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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RJK4515DPK
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RJK4515DPK-00#T0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 450V 27A TO3P
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RJK4518DPK-00#T0Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET - Lead Free
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK4518DPK-00#T0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 450V 39A TO3P
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RJK4532DPD-00#J2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET - Lead Free
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK4532DPD-00#J2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 450V 4A MP3A
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK4532DPD-E0#J2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH MP3A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5002DJE-00#Z0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO92
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5002DPD-00#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A MP3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5002DPD-00#J2Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5002DPD-00#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.96 EUR
6000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RJK5003
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5003DP
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5003DPD-
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5003DPD-00-J2
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5003DPD-01-J2
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RJK5006DPD
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5006DPD-00#J2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 500V 6A SC63
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5006DPD-WS#J2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 500V 6A MP3A
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RJK5009DPP-00#T2Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 7936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5010DPF
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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rjk5010dpk
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5012
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5012DPE-00#J3Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 500V 12A 4LDPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LDPAK
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-83
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5012DPE-WS#J3Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH LDPAK
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RJK5012DPP
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5012DPP-00#T2Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5012DPP-A0#T2Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 500V 12A 620mohm TO-220F
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 Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5012DPP-E0#T2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5012DPP-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5012DPP-K0#T2Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5012DPP-M0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5012DPP-MG#T2RenesasDescription: RJK5012DPP - N CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
130+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
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RJK5013DPE-00#J3Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET - 500V, 14A, LDPAK(S)-(1)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5013DPE-00#J3Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 500V 14A 4LDPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5013DPE-00-J3
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RJK5013DPK
auf Bestellung 18854 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5013DPP-E0#T2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO220FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5013DPP-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5014DPK-00#T0onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5014DPP-00#T2Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 5623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
124+5.07 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5014DPP-E0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 19A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5014DPP-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET - 500V, 19A, TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5014DPP-E0#T2RenesasDescription: RJK5014DPP-E0#T2 - SILICON N CHA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
auf Bestellung 12236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+10.48 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5015DPK-00
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5015DPK-00#T0Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5015DPK-00#T0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V 25A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Ta)
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5015DPK-00#T0RenesasTO3P/NCH, VDSS 500V, ID(DC)25A,RDS(ON)MAX 0.24OHM RJK5015
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5015DPM-00#T1Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5015DPM-00#T1Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PFM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5015DPM-00#T1 RJK5015DPM-00#T1 RJK5015DPM-00#T1 RJK5015DPM-00#T1
Produktcode: 168956
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5018DPK-00#T0Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5018DPK-00#T0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 500V 35A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5020
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5020DPK-00#T0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 40A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5020DPK-00#T0Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5020DPK01-ERenesasRJK5020DPK01-E
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+14.07 EUR
100+13.19 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5020DPK01-ERenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
37+14.51 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5020DPK01-E
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5026DPP-00#T2Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 2724 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5026DPP-00#T2Renesas Electronics
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5026DPP-00#T2RenesasSilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
auf Bestellung 2407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.07 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5026DPP-E0#T2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO220FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5026DPP-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5026DPP-M0#T2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO220FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5026DPP-M0#T2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5026DPP-V0#T2Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5030DPD-00#J2Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 500V 5A 1600mohm TO-252 / DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5030DPD-00#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 5A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5030DPD-01#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 5A MP3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: MP-3A
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5030DPD-02#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 5A MP3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: MP-3A
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5030DPD-03#J2RenesasDescription: RJK5030DPD - N CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: MP-3A
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
207+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5030DPP-M0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220FL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.5W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
auf Bestellung 1408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.05 EUR
25+2.11 EUR
100+2.01 EUR
500+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5030DPP-M0#T2Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 500V 5A 1600mohm TO-220F
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
25+1.96 EUR
100+1.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5031DPD-00#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 3A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5031DPD-01#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 3A MP3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: MP-3A
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5032DPD-00#J2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 500V 3A MP3A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5032DPP-E0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 500V 3A TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5033DPD-00#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 6A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5033DPD-00#J2Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 500V 6A 1300mohm TO-252 / DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5033DPD-00#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 6A MP3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 5963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.49 EUR
10+3.56 EUR
100+2.46 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5033DPD-01#J2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH GENERAL PURPOSE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5033DPP-M0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO220FL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.4W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 2085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.08 EUR
25+4 EUR
100+3.26 EUR
500+2.67 EUR
1000+2.48 EUR
2000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5033DPP-M0#T2Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 500V 6A 1300mohm TO-220F
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.28 EUR
10+4.96 EUR
25+3.06 EUR
100+2.51 EUR
500+2.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5034DPP-A0#T2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5034DPP-E0#T2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 500V 1.2A TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5034DPP-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5035DPP-A0#T2Renesas ElectronicsMOSFETs POWER TRS1 HV-MOS TO220FP MOS AP5H POWER
auf Bestellung 869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.66 EUR
10+5.02 EUR
100+3.53 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5035DPP-A0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Ta)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.63 EUR
10+5.01 EUR
100+3.52 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5035DPP-E0#T2RenesasDescription: RJK5035DPP-E0 - Nch Single Power
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5035DPP-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK5035DPP-E0#T2Infineon TechnologiesDescription: RJK5035DPPNSINGPOWMOSF501850MOTO
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6002
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6002DJE-00#Z0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO92
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6002DPD
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6002DPD-00#J2Renesas ElectronicsMOSFET GENERIC Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6002DPD-00#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 2A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6002DPD-00-J2
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6002DPD-WS#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 2A MP3A
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: MP-3A
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6002DPE-00#J3Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 2A LDPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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