Produkte > DMN
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN2024UQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024UQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K | auf Bestellung 2619 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2024UQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2024UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 5865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2024UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 313460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2024UQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2024UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung: 800mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm | auf Bestellung 1065 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2024UQ-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 384000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2024UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 312000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2024UTS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 890mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | auf Bestellung 87500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2024UTS-13 | Diodes Zetex | High Enhancement Mode MOSFET | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2024UTS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 890mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | auf Bestellung 89867 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2024UTS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | auf Bestellung 1268 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2024UVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-23-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024UVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024UVT-13 | Diodes Zetex | High Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024UVT-7 | Diodes Zetex | High Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-23-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024UVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024UVTQ-13 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024UVTQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024UVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024UVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2024UVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024UVTQ-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024UVTQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2024UVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.024 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2024UVTQ-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2024UVTQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2024UVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.024 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2025U | Diodes Incorporated | Description: DIODE Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2025U-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 1 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2025U-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2025U-13 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2025U-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2025U-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2025U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V | auf Bestellung 9699 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2025U-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2025U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2025UFDB | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2025UFDB-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2025UFDB-13 | Diodes Zetex | Dual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2025UFDB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2025UFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2025UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.025 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2025UFDB-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6A 6-Pin UDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2025UFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 21000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2025UFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2025UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.025 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2025UFDB-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 35A; 1.4W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.8A Pulsed drain current: 35A Power dissipation: 1.4W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 31mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.3nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2025UFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K | auf Bestellung 2928 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2025UFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486 pF @ 10 V | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2025UFDF-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2025UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2025UFDF-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2025UFDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2025UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K | auf Bestellung 3018 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2025UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486 pF @ 10 V | auf Bestellung 2722 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2025UFDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2025UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2026UVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 20A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2026UVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-23-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2026UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2026UVT-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode Mosfet | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2026UVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 20A | auf Bestellung 2889 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2026UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2026UVT-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2027LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 11.6A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2027UPS-13 | Diodes Zetex | N Channel MOSFET | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2027UPS-13 | Diodes Zetex | N Channel MOSFET | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2027UPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 10A PWRDI5060 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 10 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2027UPS-13 | Diodes Zetex | N Channel MOSFET | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2027UPS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; Idm: 60A; 1.9W Case: PowerDI5060-8 Kind of package: 13 inch reel; tape On-state resistance: 19mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 1.9W Gate charge: 11.6nC Polarisation: unipolar Drain current: 8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±12V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2027UPS-13 | Diodes Zetex | N Channel MOSFET | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2027UPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 10A PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 10 V | auf Bestellung 12450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2027UPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 8V to 24V FET Access Point Min RDSon | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2027USS | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2027USS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 1360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2027USS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2027USS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 29090 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2027USS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2027USS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 29090 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2028UFDF-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; Idm: 40A; 1.31W Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 18nC Polarisation: unipolar Drain current: 7.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 95mΩ Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 1.31W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2028UFDF-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2028UFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2028UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 40A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2028UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2028UFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2028UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2028UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 40A | auf Bestellung 1552 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2028UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V | auf Bestellung 14253 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2028UFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2028UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2028UFDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2028UFDH-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3030-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2028UFDH-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-Pin PowerDI T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2028UFDH-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3030-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2028UFDH-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs DUAL N-CH MOSFET 20V | auf Bestellung 1937 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2028UFDH-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-Pin PowerDI T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2028UFU-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN Part Status: Active Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4nC @ 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2028UFU-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 40A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2028UFU-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B) Part Status: Active | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2028UFU-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 40A | auf Bestellung 2582 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2028UFU-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2028UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.0153 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0153ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2030 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0153ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2028UFU-7 | Diodes Zetex | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2028UFU-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B) Part Status: Active | auf Bestellung 8473 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2028UFU-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2028UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.0153 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0153ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2030 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0153ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN2028USS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2028USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.56W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|