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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SSM3K123TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
642+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 642 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K123TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K123TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 4150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K123TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 17799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
484+0.37 EUR
618+0.29 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
12000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 484 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K123TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K123TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 4150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K127TUToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K127TU(TE85L)ToshibaSSM3K127TU(TE85L)
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2050+0.26 EUR
10000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2050 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K127TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 2A 3-Pin UFM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K127TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K127TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm a. 4V, in UFM package
auf Bestellung 17520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.55 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K127TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
auf Bestellung 2814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
36+0.58 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K127TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K127TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.123 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.123ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 8966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K127TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K127TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.123 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.123ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 8966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K127TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 2A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
362+0.56 EUR
603+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
2000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 362 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K12TTOSHIBA
auf Bestellung 9200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K12T(T5LSONY,F)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K131TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 6A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
auf Bestellung 12250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.24 EUR
26+0.83 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K131TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K131TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=6.0A, RDS(ON)=0.0415Ohm @ 4.5V, in UFM package
auf Bestellung 3109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.46 EUR
10+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K131TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 6A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K131TU,LF(BToshibaSSM3K131TU,LF(B
auf Bestellung 5986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
371+0.48 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.43 EUR
2500+0.4 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 371 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K14
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K14TTOSHIBA
auf Bestellung 15204 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K14T (TE85L,F)ToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K14T(T5L.F.T)Toshiba
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K14T(TE85L)ToshibaMOSFET TSM S-MOS(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K14T(TE85L,F)ToshibaMOSFET Pb-F TSM S-MOS(LF),ACTIVE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K14T(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K14T(TE85LF)ToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K14TTE85LFToshibaMOSFET X34 Pb-F TSM S-MOS (LF) TRANSISTOR Pd=700mW F=1MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT(TPL3)ToshibaMOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT(TPL3)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Supplier Device Package: CST3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT(TPL3)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 5949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3485+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3485 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
751+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 751 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
auf Bestellung 4746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
68+0.31 EUR
109+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT,L3FToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET
auf Bestellung 14509 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
12+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
5000+0.092 EUR
10000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
411+0.43 EUR
672+0.25 EUR
679+0.24 EUR
751+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 411 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 5949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3485+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3485 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT,L3F(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
auf Bestellung 9120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
712+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.23 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 712 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 7465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1909+0.092 EUR
1997+0.087 EUR
2025+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 1909 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
auf Bestellung 5920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 6500 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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SSM3K15ACTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST-C T/R
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SSM3K15ACTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.087 EUR
20000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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SSM3K15ACTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST-C T/R
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SSM3K15ACTC,L3FToshibaMOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
auf Bestellung 19939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.45 EUR
13+0.27 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.099 EUR
5000+0.086 EUR
10000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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SSM3K15ACTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST-C T/R
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
auf Bestellung 22018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
68+0.31 EUR
108+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.11 EUR
5000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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SSM3K15ACTC,L3F(BToshibaSSM3K15ACTC,L3F(B
auf Bestellung 9360 Stücke:
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697+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.23 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 697 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACTC,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15ACTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, CST-C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
auf Bestellung 9155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15ACTC,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15ACTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, CST-C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST-C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
auf Bestellung 9155 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SSM3K15AFSToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.088 EUR
6000+0.08 EUR
9000+0.075 EUR
15000+0.069 EUR
21000+0.065 EUR
30000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFS,LFToshibaMOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
auf Bestellung 5582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.42 EUR
14+0.25 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.071 EUR
9000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
auf Bestellung 34239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
79+0.26 EUR
127+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFS,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1298+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 93356 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
770+0.24 EUR
1004+0.18 EUR
2000+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.099 EUR
12000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 770 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 6048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
770+0.24 EUR
1004+0.18 EUR
2000+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 770 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFSLF(TToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 28972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.39 EUR
88+0.24 EUR
143+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.079 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.065 EUR
15000+0.061 EUR
21000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LFToshibaMOSFETs Small-Signal MOSFET
auf Bestellung 15078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
16+0.23 EUR
100+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.088 EUR
3000+0.071 EUR
6000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LF(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
auf Bestellung 11087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1123+0.15 EUR
2500+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LF(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AFU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 34922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 94082 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1439+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1439 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 21000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AFU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 34672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 21000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 2053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1431+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1431 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AMFV,L3FToshibaMOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
auf Bestellung 15498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.45 EUR
13+0.27 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.099 EUR
5000+0.077 EUR
8000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AMFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
auf Bestellung 76000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.087 EUR
16000+0.079 EUR
24000+0.074 EUR
40000+0.069 EUR
56000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.067 EUR
16000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AMFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
auf Bestellung 77048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
70+0.3 EUR
113+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
2000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.063 EUR
16000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AMFV,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AMFV,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM
auf Bestellung 6850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1629+0.11 EUR
2500+0.1 EUR
5000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 1629 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 2839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
900+0.24 EUR
1153+0.15 EUR
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AMFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
auf Bestellung 35633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AMFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
auf Bestellung 35633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM Substitute: SSM3K15AMFV,L3F; SSM3K15AMFV,L3F(B; SSM3K15AMFV,L3F(T; SSM3K15AMFV,L3F(T TSSM3k15amfv
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
auf Bestellung 13926 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15F(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 2810 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V
auf Bestellung 12617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.39 EUR
90+0.24 EUR
145+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15F,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.077 EUR
6000+0.069 EUR
9000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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