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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STF24N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.38 EUR
32+2.74 EUR
50+2.3 EUR
100+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.87 EUR
100+2.51 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
auf Bestellung 652 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.87 EUR
10+3.47 EUR
100+3.14 EUR
500+2.56 EUR
1000+2.49 EUR
2000+2.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.65 EUR
62+2.7 EUR
100+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N60M2 Transistor
Produktcode: 216827
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 52.5A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.15 EUR
10+3.08 EUR
100+2.78 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.12 EUR
2000+2.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N60M6
Produktcode: 177056
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
auf Bestellung 973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.26 EUR
10+4.07 EUR
50+3.13 EUR
100+2.82 EUR
500+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 16A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.81 EUR
10+4.45 EUR
50+3.43 EUR
100+3.11 EUR
500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.16 EUR
50+3.84 EUR
100+3.05 EUR
500+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Gate charge: 29nC
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.7 EUR
10+3.39 EUR
100+3.06 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.45 EUR
2000+2.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24NF10
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24NF12
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24NF12STMN-channel 120V - 0.070. - 24A TO-220FP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
auf Bestellung 979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.01 EUR
10+5.95 EUR
50+4.64 EUR
100+4.21 EUR
500+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.78 EUR
100+1.74 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.59 EUR
2000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 11A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.77 EUR
17+5.15 EUR
31+2.76 EUR
38+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh
auf Bestellung 2083 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.85 EUR
10+4.57 EUR
100+4.16 EUR
500+3.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF24NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.168 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.97 EUR
40+5.84 EUR
100+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.81 EUR
100+1.71 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.54 EUR
2000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 650V 0.16 Ohms 19A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 19A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF25N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 19A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF25N10F7STMicroelectronics
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF25N10F7STMicroelectronicsMOSFET Nchanl 100V 0025 Ohm typ 25 A Pwr MOSFET
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF25N60M2-EPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 188mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.13 EUR
33+2.64 EUR
36+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF25N60M2-EPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF25N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.52 EUR
66+3.52 EUR
100+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF25N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
auf Bestellung 831 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.97 EUR
10+3.53 EUR
100+3.19 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF25N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF25N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 100 V
auf Bestellung 1004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.08 EUR
10+4.63 EUR
50+3.58 EUR
100+3.24 EUR
500+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF25N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 728 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.37 EUR
22+7.84 EUR
50+5.82 EUR
100+5.68 EUR
200+5.27 EUR
500+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF25N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 19.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.44 EUR
50+6.6 EUR
100+6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF25N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF25N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF25N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 19.5 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.15 EUR
20+12.04 EUR
26+8.4 EUR
50+8.01 EUR
100+7.63 EUR
250+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF25N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.13 EUR
10+5.53 EUR
100+5.19 EUR
500+4.69 EUR
1000+4.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF25NM50NSTM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF25NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF25NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL MOSFET Power MDmesh
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF25NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 V 0.14 Ohm 20 A 2nd Gen MDmesh
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF25NM60NST
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF25NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF25NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF25NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 600V-0.13ohms FDMesh 21A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF260N4F7STMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF260N4F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO220FP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 100 V
auf Bestellung 901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.77 EUR
10+5.77 EUR
50+4.49 EUR
350+3.47 EUR
700+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26N60DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 11A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in TO-220FP package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.08 EUR
10+4.62 EUR
50+3.57 EUR
100+3.22 EUR
500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.09 EUR
59+2.83 EUR
100+2.4 EUR
500+2 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.77 EUR
39+2.19 EUR
50+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
auf Bestellung 959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.95 EUR
10+3.52 EUR
100+3.19 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.51 EUR
2000+2.4 EUR
5000+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.05 EUR
60+2.87 EUR
100+2.48 EUR
500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26N65DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.4 EUR
10+5.51 EUR
100+4.11 EUR
500+3.44 EUR
1000+3.17 EUR
2000+3.03 EUR
5000+2.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26N65DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.12 EUR
10+10.98 EUR
50+8.78 EUR
100+8.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
786+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 786 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.135 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.61 EUR
29+8.14 EUR
100+6.66 EUR
500+6.47 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26NM60N
Produktcode: 133690
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V 20 A Mdmesh
auf Bestellung 1783 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.22 EUR
10+8.65 EUR
100+7.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 786 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.82 EUR
15+5.81 EUR
50+5.33 EUR
100+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26NM60N-HSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 0.145Ohm typ. 21A FDmesh II
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1817 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26NM60Z
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF27N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.97 EUR
10+4.56 EUR
50+3.52 EUR
100+3.18 EUR
500+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF27N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.76 EUR
51+3.31 EUR
55+2.93 EUR
56+2.78 EUR
100+2.51 EUR
250+2.32 EUR
500+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF27N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.76 EUR
51+3.38 EUR
55+3.05 EUR
56+2.95 EUR
100+2.71 EUR
250+2.58 EUR
500+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF27N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.87 EUR
10+3.47 EUR
100+3.14 EUR
500+2.67 EUR
1000+2.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF27N60M2-EPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF27N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.5 EUR
64+3.67 EUR
100+2.92 EUR
500+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF2818X0504-ANANOTECDescription: NANOTEC - STF2818X0504-A - Schrittmotor, ultraflach, Eine Welle, Bipolar, 1.8 °, 0.98 N-cm, 500 mA
tariffCode: 85011091
Schrittmotor: Eine Welle
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Spulentyp: Bipolar
Außenlänge: 9.4mm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Motorgröße: -
Wellendurchmesser: 3mm
Nennstrom: 500mA
Drehmoment, max.: 0.98N-cm
Schrittwinkel: 1.8°
euEccn: NLR
Anzahl der Drähte: 4
Länge der Welle: 10mm
Nennspannung, max.: 1.85VDC
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF28N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.71 EUR
50+3.19 EUR
100+2.81 EUR
250+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF28N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.04 EUR
10+4.11 EUR
100+3.72 EUR
500+3.06 EUR
1000+2.98 EUR
2000+2.89 EUR
5000+2.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF28N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.16 EUR
10+5.37 EUR
50+4.18 EUR
100+3.78 EUR
500+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF28N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.8 EUR
50+3.32 EUR
100+2.96 EUR
250+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF28N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.95 EUR
50+4.4 EUR
100+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF28N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF28N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.43 EUR
47+5.01 EUR
100+4.07 EUR
500+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF28N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.35 EUR
50+3.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF28N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF28N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.58 EUR
10+3.88 EUR
100+3.77 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.84 EUR
2000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF28N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+4.68 EUR
29+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF28N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
auf Bestellung 1206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.98 EUR
10+4.77 EUR
100+3.92 EUR
500+3.28 EUR
1000+3.01 EUR
2000+2.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF28N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF28N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF28N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.25 EUR
48+4.91 EUR
100+3.81 EUR
500+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF28N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.33 EUR
50+3.71 EUR
100+3.37 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF28N65M2STMMOSFET N-CH 650V 20A TO-220FP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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STF28NM50N
Produktcode: 84344
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Transistoren > MOSFET N-CH
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STF28NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500V 0.135 Ohm MDmesh II Power MO
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.49 EUR
10+7.9 EUR
100+7.19 EUR
500+6.51 EUR
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