Produkte > MMB
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| MMBT5401_R1_00001 | PanJit | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5401_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 225 mW | auf Bestellung 1550 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT5401_R1_00001 | PanJit Semiconductor | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.5A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5401_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 225 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5401_R1_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT HIGHVOLTAGETRANSISTORPNPSilicon VCE-150V IC-500mA SOT-23 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5401_R1_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT HIGHVOLTAGETRANSISTORPNPSilicon VCE-150V IC-500mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5401_R2_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT HIGHVOLTAGETRANSISTORPNPSilicon VCE-150V IC-500mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5401_R2_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT HIGHVOLTAGETRANSISTORPNPSilicon VCE-150V IC-500mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5550 | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT-23-3 Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5550 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 160V 400@10MA,5V 300MW 600MA SOT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5550 | Rectron | Bipolar Transistors - BJT SOT23 NPN 0.6A 160V HighVolt | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 21000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5550 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 160V 400@10MA,5V 300MW 600MA SOT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5550 | Rectron | SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(NPN) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5550 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5550 | NS | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| MMBT5550(1F) | auf Bestellung 20250 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MMBT5550-FS | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT-23-3 Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | auf Bestellung 8453 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT5550-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 225mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5550-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT-23 Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1220 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT5550-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT NPN 160Vcbo 140Vceo 6Vebo 6Vebo 225mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5550-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT-23 Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5550L | onsemi | SS SOT23 HV XSTR NPN 160V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5550L | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MMBT5550LT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT5550LT1 - MMBT5550LT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 35060 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5550LT1 | onsemi | Description: TRANS SS NPN 140V HV SOT23 Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | auf Bestellung 34060 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT5550LT1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5550LT1 | ON | 07+; | auf Bestellung 17450 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5550LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 102000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5550LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5550LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3 Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5550LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR NPN 160V | auf Bestellung 70312 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT5550LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5550LT1G | On Semiconductor | NPN 140V 0.6A SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5550LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT5550LT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 60...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | auf Bestellung 7788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5550LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 101000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5550LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 5052 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5550LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 216000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5550LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3 Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5550LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 216000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5550LT1G | ON-Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5550LT1G MMBT5550LT3G MMBT5500 TMMBT5550 Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MMBT5550LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 5052 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5550LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 160000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5550LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 40000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5550LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 160000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5550LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 160000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5550LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3417 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5550LT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3 Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 3729 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT5550LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5550LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5550LT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT5550LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 30142 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5550LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3417 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 286 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5550LT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR NPN 160V | auf Bestellung 17668 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT5550LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5550LT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 225 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5550LT3G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 600mA; 225mW; SOT23; universal Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Current gain: 60 Mounting: SMD Application: universal | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5550LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5551 | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN | auf Bestellung 12733 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT5551 | HY Electronic (Cayman) Limited | Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT5551 | FUXINSEMI | Transistor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO; MMBT5551 SOT23(T/R)3000) FUXINSEMI TMMBT5551 FUX Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 14995 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MMBT5551 | Good-Ark Semiconductor | Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23 | auf Bestellung 3362 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT5551 | Yangzhou Yangjie Electronic | NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5551 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT5551 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 80...250 Mounting: SMD Frequency: 100...300MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5551 | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT5551 | FAIRCHILD | Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 205639 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5551 | LITEON | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| MMBT5551 | EVVO | Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23 | auf Bestellung 2637 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT5551 | HOTTECH | Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MMBT5551 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT5551 Produktcode: 200829
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Lieblingsprodukt
| Jingdao | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: SOT-23 Transitfrequenz fT: 300 МГц Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 В Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 В Kollektorstrom Ic, A: 0,6 А Stromverstärkung h21: 250 Montage: SMD | auf Bestellung: 1004 St.
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| MMBT5551 | DIOTEC | Description: DIOTEC - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5551 | onsemi | Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5551 | Microdiode Electronics (MDD) | Transistor Diode | auf Bestellung 5589000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5551 | Rectron | Bipolar Transistors - BJT SOT23,NPN,0.6A,160V,HighVolt | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 21000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5551 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: TRANS NPN 160V 600MA SOT-23 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT5551 | JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH | 160V 300mW 200@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) MMBT5551 SOT23(T/R) CJ TMMBT5551 CJ Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MMBT5551 | Good-Ark Semiconductor | Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT5551 | HOTTECH | NPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, h21=50...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5551 | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3 | auf Bestellung 205639 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT5551 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 374408 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5551 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 30...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz | auf Bestellung 221750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5551 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GEN PUR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5551 | GOODWORK | Description: SOT-23 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT5551 | MDD(Microdiode Electronics) | Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-E; MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551; MMBT5551 TMMBT5551 MDD Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MMBT5551 | EVVO | Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5551 | Diotec | MMBT5551-DIO NPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, h21=80...250, 0.25Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5551 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L | auf Bestellung 3468 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT5551 Produktcode: 160587
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| Yangjie | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: SOT-23 Transitfrequenz fT: 300 МГц Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 В Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 В Kollektorstrom Ic, A: 0,6 А Stromverstärkung h21: 300 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| MMBT5551 | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5551 | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW | auf Bestellung 21138 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT5551 | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5551 | HT Jinyu Semiconductor | NPN Transistor | auf Bestellung 166665000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5551 | MDD | Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23 | auf Bestellung 504000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT5551 | AnBon | Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MMBT5551 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN | auf Bestellung 2419 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT5551 | DIOTEC | Description: DIOTEC - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5551 | onsemi | Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3 | auf Bestellung 377408 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT5551 | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 221750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5551 (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 4153
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| Fairchild | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: SOT-23 Transitfrequenz fT: 300 MHz Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 V Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 V Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A Stromverstärkung h21: 250 Montage: SMD | verfügbar: 150 St.
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