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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTMFS1D7N03CGT1GonsemiMOSFETs MOSFET, Power, 30V N-Channel, SO8-FL
auf Bestellung 2038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+2.12 EUR
100+1.62 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.17 EUR
1500+1.11 EUR
3000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS1D7N03CGT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS1D7N03CGT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 1450 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.05 EUR
121+1.93 EUR
155+1.39 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS1D7N03CGT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS1D7N03CGT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 1450 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 87W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00145ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.05 EUR
121+1.93 EUR
155+1.39 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS1D7N03CGT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, 30V N-CHANNEL, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.74mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 15 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
13+1.74 EUR
100+1.32 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS1D7N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN SO8FL PACKAGE
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.42 EUR
100+1.17 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS23D9N06HLT1GonsemiMOSFET T8 60V LOW COSS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS2D1N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 252µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4470 pF @ 40 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS2D1N08XT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS2D1N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.27 EUR
53+4.4 EUR
100+2.81 EUR
500+2.36 EUR
1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS2D1N08XT1GONN
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS2D1N08XT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS2D1N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
500+2.36 EUR
1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS2D1N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 252µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4470 pF @ 40 V
auf Bestellung 2733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.38 EUR
10+3.5 EUR
100+2.42 EUR
500+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS2D1N08XT1GonsemiMOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
auf Bestellung 5885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.46 EUR
10+3.56 EUR
100+2.48 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.76 EUR
1500+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS2D3N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
auf Bestellung 5932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.84 EUR
10+1.82 EUR
100+1.2 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.88 EUR
1500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS2D3N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS2D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 111 A, 2350 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 53W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.47 EUR
90+2.59 EUR
116+1.84 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS2D3N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS2D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 111 A, 2350 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 53W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
116+1.84 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS2D5N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 213µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
auf Bestellung 3707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.88 EUR
10+3.15 EUR
100+2.17 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS2D5N08XT1GonsemiMOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.59 EUR
10+3.56 EUR
100+2.43 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.87 EUR
1500+1.8 EUR
3000+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS2D5N08XT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS2D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 181 A, 2100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 181A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS2D5N08XT1GONN
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS2D5N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 213µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.55 EUR
3000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS2D5N08XT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS2D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 181 A, 2100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 181A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.57 EUR
65+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D0N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 184µA
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 63979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.08 EUR
10+2.61 EUR
100+1.99 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D0N08XT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 0.0026 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 912 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.5 EUR
76+3.06 EUR
100+2.3 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D0N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 184µA
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.4 EUR
3000+1.32 EUR
4500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D0N08XT1GonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 2.6mohm, 154 A MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 2.6mohm, 154 A
auf Bestellung 2290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+2.75 EUR
100+2.23 EUR
250+1.93 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.76 EUR
1500+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D0N08XT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 2600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D1N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+2.73 EUR
136+1.71 EUR
200+1.07 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D1N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
auf Bestellung 1343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.74 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.73 EUR
1500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D1N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.73 EUR
136+1.71 EUR
200+1.07 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D1N04XMT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 506A; 39W; DFN5
Case: DFN5
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 506A
Power dissipation: 39W
Gate charge: 15.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 83A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 3.1mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D2N10MDT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 142A; Idm: 879A; 155W; DFN5
Case: DFN5
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
On-state resistance: 3.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 155W
Drain current: 142A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 879A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D2N10MDT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D2N10MDT1GonsemiDescription: PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 316µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 50 V
auf Bestellung 4095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.19 EUR
10+5.39 EUR
100+3.8 EUR
500+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D2N10MDT1GonsemiDescription: PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 316µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 50 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D2N10MDT1GonsemiMOSFET N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 142A, 3.2mohm N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 142A, 3.5mohm
auf Bestellung 1587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.06 EUR
10+5.09 EUR
25+4.82 EUR
100+4.13 EUR
250+3.89 EUR
500+3.67 EUR
1000+3.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D2N10MDT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D5N08XT1GON SemiconductorMOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate,SO8FL
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D5N08XT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.27 EUR
80+2.93 EUR
113+1.89 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D5N08XT1GonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 3.0mohm, 135 A MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 3.0mohm, 135 A
auf Bestellung 5450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.37 EUR
10+2.56 EUR
100+1.99 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.38 EUR
1500+1.3 EUR
3000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D5N08XT1GON SemiconductorMOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate,SO8FL
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D5N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 153µA
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.94 EUR
10+2.52 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D5N08XT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.93 EUR
113+1.89 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D5N08XT1GON SemiconductorMOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate,SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D5N08XT1GONN
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D5N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 153µA
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.2 EUR
3000+1.12 EUR
4500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19.5A/131A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D6N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 3000 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.54 EUR
48+4.91 EUR
100+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19.5A/131A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Ta), 131A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.02 EUR
10+3.27 EUR
100+2.61 EUR
500+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D6N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 3000 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D6N10MCLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 131A; Idm: 1674A; 136W; DFN5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5
On-state resistance: 3.6mΩ
Pulsed drain current: 1674A
Power dissipation: 136W
Gate charge: 60nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 131A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS3D6N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR INDUSTRIAL MARKET
auf Bestellung 15539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.7 EUR
10+4 EUR
100+2.87 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4108N
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4108NT1GON06+
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4108NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A 5DFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 96.2W (Tc)
auf Bestellung 15066 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
460+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 460 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4108NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 96.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4108NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 96.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4108NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
auf Bestellung 14636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
460+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 460 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4108NT3G
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4119N
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4119NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4119NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Bulk
auf Bestellung 5358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
544+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 544 Stücke
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NTMFS4119NT1GONQFN8 0749+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTMFS4119NT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4119NT3G - NTMFS4119NT3G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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NTMFS4119NT3G
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4119NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4119NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Bulk
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
503+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 503 Stücke
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NTMFS4120NON09+
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTMFS4120NT1
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4120NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 24 V
auf Bestellung 131261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
683+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 683 Stücke
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NTMFS4120NT1GON2005
auf Bestellung 1553 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTMFS4120NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4120NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4121NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.25mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 24 V
auf Bestellung 728470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
807+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 807 Stücke
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NTMFS4121NT1GonsemiMOSFET NFET 24A 30V 4.0MOH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4121NT1G
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4121NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.25mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4121NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4121NT3G
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4122NT1GonsemiMOSFET NFET 23A 30V 4.6MO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4122NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 5DFN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4122NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 5DFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4122NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 5DFN
auf Bestellung 7228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 642 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4122NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 5DFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4701NON07+ SO-8
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4701NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.7A 5DFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4701NT1GON
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4701NT1GonsemiMOSFET 30V 20A N-Channel
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4701NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.7A SO8FL
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4707NT1GON07+;
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4707NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A 5DFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4707NT1GonsemiMOSFET 30V 17A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4707NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A 5DFN
auf Bestellung 46126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 760 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4707NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4707NT3G
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4708N
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4708NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.8A 5DFN
auf Bestellung 64433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1312 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4708NT1GON07+;
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4708NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.8A 5DFN
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1312 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4708NT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4708NT3G - NTMFS4708NT3G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4709NT1G
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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