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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTBGS6D5N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 15A/121A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 379µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4745 pF @ 75 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+8.64 EUR
1600+7.28 EUR
2400+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS6D5N15MCON Semiconductor
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS6D5N15MConsemiMOSFETs Power MOSFET, 150 V, 6.5 mohm, A, Single N-Channel, D2PAK7
auf Bestellung 1229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.69 EUR
10+5.71 EUR
800+5.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS6D5N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS6D5N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 121 A, 5500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 238W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.13 EUR
500+6.21 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBKBAG156STARTECHDescription: STARTECH - NTBKBAG156 - Laptop-Rucksack für 15.6"-Laptop, abnehmbare Zubehörtasche, robuster IT-Technik-Rucksack
tariffCode: 42021110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - imperial: 16.7"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Außentiefe - metrisch: 324mm
Außenhöhe - metrisch: 425mm
Außentiefe - imperial: 12.8"
Gehäusefarbe: Schwarz
SVHC: To Be Advised
Außenbreite - metrisch: 203mm
Koffermaterial: 1680d ballistisches Nylon
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Außenbreite - Zoll: 8"
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+511.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBKBAG173STARTECHDescription: STARTECH - NTBKBAG173 - Laptop-Rucksack für 17.3"-Laptop, abnehmbare Zubehörtasche, robuster IT-Technik-Rucksack
tariffCode: 42021291
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
Außenhöhe - imperial: 17.7"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: Y
Außentiefe - metrisch: 335.3mm
Außenhöhe - metrisch: 450mm
Außentiefe - imperial: 13.2"
Gehäusefarbe: Schwarz
SVHC: To Be Advised
Außenbreite - metrisch: 195.6mm
Koffermaterial: 1680d ballistisches Nylon
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Außenbreite - Zoll: 7.7"
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+528.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL012N065M3SonsemiDescription: ELITESIC, 12 MOHM, 650V, M3S, TO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL012N065M3SonsemiSiC MOSFETs EliteSiC, 12 mohm, 650V, M3S, TOLL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL012N065M3SonsemiDescription: ELITESIC, 12 MOHM, 650V, M3S, TO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL012N065M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 142A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL016N065M3SonsemiDescription: ELITESIC, 16 MOHM, 650V, M3S, TO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL016N065M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 103A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL016N065M3SonsemiDescription: ELITESIC, 16 MOHM, 650V, M3S, TO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL016N065M3SonsemiSiC MOSFETs EliteSiC, 16 mohm, 650V, M3S, TOLL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL023N065M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
auf Bestellung 1745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.01 EUR
10+20.48 EUR
100+15.68 EUR
500+15.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL023N065M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 77A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL023N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TOLL 23MOHM 650V M3S
auf Bestellung 1707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.46 EUR
10+20.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL023N65GN1TXGonsemiDescription: GAN FET, 650V, 16M, TOLL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL032N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TOLL 32MOHM 650V M3S
auf Bestellung 1423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.1 EUR
10+10.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL032N065M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1396 pF @ 400 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.4 EUR
10+10.5 EUR
100+7.72 EUR
500+6.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL032N065M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL032N065M3SONN
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL032N065M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 1855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.03 EUR
25+6.9 EUR
100+6.7 EUR
250+6.54 EUR
500+6.39 EUR
1000+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL032N065M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 1855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.03 EUR
25+6.65 EUR
100+6.34 EUR
250+6.03 EUR
500+5.74 EUR
1000+5.44 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL035N65GN1TXGonsemiDescription: GAN FET, 650V, 27M, TOLL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL045N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22.6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.97 EUR
10+17.42 EUR
100+14.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 73A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 73A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 73 A, 650 V, 0.05 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.31 EUR
50+15.15 EUR
100+12.08 EUR
500+11.97 EUR
1000+11.27 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL045N065SC1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 51A; Idm: 182A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 182A
Power dissipation: 174W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 73A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL045N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22.6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 73A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 1944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.4 EUR
18+9.58 EUR
25+7.96 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 73A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.82 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL045N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TOLL 650V
auf Bestellung 1364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.94 EUR
10+15.96 EUR
100+13.89 EUR
1000+12.92 EUR
2000+11.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 73 A, 650 V, 0.05 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.31 EUR
50+15.15 EUR
100+12.08 EUR
500+11.97 EUR
1000+11.27 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 73A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.4 EUR
18+9.37 EUR
25+7.66 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL045N065SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 18V, 73A, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+31.44 EUR
13+18.49 EUR
25+16.95 EUR
50+16.84 EUR
100+16.71 EUR
250+16.66 EUR
500+16.65 EUR
1000+16.62 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL045N065SC1ONN
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL048N60S5HONN
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL048N60S5HonsemiDescription: MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 297W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5.6mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5277 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL050N65GN1TXGonsemiDescription: GAN FET, 650V, 39M, TOLL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL050N65S3HONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 49A; Idm: 132A; 305W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 305W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL050N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 49A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL050N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL050N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49 A, 0.0425 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 305W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0425ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0425ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.94 EUR
14+17.03 EUR
100+13.65 EUR
500+11.44 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL050N65S3HonsemiMOSFETs SF3 650V FAST 50MOHM TOLL
auf Bestellung 1703 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.98 EUR
10+16.62 EUR
100+13.84 EUR
500+12.34 EUR
1000+11.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL050N65S3HonsemiDescription: MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 400 V
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.82 EUR
10+15.84 EUR
100+12.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL050N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL050N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49 A, 0.0425 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0425ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.94 EUR
14+17.03 EUR
100+13.65 EUR
500+11.44 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL050N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 49A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL050N65S3HonsemiDescription: MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL060N065SC1onsemiDescription: M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 1986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.25 EUR
35+4.81 EUR
100+4.55 EUR
250+4.47 EUR
500+4.39 EUR
1000+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL060N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.07 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.29 EUR
16+14.66 EUR
19+11.4 EUR
50+10.47 EUR
100+8.78 EUR
250+8.62 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 1986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.25 EUR
35+4.63 EUR
100+4.31 EUR
250+4.13 EUR
500+3.94 EUR
1000+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL060N065SC1onsemiDescription: M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
auf Bestellung 1973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.71 EUR
10+12.84 EUR
100+9.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL060N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.07 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.29 EUR
16+14.66 EUR
19+11.4 EUR
50+10.47 EUR
100+8.78 EUR
250+8.62 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL060N065SC1onsemiSiC MOSFETs M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH TOLL
auf Bestellung 1983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.35 EUR
10+11.71 EUR
100+9.45 EUR
500+9.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL061N60S5HonsemiDescription: MOSFET - POWERN CHANNEL, SUPERFE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL070N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+11.85 EUR
100+11.1 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL070N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL070N65S3onsemiMOSFETs SF3 650V EASY 70MOHM KELVIN SENSE TOLL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL070N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 3238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+11.85 EUR
100+11.1 EUR
500+10.29 EUR
1000+9.5 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL070N65S3ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; Idm: 110A; 312W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 312W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL070N65S3onsemiDescription: SF3 650V EASY 70MOHM KELVIN SENS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL075N065SC1onsemiSiC MOSFETs M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH TOLL
auf Bestellung 1969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.98 EUR
10+10.86 EUR
100+8.02 EUR
500+7.91 EUR
1000+7.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL075N065SC1onsemiDescription: M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+6.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL075N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.085 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.4 EUR
19+12.28 EUR
23+9.47 EUR
50+8.22 EUR
100+6.99 EUR
250+6.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.72 EUR
100+6.58 EUR
250+6.43 EUR
500+6.33 EUR
1000+6.24 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL075N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.085 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.4 EUR
19+12.28 EUR
23+9.47 EUR
50+8.22 EUR
100+6.99 EUR
250+6.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.58 EUR
100+6.33 EUR
250+6.09 EUR
500+5.84 EUR
1000+5.6 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL075N065SC1onsemiDescription: M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
auf Bestellung 29877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.28 EUR
10+11.09 EUR
100+8.15 EUR
500+8.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL080N60S5HonsemiDescription: MOSFET - POWERNCHANNEL, SUPERFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 3.3mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL082N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL082N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.15 EUR
21+11.09 EUR
26+8.35 EUR
50+7.82 EUR
100+7.26 EUR
250+7.18 EUR
500+7.07 EUR
1250+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL082N65S3HFONN
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL082N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 1930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.75 EUR
25+8.43 EUR
100+8.1 EUR
250+7.85 EUR
500+7.6 EUR
1000+7.31 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL082N65S3HFonsemiDescription: NTBL082N65S3HF
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+8.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL082N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL082N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 11192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+9.87 EUR
100+9.23 EUR
500+8.58 EUR
1000+7.91 EUR
10000+7.33 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL082N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL082N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 313W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.09 EUR
26+9.03 EUR
100+5.76 EUR
500+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL082N65S3HFonsemiMOSFETs SF3 650V FRFET HF 82MOHM KELVIN SENSE TOLL
auf Bestellung 1697 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.98 EUR
10+13.42 EUR
100+11.19 EUR
500+9.97 EUR
1000+9.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL082N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 1930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.56 EUR
25+8.12 EUR
100+7.68 EUR
250+7.25 EUR
500+6.83 EUR
1000+6.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL082N65S3HFonsemiDescription: NTBL082N65S3HF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 7935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.82 EUR
10+12.26 EUR
25+11.38 EUR
100+10.4 EUR
250+10.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL095N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TOLL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL095N65S3HonsemiDescription: SUPERFET3 FAST 95MOHM TOLL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL100N60S5HonsemiDescription: MOSFET - POWER,CHANNEL, SUPERFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.7mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2616 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL125N60S5HonsemiDescription: MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.1mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2036 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS001N06ConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+6.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS001N06CONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 422A; Idm: 900A; 284W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 422A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 284W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS001N06CON Semiconductor
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS001N06ConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
auf Bestellung 17342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.23 EUR
10+9.4 EUR
25+8.7 EUR
100+7.91 EUR
250+7.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS001N06ConsemiMOSFETs NFET TOLL 60V 1.0MO
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.5 EUR
10+8.16 EUR
100+7.14 EUR
1000+6.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS002N08MConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 28A/238A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 40 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+8.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS002N08MConsemiMOSFETs PTNG 80V
auf Bestellung 1958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.16 EUR
10+10.14 EUR
100+9.03 EUR
1000+8.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS002N08MConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 28A/238A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 40 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.08 EUR
10+11.67 EUR
25+10.82 EUR
100+9.89 EUR
250+9.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS0D7N06ConsemiMOSFETs NFET TOLL 60V 0.75MO
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.15 EUR
10+11.79 EUR
100+11.13 EUR
500+9.9 EUR
1000+9.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS0D7N06ConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 470A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 314W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 661µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 30 V
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.39 EUR
10+12.65 EUR
100+9.4 EUR
500+8.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS0D7N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 470A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 314W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.84 EUR
50+15.85 EUR
100+12.55 EUR
500+10.92 EUR
1000+10.71 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBLS0D7N06CON Semiconductor
auf Bestellung 1965 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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