98A TO-263-7

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Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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IXTB1909

IXYS

Description: POWER MOSFET 500V 100AMP

auf Bestellung 19470 Stücke:

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10+	45.02 EUR
100+	38.44 EUR
500+	34.9 EUR

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IXTB30N100L

IXYS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 30A; 800W; PLUS264™; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 800W
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 545nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet

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IXTB30N100L

Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: PLUS264™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube

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Mindestbestellmenge: 300 Stücke

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IXTB30N100L

IXYS

MOSFETs 30 Amps 1000V

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Mindestbestellmenge: 300 Stücke

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IXTB500N20X4

IXYS

MOSFETs 200V 2.65mohm 500A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS264

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IXTB62N50L

IXYS

MOSFETs 62 Amps 500V 0.1 Rds

auf Bestellung 498 Stücke:

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1+	117.04 EUR
10+	106.98 EUR

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IXTB62N50L

Транзистори

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IXTB62N50L

IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 31A, 20V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V

auf Bestellung 52 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	102.48 EUR
25+	75.58 EUR

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IXTC102N20T

IXYS

Description: MOSFET N-CH 200V ISOPLUS220

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Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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IXTC102N25T

IXYS

Description: MOSFET N-CH 250V ISOPLUS220

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Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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IXTC1088

auf Bestellung 2928 Stücke:

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IXTC1088/6E/2C

auf Bestellung 135 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IXTC110N25T

IXYS

Description: MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220

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Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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IXTC130N15T

IXYS

Description: MOSFET N-CH 150V ISOPLUS220

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Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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IXTC13N50

IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

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Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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IXTC160N085T

IXYS

Description: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUS220™
Packaging: Tube

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IXTC160N10T

IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUS220™
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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IXTC180N055T

IXYS

Description: MOSFET N-CH 55V ISOPLUS220

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC180N085T

IXYS

Description: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUS220™
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTC180N10T

IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 90A ISOPLUS220

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IXTC200N085T

IXYS

Description: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IXTC200N10T

IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC220N055T

IXYS

Description: MOSFET N-CH 55V 130A ISOPLUS220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUS220™
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC220N075T

IXYS

Description: MOSFET N-CH 75V 115A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC230N085T

IXYS

Description: MOSFET N-CH 85V 120A ISOPLUS220
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUS220™
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC240N055T

IXYS

Description: MOSFET N-CH 55V 132A ISOPLUS220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUS220™
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC250N075T

IXYS

Description: MOSFET N-CH 75V 128A ISOPLUS220

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC26N50P

IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUS220™
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC280N055T

IXYS

Description: MOSFET N-CH 55V 145A ISOPLUS220

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC36P15P

IXYS

Description: MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS220
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUS220™
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC62N15P

IXYS

Description: MOSFET N-CH ISOPLUS-220

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC72N30T

IXYS

Description: MOSFET N-CH 300V 72A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC75N10

IXYS

MOSFETs 75 Amps 100V 0.02 Rds

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC75N10

IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTD1R4N60P 11

IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DIE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTD2N60P-1J

IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 2A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTD3N50P-2J

IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DIE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTD3N60P-2J

IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 3A DIE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTD4N80P-3J

IXYS

Description: MOSFET N-CH 800V 3.6A DIE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTD5N100A

IXYS

Description: MOSFET N-CH 1000V 5A DIE
Packaging: Tube
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Supplier Device Package: Die
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTE250N10

IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 250A SOT227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Supplier Device Package: SOT-227B
Power Dissipation (Max): 730W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTE250N10

IXYS

MOSFET 250 Amps 100V 0.005 Rds

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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IXTF02N450

LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - IXTF02N450 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 200 mA, 750 ohm, ISOPLUS i4-PAK, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750ohm
SVHC: To Be Advised

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IXTF02N450

Littelfuse

Trans MOSFET N-CH Si 4.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAK

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IXTF02N450

IXYS

Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V

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IXTF02N450

IXYS

MOSFETs 4500V 200mA HV Power MOSFET

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IXTF02N450
Produktcode: 147768

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IXTF03N400

IXYS

Description: MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 25 V

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IXTF1N250

Littelfuse

Trans MOSFET N-CH Si 2.5KV 1A 3-Pin ISOPLUS I4-PAC

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IXTF1N250

IXYS

MOSFET 2500V 1A HV Power MOSFET

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IXTF1N250

IXYS

Description: MOSFET N-CH 2500V 1A ISOPLUS I4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Packaging: Tube

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