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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SSM3K35AFS,LFToshibaMOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
auf Bestellung 114748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.46 EUR
11+0.32 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.092 EUR
3000+0.071 EUR
9000+0.058 EUR
24000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AFS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 1776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
506+0.33 EUR
706+0.24 EUR
713+0.23 EUR
1595+0.095 EUR
1611+0.09 EUR
1624+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 506 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AFS,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin SSM
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 227 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AFS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
524+0.48 EUR
841+0.27 EUR
2050+0.1 EUR
2289+0.094 EUR
2591+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 524 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AFS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
524+0.48 EUR
841+0.27 EUR
2050+0.1 EUR
2289+0.094 EUR
2591+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 524 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 6185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
512+0.33 EUR
820+0.2 EUR
828+0.19 EUR
1299+0.12 EUR
1323+0.11 EUR
1815+0.077 EUR
2445+0.055 EUR
3000+0.045 EUR
6000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 512 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
auf Bestellung 117936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
84+0.25 EUR
117+0.18 EUR
135+0.15 EUR
500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3FToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
auf Bestellung 61274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.42 EUR
14+0.25 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.088 EUR
5000+0.071 EUR
8000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 6185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1323+0.13 EUR
1815+0.093 EUR
2445+0.067 EUR
3000+0.055 EUR
6000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1323 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
auf Bestellung 112000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.071 EUR
24000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3F(BToshibaSSM3K35AMFV,L3F(B
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3F(BToshibaSSM3K35AMFV,L3F(B
auf Bestellung 14398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
974+0.18 EUR
1007+0.17 EUR
2500+0.15 EUR
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 974 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 6153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
582+0.43 EUR
944+0.25 EUR
1511+0.14 EUR
2075+0.1 EUR
2646+0.081 EUR
5000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 582 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.13 EUR
48000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40000+0.14 EUR
48000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3F(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 250mA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.25A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 6153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
582+0.43 EUR
944+0.25 EUR
1511+0.14 EUR
2075+0.1 EUR
2646+0.081 EUR
5000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 582 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 23110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1367+0.12 EUR
1469+0.11 EUR
1670+0.098 EUR
2000+0.092 EUR
8000+0.086 EUR
16000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 1367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 180MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
auf Bestellung 7682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.48 EUR
72+0.29 EUR
116+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
2000+0.1 EUR
5000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 180MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CT,L3FToshibaMOSFETs SOT883 N-CH 20V .18A
auf Bestellung 19505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
12+0.3 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
5000+0.092 EUR
10000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.074 EUR
30000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.074 EUR
30000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 8720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
466+0.54 EUR
758+0.31 EUR
1211+0.18 EUR
2115+0.1 EUR
5000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 466 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
auf Bestellung 2170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1177+0.14 EUR
1265+0.13 EUR
2106+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 1177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CTC,L3FToshibaMOSFETs Small-Signal MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
auf Bestellung 2170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
370+0.46 EUR
533+0.31 EUR
538+0.3 EUR
1177+0.13 EUR
1181+0.12 EUR
1265+0.11 EUR
2106+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 370 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
auf Bestellung 18771 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
63+0.33 EUR
87+0.24 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CTC,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C
auf Bestellung 9950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1068+0.15 EUR
2500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1068 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CTC,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST-C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST-C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CTC,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST-C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST-C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CTL3F(TToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CTTPL3
auf Bestellung 15310 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35FSToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV(TPL3)ToshibaMOSFET Singel N-ch 20V 0.18A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV(TPL3)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.18A 3-Pin VESM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV,L3FToshibaMOSFET Small-signal FET 0.18A 20V 20Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.089 EUR
24000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 4860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
466+0.54 EUR
1104+0.21 EUR
1415+0.15 EUR
2106+0.1 EUR
4000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 466 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.089 EUR
24000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV,L3XGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3XGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 5435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
356+0.7 EUR
834+0.27 EUR
1059+0.2 EUR
1241+0.18 EUR
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV,L3XGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3XGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 5435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
356+0.7 EUR
834+0.27 EUR
1059+0.2 EUR
1241+0.18 EUR
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFVL3F(TToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFVL3XGF(TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361RToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LFToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET
auf Bestellung 96231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.62 EUR
10+0.39 EUR
100+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
auf Bestellung 6317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.59 EUR
22+1 EUR
50+0.73 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LF(BToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
473+0.36 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 473 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
auf Bestellung 5875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.86 EUR
235+0.99 EUR
298+0.71 EUR
500+0.52 EUR
1500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.76 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LXGF(TToshibaSilicon N-channel MOS Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
409+0.42 EUR
411+0.4 EUR
503+0.32 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 409 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
auf Bestellung 6099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
197+1.18 EUR
250+0.86 EUR
500+0.62 EUR
1500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
auf Bestellung 6099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
197+1.18 EUR
250+0.86 EUR
500+0.62 EUR
1500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
50+0.9 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LXHFToshibaMOSFETs N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
auf Bestellung 5613 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.7 EUR
10+1.09 EUR
100+0.74 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.45 EUR
6000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LXHF(BToshibaSSM3K361R,LXHF(B
auf Bestellung 338 Stücke:
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SSM3K361R,LXHF(BToshibaMOSFETs SOT23 100V 3.5A N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LXHF(BToshibaSSM3K361R,LXHF(B
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344+0.5 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+2.36 EUR
170+1.37 EUR
258+0.83 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+2.36 EUR
170+1.37 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361RLF(TToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361RLXGF(TToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
auf Bestellung 6401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
484+0.36 EUR
565+0.3 EUR
568+0.29 EUR
647+0.25 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 484 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
448+0.38 EUR
479+0.35 EUR
484+0.32 EUR
565+0.27 EUR
568+0.26 EUR
647+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 448 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
auf Bestellung 6402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
23+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
374+0.45 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.4 EUR
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 374 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LF(TToshibaSilicon N-channel MOS
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 174 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.71 EUR
239+0.98 EUR
367+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6773 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.87 EUR
18+1.17 EUR
100+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin UFM
auf Bestellung 2118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
381+0.45 EUR
382+0.44 EUR
432+0.38 EUR
436+0.37 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 381 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT323
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LXHFToshibaMOSFETs N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
auf Bestellung 5774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.67 EUR
100+0.51 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin UFM
auf Bestellung 2118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
364+0.46 EUR
378+0.43 EUR
381+0.42 EUR
382+0.39 EUR
432+0.33 EUR
436+0.32 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 364 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin UFM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LXHF(BToshibaMOSFETs SOT346 100V 3.5A N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LXHF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
302+0.56 EUR
315+0.54 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 302 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.9 EUR
399+0.58 EUR
544+0.39 EUR
562+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.9 EUR
399+0.58 EUR
544+0.39 EUR
562+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FSTOS
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FSToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSF N CHANNEL 20V500MA SSM
auf Bestellung 2264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSF N CHANNEL 20V500MA SSM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSF N CHANNEL 20V500MA SSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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