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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTBL048N60S5HonsemiDescription: MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 297W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5.6mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5277 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL050N65GN1TXGonsemiDescription: GAN FET, 650V, 39M, TOLL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL050N65GN1TXGonsemiGaN FETs 650V, 50MR LGAN TOLL
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 143-147 Tag (e)
1+20.53 EUR
10+14.88 EUR
100+12.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL050N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 49A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL050N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL050N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49 A, 0.0425 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 305W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0425ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0425ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.94 EUR
14+17.03 EUR
100+13.65 EUR
500+11.44 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL050N65S3HonsemiDescription: MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.4 EUR
10+16.26 EUR
50+13.21 EUR
100+12.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL050N65S3HonsemiMOSFETs SF3 650V FAST 50MOHM TOLL
auf Bestellung 1699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.41 EUR
10+12.63 EUR
100+12.35 EUR
1000+12.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL050N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 49A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL050N65S3HONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 49A; Idm: 132A; 305W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 305W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL050N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL050N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49 A, 0.0425 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0425ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.94 EUR
14+17.03 EUR
100+13.65 EUR
500+11.44 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL050N65S3HonsemiDescription: MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL060N065SC1onsemiDescription: M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL060N065SC1onsemiSiC MOSFETs M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH TOLL
auf Bestellung 1983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.35 EUR
10+10.14 EUR
100+9.37 EUR
500+9.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 1986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.34 EUR
35+5.03 EUR
36+4.87 EUR
100+4.65 EUR
250+4.57 EUR
500+4.49 EUR
1000+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 1986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL060N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.07 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.29 EUR
16+14.66 EUR
19+11.4 EUR
50+10.47 EUR
100+8.78 EUR
250+8.62 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL060N065SC1onsemiDescription: M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
auf Bestellung 1973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.27 EUR
10+12.54 EUR
50+10.09 EUR
100+9.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL060N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.07 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.72 EUR
15+16.43 EUR
18+12.55 EUR
50+11.54 EUR
100+8.97 EUR
250+8.81 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL061N60S5HonsemiDescription: MOSFET - POWERN CHANNEL, SUPERFE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL070N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL070N65S3ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; Idm: 110A; 312W; H-PSOF8L
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
Case: H-PSOF8L
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 312W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 82nC
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL070N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 3238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+12.13 EUR
100+11.35 EUR
500+10.53 EUR
1000+9.71 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL070N65S3onsemiMOSFETs SF3 650V EASY 70MOHM KELVIN SENSE TOLL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL070N65S3onsemiDescription: SF3 650V EASY 70MOHM KELVIN SENS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL070N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+12.13 EUR
100+11.35 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL075N065SC1onsemiDescription: M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
auf Bestellung 1877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.31 EUR
10+11.1 EUR
50+8.88 EUR
100+8.16 EUR
500+8.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL075N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.085 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.4 EUR
19+12.28 EUR
23+9.47 EUR
50+8.22 EUR
100+6.99 EUR
250+6.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL075N065SC1onsemiSiC MOSFETs M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH TOLL
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.98 EUR
10+8.71 EUR
100+8.02 EUR
500+7.52 EUR
1000+7.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL075N065SC1onsemiDescription: M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL075N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.085 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.4 EUR
19+12.28 EUR
23+9.47 EUR
50+8.22 EUR
100+6.99 EUR
250+6.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.46 EUR
25+7.19 EUR
100+6.91 EUR
250+6.7 EUR
500+6.49 EUR
1000+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.29 EUR
25+6.91 EUR
100+6.54 EUR
250+6.18 EUR
500+5.83 EUR
1000+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL080N60S5HonsemiDescription: MOSFET - POWERNCHANNEL, SUPERFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 3.3mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL082N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 1930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.95 EUR
25+8.62 EUR
100+8.29 EUR
250+8.03 EUR
500+7.78 EUR
1000+7.47 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL082N65S3HFonsemiDescription: NTBL082N65S3HF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 400 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+8.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL082N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL082N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.15 EUR
21+11.09 EUR
26+8.35 EUR
50+7.82 EUR
100+7.26 EUR
250+7.18 EUR
500+7.07 EUR
1250+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL082N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL082N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 11192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+10.1 EUR
100+9.45 EUR
500+8.77 EUR
1000+8.09 EUR
10000+7.5 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL082N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 1930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+10.23 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL082N65S3HFonsemiDescription: NTBL082N65S3HF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 400 V
auf Bestellung 7935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.82 EUR
10+12.26 EUR
25+11.38 EUR
100+10.4 EUR
250+10.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL082N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL082N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 313W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.09 EUR
26+9.03 EUR
100+5.76 EUR
500+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL082N65S3HFonsemiMOSFETs SF3 650V FRFET HF 82MOHM KELVIN SENSE TOLL
auf Bestellung 1667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.02 EUR
10+10.56 EUR
100+9.97 EUR
1000+9.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL095N65S3HonsemiDescription: SUPERFET3 FAST 95MOHM TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL095N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TOLL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL100N60S5HonsemiDescription: MOSFET - POWER,CHANNEL, SUPERFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.7mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2616 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL125N60S5HonsemiDescription: MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.1mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2036 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS001N06ConsemiMOSFETs NFET TOLL 60V 1.0MO
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.35 EUR
10+8.33 EUR
100+7.66 EUR
500+7.52 EUR
1000+7.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS001N06ConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS001N06CONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 422A; Idm: 900A; 284W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 422A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 284W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS001N06ConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
auf Bestellung 1311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.62 EUR
10+10.63 EUR
50+8.5 EUR
100+7.81 EUR
500+7.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS002N08MConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 28A/238A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 40 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.62 EUR
10+12.79 EUR
50+10.29 EUR
100+9.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS002N08MConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 28A/238A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 40 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+7.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS002N08MConsemiMOSFETs PTNG 80V
auf Bestellung 1958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.55 EUR
10+13.11 EUR
100+10.94 EUR
500+9.73 EUR
1000+9.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS0D7N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 470A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 314W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.84 EUR
50+15.85 EUR
100+12.55 EUR
500+10.92 EUR
1000+10.71 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS0D7N06ConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 470A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 314W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 661µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 30 V
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.42 EUR
10+12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS0D7N06ConsemiMOSFETs NFET TOLL 60V 0.75MO
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.15 EUR
10+11.79 EUR
100+11.13 EUR
500+9.9 EUR
1000+9.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS0D7N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 470A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 314W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.84 EUR
50+15.85 EUR
100+12.55 EUR
500+10.92 EUR
1000+10.71 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS0D7N06ConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 470A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 314W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 661µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS0D8N08XON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 457, Ciss, пФ @ Uds, В = 12920 @ 40, Qg, нКл = 174 @ 10, Rds = 790 мкОм, Ugs(th) = 3,6, Р, Вт = 325, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: H-PSOF8L-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS0D8N08XTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.77 EUR
17+14.29 EUR
20+11.14 EUR
50+10.54 EUR
100+9.91 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS0D8N08XTXG
Produktcode: 219030
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS0D8N08XTXGOn SemiconductorN-Channel 80 V 457A (Tc) 325W (Tc) Surface Mount 8-HPSOF Транзистори
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS0D8N08XTXGonsemiDescription: MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.51 EUR
10+11.21 EUR
50+8.94 EUR
100+8.21 EUR
500+8.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS0D8N08XTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 457A; Idm: 1629A; 325W
Power dissipation: 325W
Gate charge: 262nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 457A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: H-PSOF8L
On-state resistance: 0.79mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1629A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS0D8N08XTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.77 EUR
17+14.29 EUR
20+11.14 EUR
50+10.54 EUR
100+9.91 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS0D8N08XTXGonsemiDescription: MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS0D8N08XTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 457A 9-Pin(8+Tab) HPSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS0D8N08XTXGonsemiMOSFETs T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D1N08HON SemiconductorSingle N-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D1N08HonsemiMOSFETs T8-80V IN TOLL
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.02 EUR
10+11.27 EUR
100+9.12 EUR
500+8.1 EUR
1000+7.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D1N08HonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.93 EUR
10+10.84 EUR
50+8.66 EUR
100+7.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D1N08HONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D1N08HonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D1N08HONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 351A; Idm: 900A; 311W; H-PSOF8L
Case: H-PSOF8L
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 311W
Gate charge: 166nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 351A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.05mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D1N08XTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D1N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.72 EUR
21+11.11 EUR
100+7.74 EUR
500+6.43 EUR
1000+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D1N08XTXGonsemiMOSFETs T10 80V SG TOLL
auf Bestellung 1820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.2 EUR
10+8.65 EUR
100+6.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D1N08XTXGonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D1N08XTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D1N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.72 EUR
21+11.11 EUR
100+7.74 EUR
500+6.43 EUR
1000+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D1N08XTXGonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
auf Bestellung 1953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.85 EUR
10+7.94 EUR
50+6.26 EUR
100+5.72 EUR
500+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D5N08MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 1300 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 3942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.27 EUR
15+15.85 EUR
19+11.89 EUR
50+10.95 EUR
100+8.25 EUR
250+8.08 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D5N08MConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 32A/298A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8170 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D5N08MCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 298A; Idm: 4487A; 2.9W
Case: H-PSOF8L
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 4487A
Power dissipation: 2.9W
Gate charge: 111nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 298A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.53mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D5N08MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 1300 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 3942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.94 EUR
16+15.07 EUR
19+11.57 EUR
50+10.22 EUR
100+8.25 EUR
250+8.08 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D5N08MConsemiMOSFETs PTNG 80V IN TOLL
auf Bestellung 5956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.64 EUR
10+9.72 EUR
100+9.03 EUR
1000+8.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D5N08MConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 32A/298A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8170 pF @ 40 V
auf Bestellung 1385 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.95 EUR
10+12.3 EUR
50+9.89 EUR
100+9.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D5N10MCTXGonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 312A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
auf Bestellung 2486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.03 EUR
10+12.36 EUR
50+9.92 EUR
100+9.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D5N10MCTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 312A; Idm: 2055A; 161W
Case: H-PSOF8L
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 2055A
Power dissipation: 161W
Gate charge: 131nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 312A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D5N10MCTXGonsemiMOSFETs PTNG 100V STD TOLL
auf Bestellung 1505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.3 EUR
10+9.48 EUR
100+8.79 EUR
1000+8.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D5N10MCTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 312 A, 1500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 312A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 322W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 3886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+20.87 EUR
15+16.31 EUR
18+12.21 EUR
50+11.22 EUR
100+9.26 EUR
250+9.06 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D5N10MCTXGonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 312A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D5N10MCTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 312 A, 1500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 312A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 322W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 3886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+20.87 EUR
15+16.31 EUR
18+12.21 EUR
50+11.22 EUR
100+9.26 EUR
250+9.06 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D7N08HONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D7N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 1290 µohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1290µohm
auf Bestellung 797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.27 EUR
18+13.04 EUR
19+11.51 EUR
50+9.75 EUR
100+8.91 EUR
250+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D7N08HonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
auf Bestellung 5930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.92 EUR
10+8.33 EUR
100+6.75 EUR
500+6 EUR
1000+5.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D7N08HONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D7N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 1290 µohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00129ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1290µohm
auf Bestellung 797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.27 EUR
18+13.04 EUR
19+11.51 EUR
50+9.75 EUR
100+8.91 EUR
250+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D7N08HonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D7N08HONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 203A; Idm: 1173A; 83W; H-PSOF8L
Case: H-PSOF8L
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 1173A
Power dissipation: 83W
Gate charge: 121nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 203A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D7N08HonsemiMOSFETs T8-80V IN TOLL FOR INDUSTRIAL MARKET
auf Bestellung 3281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.34 EUR
10+7.39 EUR
100+6.33 EUR
500+5.74 EUR
1000+5.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS1D7N10MCTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 272A; Idm: 2137A; 147W
Case: H-PSOF8L
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 2137A
Power dissipation: 147W
Gate charge: 115nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 272A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH