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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MMBT5401WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401WT1GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 400 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401WT1GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 400 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401WT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.2W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401_NLFSC00+ BGA
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MMBT5401_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
99+0.21 EUR
159+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401_R1_00001PanjitBipolar Transistors - BJT HIGHVOLTAGETRANSISTORPNPSilicon VCE-150V IC-500mA SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401_R1_00001PanJitTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2021+0.086 EUR
2794+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2021 Stücke
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MMBT5401_R1_10001PanjitBipolar Transistors - BJT HIGHVOLTAGETRANSISTORPNPSilicon VCE-150V IC-500mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401_R2_00001PanjitBipolar Transistors - BJT HIGHVOLTAGETRANSISTORPNPSilicon VCE-150V IC-500mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401_R2_10001PanjitBipolar Transistors - BJT HIGHVOLTAGETRANSISTORPNPSilicon VCE-150V IC-500mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
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MMBT5550onsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A SOT-23-3
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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MMBT5550RectronBipolar Transistors - BJT SOT23 NPN 0.6A 160V HighVolt
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 21000 Stücke
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MMBT5550Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 160V 400@10MA,5V 300MW 600MA SOT
Produkt ist nicht verfügbar
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MMBT5550RectronSOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(NPN)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 160V 400@10MA,5V 300MW 600MA SOT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT5550NS
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MMBT5550onsemiBipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Produkt ist nicht verfügbar
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MMBT5550(1F)
auf Bestellung 20250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MMBT5550-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 140V 0.6A SOT-23-3
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 8453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4537+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4537 Stücke
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MMBT5550-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 225mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT5550-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT-23
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT NPN 160Vcbo 140Vceo 6Vebo 6Vebo 225mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT-23
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
112+0.19 EUR
182+0.12 EUR
500+0.084 EUR
1000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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MMBT5550L
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MMBT5550Lonsemi SS SOT23 HV XSTR NPN 160V
Produkt ist nicht verfügbar
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MMBT5550LT1ONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5550LT1 - MMBT5550LT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 35060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 18000 Stücke
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MMBT5550LT1ON07+;
auf Bestellung 17450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT1onsemiBipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT1onsemiDescription: TRANS SS NPN 140V HV SOT23
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 34060 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7869+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 7869 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
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MMBT5550LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 60...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 7788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
695+0.12 EUR
1017+0.083 EUR
1200+0.071 EUR
1725+0.049 EUR
1993+0.043 EUR
2165+0.039 EUR
3000+0.035 EUR
6000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT1GOn SemiconductorNPN 140V 0.6A SOT-23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
736+0.35 EUR
1356+0.17 EUR
1950+0.11 EUR
2703+0.08 EUR
3087+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 736 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS HV XSTR NPN 160V
auf Bestellung 70312 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+0.27 EUR
21+0.17 EUR
100+0.1 EUR
500+0.074 EUR
1000+0.065 EUR
3000+0.048 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 101000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11858+0.055 EUR
100000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 11858 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 216000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3704+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3704 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7018+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 7018 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
736+0.35 EUR
1356+0.17 EUR
1950+0.11 EUR
2703+0.08 EUR
3087+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 736 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 216000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3704+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3704 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT1GON-SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5550LT1G MMBT5550LT3G MMBT5500 TMMBT5550
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4150+0.061 EUR
9000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11858+0.055 EUR
100000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 11858 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 160000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
704+0.25 EUR
1185+0.14 EUR
1927+0.083 EUR
2689+0.057 EUR
3413+0.043 EUR
3534+0.04 EUR
5000+0.033 EUR
10000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 704 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT3GonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 160000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 40000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
478+0.36 EUR
828+0.2 EUR
1336+0.12 EUR
1856+0.083 EUR
2278+0.064 EUR
2500+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 478 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1812+0.095 EUR
2223+0.075 EUR
2500+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 1812 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT3GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5550LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 30142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16556+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 16556 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15874+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 15874 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 286 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 600mA; 225mW; SOT23; universal
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Current gain: 60
Mounting: SMD
Application: universal
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT3GonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
96+0.21 EUR
154+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
2000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1413+0.12 EUR
1969+0.086 EUR
2494+0.067 EUR
2591+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 1413 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS HV XSTR NPN 160V
auf Bestellung 74377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.075 EUR
5000+0.074 EUR
10000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 160000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 40000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551Diotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
auf Bestellung 10635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+0.25 EUR
20+0.18 EUR
100+0.14 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.077 EUR
9000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551MDDDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
auf Bestellung 504000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.19 EUR
257+0.082 EUR
419+0.05 EUR
587+0.036 EUR
1000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 176949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2653+0.064 EUR
3258+0.052 EUR
6000+0.044 EUR
9000+0.042 EUR
21000+0.037 EUR
30000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 2653 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551onsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
auf Bestellung 377408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5769+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 5769 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 374408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8696+0.074 EUR
10000+0.065 EUR
100000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 8696 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551DIOTECTranzystor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO; MMBT5551 TMMBT5551
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LITEON
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551HY Electronic (Cayman) LimitedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+101.13 EUR
100+84.28 EUR
1000+67.41 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
auf Bestellung 2952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+0.21 EUR
162+0.13 EUR
265+0.08 EUR
500+0.057 EUR
1000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Current gain: 30...250
auf Bestellung 176939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
625+0.13 EUR
770+0.11 EUR
1276+0.067 EUR
1954+0.044 EUR
2203+0.038 EUR
3000+0.032 EUR
6000+0.03 EUR
9000+0.027 EUR
21000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 625 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.035 EUR
6000+0.03 EUR
9000+0.029 EUR
15000+0.026 EUR
21000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551Diotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.054 EUR
6000+0.048 EUR
9000+0.045 EUR
15000+0.042 EUR
21000+0.039 EUR
30000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551AnBonTransistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551HOTTECHNPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, h21=50...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551
Produktcode: 200829
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JingdaoTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 А
Stromverstärkung h21: 250
Montage: SMD
erwartet: 6000 St.
  • 6000 St. - erwartet 05.10.2026
auf Bestellung: 304 St.
  • 304 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.055 EUR
10+0.031 EUR
100+0.025 EUR
1000+0.019 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551RectronBipolar Transistors - BJT SOT23,NPN,0.6A,160V,HighVolt
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 21000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551EVVODescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
auf Bestellung 2537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
91+0.24 EUR
145+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551YANGJIE TECHNOLOGYCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3922+0.044 EUR
6000+0.042 EUR
9000+0.032 EUR
15000+0.031 EUR
21000+0.029 EUR
30000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 3922 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551onsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551MDD(Microdiode Electronics)Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-E; MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551; MMBT5551 TMMBT5551 MDD
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1100+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 1100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551DIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
878+0.29 EUR
1176+0.2 EUR
1407+0.15 EUR
1755+0.12 EUR
2033+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 878 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551Microdiode Electronics (MDD)Transistor Diode
auf Bestellung 5955000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.025 EUR
2976000+0.023 EUR
4464000+0.02 EUR
5952000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551DiotecMMBT5551-DIO NPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, h21=80...250, 0.25Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551onsemiBipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GEN PUR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.Description: TRANS NPN 160V 600MA SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
200+0.1 EUR
334+0.063 EUR
556+0.038 EUR
795+0.026 EUR
1000+0.023 EUR
3000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.04 EUR
6000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4855+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 4855 Stücke
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MMBT5551Fairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
auf Bestellung 203639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5769+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 5769 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551FAIRCHILDTrans GP BJT NPN 160V 0.06A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 203639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8696+0.074 EUR
10000+0.065 EUR
100000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 8696 Stücke
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MMBT5551HOTTECHTransistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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MMBT5551
Produktcode: 160587
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YangjieTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 А
Stromverstärkung h21: 300
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
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