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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SSM3K03TE(TE85L,F)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K04FSTOSHIBASOT423
auf Bestellung 71945 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K04FS(DC)TOSHIBA00+ SOT-323
auf Bestellung 6999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K04FS/DCTOSHIBA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K05FUTOSHIBASOT323
auf Bestellung 68640 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K05FU(T5LTORIF)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 5974 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K05FU/DF
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FUToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FUTOSHIBASOT323
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FU(TE85LF)ToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 400MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.13 EUR
15000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V
auf Bestellung 33046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.83 EUR
10+0.37 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
3000+0.18 EUR
24000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 400MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 33255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
41+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FU,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
515+0.33 EUR
534+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 515 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 1919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
320+0.6 EUR
582+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 320 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K09FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+2.44 EUR
169+1.37 EUR
267+0.81 EUR
500+0.61 EUR
1500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1397+0.12 EUR
2500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1397 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K09FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+2.73 EUR
152+1.54 EUR
241+0.89 EUR
500+0.67 EUR
1500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FU,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K09FU,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
auf Bestellung 2028 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.4 EUR
417+0.56 EUR
498+0.43 EUR
622+0.35 EUR
1500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FU,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FU,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K09FU,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
auf Bestellung 2028 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.4 EUR
417+0.56 EUR
498+0.43 EUR
622+0.35 EUR
1500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FUDTC114EE
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FULF(TToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K101TUTOSHIBASOT-23 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K102TUTOSHIBA09+
auf Bestellung 75018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K104TUTOSHIBASOT-323
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K104TU,LF(BToshibaSSM3K104TU,LF(B
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1707+0.3 EUR
10000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1707 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K105TUTOS
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K105TUTE85L
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K106TU(T5L,T)ToshibaMOSFETs Small-signal FET 1.2A 20V 0.53Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K106TU(TE85L)ToshibaMOSFET Vds=20V Id=1.2A 3Pin
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K106TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K106TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K106TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K116TUTOSHIBASOT-323
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K116TU(TE85L)ToshibaMOSFET Vds=30V Id=2.2A 3Pin
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K116TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K116TU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
auf Bestellung 3070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.57 EUR
100+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K116TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K116TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 39100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1.02 EUR
27+0.8 EUR
100+0.48 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K116TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
463+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 463 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K116TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K116TU,LF(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
auf Bestellung 2923 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
365+0.46 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.42 EUR
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 365 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K116TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K116TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.1 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
251+1 EUR
372+0.62 EUR
599+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 251 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K116TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 1888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+0.99 EUR
353+0.48 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K116TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K116TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.1 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+1.27 EUR
312+0.75 EUR
463+0.46 EUR
646+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K119TU
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K119TU,LF(BToshibaSSM3K119TU,LF(B
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
587+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
10000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 587 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K121TUTOSHIBA09+
auf Bestellung 30018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K121TUToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K121TU(TE85L)ToshibaMOSFET Vds=20V Id=3.2A 3Pin
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K121TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal Mosfet
auf Bestellung 2753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.3 EUR
100+0.82 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K121TU,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K121TU,LF(BToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K121TU,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
466+0.37 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 466 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K121TU,LXGF(TToshibaSilicon N Channel MOS Type Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.69 EUR
508+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K122TU(TE85L)TOSHIBASOT23
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K122TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package
auf Bestellung 11886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.98 EUR
10+0.44 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
3000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
24000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K122TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K122TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
auf Bestellung 5487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
35+0.61 EUR
100+0.39 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K122TU,LF(BToshibaSSM3K122TU,LF(B
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
404+0.42 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.38 EUR
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 404 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K122TU,LF(BToshibaSSM3K122TU,LF(B
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K122TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K122TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.123 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.123ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+1.09 EUR
338+0.69 EUR
527+0.4 EUR
705+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K122TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K122TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.123 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.123ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+1.21 EUR
339+0.69 EUR
530+0.4 EUR
710+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K123TUToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K123TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
auf Bestellung 12928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.11 EUR
30+0.7 EUR
100+0.45 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K123TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K123TU,LFToshibaMOSFETs UFM S-MOS Pd: 0.8W F: 1MHz
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K123TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
543+0.31 EUR
830+0.2 EUR
900+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 543 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K123TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K123TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
412+0.42 EUR
533+0.31 EUR
543+0.29 EUR
830+0.18 EUR
900+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 412 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K123TU,LF(BToshibaSSM3K123TU,LF(B
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K123TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
642+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 642 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K123TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K123TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 4150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+1.36 EUR
252+0.93 EUR
409+0.52 EUR
565+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K123TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 17799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
484+0.36 EUR
618+0.27 EUR
1000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
12000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 484 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K123TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K123TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 4150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+1.36 EUR
252+0.93 EUR
409+0.52 EUR
565+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K127TUToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K127TU(TE85L)ToshibaSSM3K127TU(TE85L)
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2050+0.25 EUR
10000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2050 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K127TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
auf Bestellung 2814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
36+0.58 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K127TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 2A 3-Pin UFM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K127TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package
auf Bestellung 24575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.02 EUR
10+0.46 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K127TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K127TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 2A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
362+0.54 EUR
603+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
2000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 362 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K127TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K127TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.123 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.123ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 8966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+1.19 EUR
345+0.68 EUR
535+0.4 EUR
715+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K127TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K127TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.123 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.123ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 8966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+1.19 EUR
345+0.68 EUR
535+0.4 EUR
715+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K12TTOSHIBA
auf Bestellung 9200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K12T(T5LSONY,F)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K131TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=6.0A, RDS(ON)=0.0415Ohm @ 4.5V, in UFM package
auf Bestellung 3109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.46 EUR
10+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K131TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 6A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
auf Bestellung 12250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.24 EUR
26+0.83 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K131TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K131TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 6A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
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SSM3K131TU,LF(BToshibaSSM3K131TU,LF(B
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SSM3K14
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SSM3K14TTOSHIBA
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SSM3K14T (TE85L,F)ToshibaMOSFET
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SSM3K14T(T5L.F.T)Toshiba
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SSM3K14T(TE85L)ToshibaMOSFET TSM S-MOS(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
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SSM3K14T(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
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