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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STP11NM65NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
auf Bestellung 1752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.03 EUR
10+6.14 EUR
100+5.81 EUR
500+5.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+11.97 EUR
35+6.79 EUR
100+5.94 EUR
500+5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80STN-MOSFET 11A 800V 150W STP11NM80 TSTP11NM80
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80
Produktcode: 36380
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 В
Drain-Strom Idd, A: 11 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 400 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1630/50
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung: 15 St.
  • 15 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+5.88 EUR
10+4.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.16 EUR
36+4.77 EUR
100+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.08 EUR
50+5.95 EUR
100+5.87 EUR
500+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.16 EUR
36+4.87 EUR
100+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80STMN-channel 800 V - 0.35 Om - 11 A TO-220 Power MOSFET Транзистори
auf Bestellung 2071 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+9.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80NSTMN-channel 800 V - 0.35 Om - 11 A TO-220/TO-220FP/D2PAK/TO-247 MDmesh™ Power MOSFET Транзистори
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+8.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP1200---PRT-STP1200 Подставка для печатных плат, ESD, 265x205x95мм, цвет черный Різні некласифіковані вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP1200STATICTECCategory: ESD Boxes, Lockers
Description: Conductive PCB stand; ESD; 265x205x95mm; black
Material: electrically conductive material
Colour: black
Body dimensions: 265x205x95mm
Version: ESD
Type of antistatic accessories: conductive PCB stand
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+15.43 EUR
10+14.53 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP1201---PRT-STP1201 Подставка для печатных плат, ESD, 355x270x130мм, цвет черный Різні некласифіковані вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP1201STATICTECCategory: ESD Boxes, Lockers
Description: Conductive PCB stand; ESD; 355x270x130mm; black
Material: electrically conductive material
Colour: black
Body dimensions: 355x270x130mm
Version: ESD
Type of antistatic accessories: conductive PCB stand
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP1203STATICTECCategory: ESD Boxes, Lockers
Description: Conductive PCB stand; ESD; 484x175x50mm; black
Material: electrically conductive material
Colour: black
Body dimensions: 484x175x50mm
Version: ESD
Type of antistatic accessories: conductive PCB stand
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.23 EUR
10+11.52 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120F
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120N10F4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.37 EUR
2000+1.24 EUR
5000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120N4F6STMTO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.22 EUR
51+3.44 EUR
100+2.26 EUR
200+1.74 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120N4F6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A
Mounting: THT
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 110W
Gate charge: 65nC
Polarisation: unipolar
Technology: STripFET™ H6
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 4.3mΩ
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+2.25 EUR
46+1.89 EUR
57+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120N4F6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 40V 3.5m Ohm 80A STripFET VI
auf Bestellung 605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.77 EUR
10+2.76 EUR
100+2.4 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.51 EUR
2000+1.4 EUR
5000+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.37 EUR
2000+1.27 EUR
5000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120NF04STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 40 Volt 120 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120NF04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120NF10STTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10,5mOhm; 110A; 312W; -55°C ~ 175°C; STP120NF10 TSTP120NF10
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.71 EUR
74+2.34 EUR
100+2.19 EUR
500+2 EUR
1000+1.83 EUR
2000+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120NF10STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; 312W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 77A
Power dissipation: 312W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+3.24 EUR
30+2.84 EUR
33+2.58 EUR
50+2.38 EUR
100+2.18 EUR
150+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120NF10STMTO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.71 EUR
74+2.31 EUR
100+2.12 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.69 EUR
2000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120NF10STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP120NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 9000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 312W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 586 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.3 EUR
55+4.25 EUR
100+3.11 EUR
500+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+4.25 EUR
500+3.5 EUR
1000+2.89 EUR
2000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120NF10STMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 110 А, Ptot, Вт = 312, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5200 @ 25, Qg, нКл = 233 @ 10 В, Rds = 10,5 мОм @ 60 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120NF10STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 120A STripFET II 110A
auf Bestellung 1014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.45 EUR
10+4.4 EUR
100+3.47 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.56 EUR
2000+2.4 EUR
5000+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
auf Bestellung 17733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.13 EUR
50+5.84 EUR
100+5.33 EUR
500+4.44 EUR
1000+4.15 EUR
2000+3.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+4.25 EUR
500+3.42 EUR
1000+2.78 EUR
2000+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120NH03LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A TO220AB
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120P07MersenIndustrial Surge Protectors STP T1 75kA 120V 1P
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+621.76 EUR
5+511.89 EUR
10+491.2 EUR
25+491.11 EUR
50+489.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120P07MMersenIndustrial Surge Protectors STP T1 75kA 120V 1P ALM
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+639.95 EUR
5+596.17 EUR
10+550.11 EUR
25+538.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP120WF10
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP122153AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP122153BEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP1290STATICTECCategory: Antistatic Protection Others
Description: Tool: tape applicator; ESD; 50mm
Related items: ATS-154-0140; ATS-054-0109; ATS-054-0114; ATS-054-0007; ERS-420050005; ERS-420050035; ERS-421150115; ESD-TAPE1; PRT-STP1300; PRT-STP1312; PRT-STP1410; PRT-STP1412; SCS-242210; SCS-242271; SCS-242275; SCS-242276; SCS-242293; SCS-242294; SCS-242295
Colour: black
Version: ESD
Tape width: 50mm
Type of tool: tape applicator
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+28.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12A60
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12IE90F4STMicroelectronicsDescription: TRANS BIPO EMITTER SW TO-220FP-4
Supplier Device Package: TO-220FP
Applications: Gate Driver
Transistor Type: NPN - Emitter Switched Bipolar
Mounting Type: Through Hole
Current Rating (Amps): 12A
Package / Case: TO-220-4 Full Pack
Voltage - Rated: 900V
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N120K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP12N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+38.69 EUR
10+25.31 EUR
11+20.56 EUR
50+17.14 EUR
100+15.8 EUR
250+14.7 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N120K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1.2kV; 7.6A; Idm: 48A
Mounting: THT
Technology: MDmesh™ K5
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.6A
Drain-source voltage: 1.2kV
Gate charge: 44.2nC
On-state resistance: 690mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+10.44 EUR
10+8.51 EUR
12+7.52 EUR
25+6.6 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N120K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.08 EUR
50+8.23 EUR
100+7.58 EUR
500+6.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N120K5STMN-Channel 1200 V 12A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N120K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N50M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 500V; 7A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
Technology: MDmesh™ M2
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Pulsed drain current: 40A
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.84 EUR
31+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N50M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 100 V
auf Bestellung 1285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.32 EUR
50+2.09 EUR
100+1.88 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N50M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.24 EUR
10+2.05 EUR
100+1.86 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.34 EUR
2000+1.25 EUR
5000+1.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N50M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP12N50M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.325 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.325ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.25 EUR
99+2.37 EUR
110+1.95 EUR
500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N50M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N60
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.57 EUR
10+2.64 EUR
100+2.01 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.43 EUR
2000+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M2
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+2.42 EUR
57+1.5 EUR
62+1.38 EUR
66+1.3 EUR
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N65M2STMicroelectronicsDescription: POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.42 Ohm typ 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.45 EUR
10+3.52 EUR
100+2.4 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.73 EUR
5000+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V 0.370ohm 8.5A Mdmesh
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.85 EUR
10+4.27 EUR
100+3.17 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.48 EUR
2000+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 5.4A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NB30
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NK30ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.01 EUR
89+1.96 EUR
100+1.9 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.73 EUR
2000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NK30ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP12NK30Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 90W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.2 EUR
54+4.37 EUR
100+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NK30ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.56 EUR
75+2.34 EUR
100+2.11 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NK30ZSTTrans MOSFET N-CH 300V 9A STP12NK30Z TSTP12NK30Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NK30ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.24 EUR
50+2.84 EUR
100+2.59 EUR
500+2.15 EUR
1000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NK30ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.01 EUR
89+1.92 EUR
100+1.83 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.59 EUR
2000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NK30ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 300 Volt 9 Amp Zener SuperMESH3
auf Bestellung 1371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+2.39 EUR
100+2.26 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.95 EUR
2000+1.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NK30ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 5.6A; 90W; TO220-3; ESD
Version: ESD
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.6A
Drain-source voltage: 300V
On-state resistance: 0.4Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 90W
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.59 EUR
48+1.81 EUR
53+1.63 EUR
100+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NK30ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NK50Z
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
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STP12NK60ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 V 0.53 Ohm Zener SuperMESH 10A
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STP12NK60ZSTTO220
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STP12NK60ZF
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STP12NK60ZFP
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STP12NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP12NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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27+6.59 EUR
45+3.81 EUR
100+3.21 EUR
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STP12NK80ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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8+10.64 EUR
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STP12NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP12NK80ZSTMТранзистори
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STP12NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 2523 Stücke:
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3+9.26 EUR
50+4.78 EUR
100+4.34 EUR
500+3.59 EUR
1000+3.34 EUR
2000+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STP12NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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51+3.42 EUR
100+3.07 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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STP12NK80Z
Produktcode: 174528
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Transistoren > MOSFET N-CH
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STP12NK80ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1134 Stücke:
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1+8.98 EUR
10+4.69 EUR
100+4.27 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.19 EUR
2000+3.17 EUR
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STP12NM50STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP12NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
auf Bestellung 1600 Stücke:
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20+12.54 EUR
39+6.08 EUR
100+5.14 EUR
500+4.26 EUR
1000+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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