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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF830STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.97 EUR
10+3.87 EUR
50+2.98 EUR
100+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 4.5 Amp
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.78 EUR
10+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830STRRPBFVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 500V 4.5 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF831Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
158+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8313PBF
Produktcode: 23488
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 9,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 760/6
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung: 14 St.
  • 14 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.51 EUR
10+2.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8313PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V DUAL N-CH HEXFET 15.5mOhms 6nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8313PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8313PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8313TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8313TRInfineon2xN-MOSFET HEXFET 9.7A 30V 2W 0.0155Ω IRF8313 TIRF8313
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8313TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8313TRUMWTransistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 6,5A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF8313; IRF8313TR; SP001570694; SP001577640; IRF8313TR UMW TIRF8313 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8313TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 9.7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 21024 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
900+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
10000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8313TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9.7 A, 9.7 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8313TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8313TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 9,7, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 15, Qg, нКл = 9 @ 4,5 В, Rds = 15,5 мОм @ 9,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,35 @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 943 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8313TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9.7 A, 9.7 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8313TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8313TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 30V 9.7A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8327STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8327STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
auf Bestellung 1462 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
539+1.21 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 539 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8327STRPBFInfineon / IRMOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET
auf Bestellung 2130 Stücke:
Lieferzeit 430-434 Tag (e)
1+3.69 EUR
10+3.31 EUR
100+2.57 EUR
500+2.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8327STRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
auf Bestellung 4538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
318+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 318 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8327STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8327STRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF8327STRPBF - IRF8327 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1462 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STMN-кан. MOSFET 500V, 8A, 0.75Ом, 125Вт, TO-220 (PowerMesh) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 8 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840
Produktcode: 17952
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1600/60
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
2+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840Foshan Blue Rocket ElecN-кан. MOSFET 500V, 8A, 0.85Ом, 125Вт, TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840--401FIR2002 TO-220
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 695mOhm; 10A; 178W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF840; IRF840-BE3; IRF840-ML MOSLEADER TIRF840 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF84093Harris CorporationDescription: 7A, 450V, 0.85OHM, N-CHANNEL, PO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF84093HARRISIRF84093
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
325+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF840AТранзистори
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IRF840ASiliconixTranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840A; IRF840A-VB; IRF840A-BE3; IRF840A VISHAY TIRF840a
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IRF840AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
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IRF840AMOSFET 500V 8A (32A pulse), N Channel TO-220
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IRF840ALТранзистори
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IRF840ALVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF840ALVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
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IRF840ALPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
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IRF840ALPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.22 EUR
10+4.74 EUR
50+3.67 EUR
100+3.32 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRF840ALPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.22 EUR
10+3.69 EUR
100+3.36 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.62 EUR
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IRF840ALPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
auf Bestellung 1103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.75 EUR
57+4.13 EUR
100+3.21 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IRF840ALPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
auf Bestellung 1502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.49 EUR
69+2.34 EUR
72+2.19 EUR
100+1.99 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF840ALPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF840ALPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
auf Bestellung 1496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.49 EUR
69+2.44 EUR
72+2.31 EUR
100+2.15 EUR
500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF840APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF840APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 11583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
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IRF840APBF
Produktcode: 53900
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VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1018/38
Montage: THT
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1+1.37 EUR
10+1 EUR
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IRF840APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.42 EUR
67+2.51 EUR
100+1.92 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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IRF840APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 11589 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.9 EUR
58+2.9 EUR
59+2.77 EUR
100+2.08 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
auf Bestellung 4792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.06 EUR
10+4.63 EUR
50+3.57 EUR
100+3.24 EUR
500+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRF840APBFTO-220AB Транзистори
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF840APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.76 EUR
52+3.34 EUR
100+2.96 EUR
250+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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IRF840APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.57 EUR
10+3.58 EUR
100+2.43 EUR
500+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
auf Bestellung 2308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.9 EUR
66+3.52 EUR
100+2.36 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.42 EUR
67+2.42 EUR
100+1.82 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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IRF840APBF (TO-220AB, Vishay)
Produktcode: 35892
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VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1018/38
Montage: THT
verfügbar: 5 St.
  • 5 St. - stock Köln
auf Bestellung: 200 St.
  • 200 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.88 EUR
10+1.7 EUR
100+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF840APBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF840A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.95 EUR
71+3.3 EUR
100+2.3 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.06 EUR
10+4.63 EUR
50+3.57 EUR
100+3.24 EUR
500+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 9084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+2.83 EUR
100+2.12 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF840APBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.02 EUR
43+5.5 EUR
100+3.56 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF840APBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.3 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF-GE3VishayVishay
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASIRTO-263
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASPBFTO263 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.06 EUR
100+2.61 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 11018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.85 EUR
10+3.45 EUR
100+3.09 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF840ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
auf Bestellung 951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.25 EUR
63+3.69 EUR
100+3.19 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF840ASPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
auf Bestellung 975 Stücke:
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3+7.85 EUR
10+5.16 EUR
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IRF840ASPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 8 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1018 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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IRF840ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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39+4.47 EUR
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IRF840ASPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 485 Stücke:
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IRF840ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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31+5.74 EUR
58+2.94 EUR
100+2.45 EUR
500+1.98 EUR
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Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IRF840ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF840ASPBF (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 43368
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IRF840ASTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF840ASTRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
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IRF840ASTRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF840ASTRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF840ASTRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF840ASTRLPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 8 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1018 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRF840ASTRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 8.0 Amp
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