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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
Jan2N3500/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3500LMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/366
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3500LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3500L/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3501Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.81 EUR
100+24.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3501Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A TO39
Qualification: MIL-PRF-19500/366
Grade: Military
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3501MOTOROLA
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3501Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N3501/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3501AMOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3501LMOTOROLA
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3501LMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A TO-5
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Supplier Device Package: TO-5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/366
Grade: Military
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3501LMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N3501L/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3501U4Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A U4
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: U4
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/366
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3501U4/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A U4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: U4
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/366
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3501UBMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A UB
Qualification: MIL-PRF-19500/366
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Grade: Military
Supplier Device Package: UB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3501UBMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3501UBMICROSEMIUB/NPN Transistor 2N3501
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3501UBMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3501UB/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3501UB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/366
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3504MOTOROLA
auf Bestellung 11500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3504AMOTOROLA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3505MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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JAN2N3506MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3506Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 40V 3A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/349
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3506Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3506AMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3506AMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 40V 3A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/349
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3506AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 3A 1W Power BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3506ALMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 3A 1W Long-Lead Power BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3506ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/349
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3506ALMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N3506LMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N3506LMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/349
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3507Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3507Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 3A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/349
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3507MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3507AMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 3A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/349
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3507AMOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3507AMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3507ALMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3507ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 3A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/349
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N3507LMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 3A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/349
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N3507LMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3507SMOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3543MOTOROLA
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3544MOTOROLA
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3545MOTOROLA
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3546MOTOROLA
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3547MOTOROLA
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3548MOTOROLA
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3549MOTOROLA
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3553MOT
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3554MOTOROLA
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3570MOTOROLA
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3571MOTOROLA
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3572MOTOROLA
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3584MOT98+ TO-66
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3584Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 250V 2A 2.5W Power BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3584Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 250V 2A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 10V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 2.5 W
Qualification: MIL-PRF-19500/384
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3585MOT
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3585Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3585Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 300V 2A TO66
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/384
Power - Max: 2.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3585PMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N3634Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N3634MicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N3634Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 140V 1A 1W Small-Signal BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N3634LMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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Jan2N3634LMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 1A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N3634UBMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3634UBMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 1A UB
Qualification: MIL-PRF-19500/357
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Military
Supplier Device Package: UB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3634UB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 1A UB
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/357
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Military
Supplier Device Package: UB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N3635Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 1A TO39
Qualification: MIL-PRF-19500/357
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N3635MOTOROLA
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JAN2N3635Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 140 V Small-Signal BJT
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Jan2N3635LMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 1A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
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Jan2N3635LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 140 V Small-Signal BJT
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JAN2N3635UBMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 1A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
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JAN2N3635UBMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 140 V Small-Signal BJT
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JAN2N3635UB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 1A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
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JAN2N3635UB/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 140 V Small-Signal BJT
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JAN2N3636Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 175 V Small-Signal BJT
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JAN2N3636MOTOROLA
auf Bestellung 25000 Stücke:
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JAN2N3636Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 175V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Jan2N3636LMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 175V 1A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
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Jan2N3636LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 175 V Small-Signal BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3636UBMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 175V 1A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
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JAN2N3636UBMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 175 V Small-Signal BJT
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JAN2N3636UB/TRMicrosemi CorporationDescription: TRANS PNP 175V 10UA UB
Qualification: MIL-PRF-19500/357
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 µA
Grade: Military
Supplier Device Package: UB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N3636UB/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 175 V Small-Signal BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N3637Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 175V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N3637Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W Small-Signal BJT THT
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1+20.65 EUR
10+20.47 EUR
500+19.87 EUR
1000+19.77 EUR
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JAN2N3637MOTOROLA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Jan2N3637/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT
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Jan2N3637LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W Long-Lead Small-Signal BJT THT
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Jan2N3637LMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 175V 1A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N3637L/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT
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JAN2N3637UBMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 175V 1A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
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