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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MMBT5551Microdiode Electronics (MDD)Transistor Diode
auf Bestellung 5955000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.025 EUR
2976000+0.023 EUR
4464000+0.02 EUR
5952000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551onsemiBipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GEN PUR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.Description: TRANS NPN 160V 600MA SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
200+0.1 EUR
334+0.063 EUR
556+0.038 EUR
795+0.026 EUR
1000+0.023 EUR
3000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.04 EUR
6000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551Fairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
auf Bestellung 203639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5769+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 5769 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4855+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 4855 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551HOTTECHTransistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551FAIRCHILDTrans GP BJT NPN 160V 0.06A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 203639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8696+0.074 EUR
10000+0.065 EUR
100000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 8696 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551
Produktcode: 160587
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YangjieTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 А
Stromverstärkung h21: 300
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.058 EUR
10+0.036 EUR
100+0.027 EUR
1000+0.019 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 4153
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FairchildTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
Stromverstärkung h21: 250
Montage: SMD
verfügbar: 150 St.
  • 150 St. - stock Köln
1+0.079 EUR
10+0.051 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.033 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 G1N/ASOT-23 05+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 G1WEJTransistor NPN; 30; 200mW; 30V; 600mA; 300MHz SOT23; WEJ; Bipolar tranzistor MMBT5551 G1 WEJ TMMBT5551 G1 WEJ
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 14995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1500+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551(G1)
auf Bestellung 7429 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551(RANGE:200-300)JSCJTRANS NPN 160V 600mA SOT-23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-13PMicro Commercial ComponentsNPN Plastic Encapsulate Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-13PMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-13PMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-7DIODES07+ SOT-23
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Current gain: 80...250
auf Bestellung 4352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+0.32 EUR
363+0.24 EUR
577+0.14 EUR
702+0.12 EUR
1011+0.084 EUR
1208+0.07 EUR
1500+0.065 EUR
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1676+0.1 EUR
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1676 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
424+0.6 EUR
953+0.24 EUR
1102+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 424 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.46 EUR
73+0.29 EUR
89+0.24 EUR
102+0.2 EUR
117+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-7-FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS NPN 300mW
auf Bestellung 4927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.54 EUR
12+0.29 EUR
100+0.2 EUR
500+0.18 EUR
3000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
565+0.31 EUR
885+0.19 EUR
905+0.18 EUR
1006+0.15 EUR
1676+0.088 EUR
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 565 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.6 EUR
953+0.24 EUR
1102+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-AQDiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-AQDiotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
646+0.39 EUR
1271+0.18 EUR
2584+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 646 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-AQDiotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-AQDiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
750+0.45 EUR
1500+0.23 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-AQDiotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
646+0.39 EUR
1271+0.18 EUR
2584+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 646 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-AQDiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Frequency: 100...300MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-AU-R1-000A1PanjitBipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN HV SOT23 160V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-AU-R1-000A2PanjitBipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN HV SOT23 160V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.25W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Frequency: 100MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-AU_R1_000A2Panjit International Inc.Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-AU_R1_000A2Panjit International Inc.Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-AU_R1_000A2PanjitBipolar Transistors - BJT NPNHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE160V IC600mA SOT-23 AEC-Q101 Qualified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-AU_R1_005A1Panjit Automotive Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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MMBT5551-B
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MMBT5551-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: NPN TRANS 160V 0.6A SOT-23-3L
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MMBT5551-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: NPN TRANS 160V 0.6A SOT-23-3L
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MMBT5551-GComchip TechnologyRF Bipolar Transistors VCEO=160V IC=600mA
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MMBT5551-G1
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MMBT5551-HFComchip TechnologyDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
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MMBT5551-HFComchip TechnologyGeneral Purpose Transistors
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MMBT5551-HFComchip TechnologyBipolar Transistors - BJT TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
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6000+0.077 EUR
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MMBT5551-HFComchip TechnologyDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
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MMBT5551-MLMOSLEADERDescription: 0.3W 5V 0.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
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MMBT5551-NL
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MMBT5551-R1-00001PanjitBipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN HV SOT23 160V
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MMBT5551-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - MMBT5551-TP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MMBT5551-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
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91+0.23 EUR
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MMBT5551-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - MMBT5551-TP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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681+0.35 EUR
1108+0.19 EUR
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MMBT5551-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V
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MMBT5551-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.06 EUR
6000+0.052 EUR
9000+0.05 EUR
15000+0.045 EUR
21000+0.044 EUR
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MMBT5551-TP-HFMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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8334+0.02 EUR
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MMBT5551-TP-HF-B002Micro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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MMBT5551/3SFAIR
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MMBT5551/G1MOTO
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MMBT5551CT1
auf Bestellung 60000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551DW1T1G
auf Bestellung 30000 Stücke:
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MMBT5551G-B-AE3-RUTCSOT-23 09+
auf Bestellung 63000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551G1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551GSOT-23T
auf Bestellung 10000 Stücke:
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MMBT5551HE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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MMBT5551HE3-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
auf Bestellung 4738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
434+0.19 EUR
711+0.12 EUR
1047+0.081 EUR
1309+0.065 EUR
1429+0.06 EUR
3000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 434 Stücke
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MMBT5551HE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
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MMBT5551HE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT5551HE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.39 EUR
87+0.24 EUR
140+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551L
auf Bestellung 10667 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MMBT5551LonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 HV XSTR NPN 160V
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MMBT5551L(G1L)
auf Bestellung 26970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MMBT5551LGonsemiBipolar Transistors - BJT
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MMBT5551LT1ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1onsemiBipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1/
auf Bestellung 76800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MMBT5551LT1GON SemiconductorТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 160, Ic = 600 мА, Тип монт. = smd, hFE = 80 @ 10 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,2 @ 5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 281 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
715+0.24 EUR
1216+0.13 EUR
1863+0.086 EUR
2353+0.065 EUR
2681+0.055 EUR
7247+0.019 EUR
7353+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 715 Stücke
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MMBT5551LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
685+0.37 EUR
1208+0.19 EUR
1780+0.12 EUR
2458+0.087 EUR
2802+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1GON-SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5551LT3G MMBT5551LT1 MMBT5551LT1G TMMBT5551 ON
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 19840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9346+0.069 EUR
10490+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 9346 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12030000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7463+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 7463 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
auf Bestellung 232885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+0.29 EUR
19+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3774+0.067 EUR
9000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3774 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 514290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
117+0.18 EUR
190+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1GOn SemiconductorNPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
auf Bestellung 289 Stücke:
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110+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1863+0.093 EUR
2353+0.073 EUR
2681+0.062 EUR
7247+0.023 EUR
7353+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 1863 Stücke
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MMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12030000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7463+0.023 EUR
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MMBT5551LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 80...250
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
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MMBT5551LT1GON-SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5551LT3G MMBT5551LT1 MMBT5551LT1G TMMBT5551 ON
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1981 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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