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SSM3K36TU,LF(BToshibaSSM3K36TU,LF(B
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SSM3K36TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin UFM T/R
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SSM3K376RToshibaToshiba
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SSM3K376R LXHFToshiba SOT23 N CHAN 30V
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SSM3K376R,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
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5+0.77 EUR
10+0.35 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
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9000+0.14 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
auf Bestellung 69138 Stücke:
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29+0.74 EUR
46+0.45 EUR
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100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LF(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K376R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K376R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F
auf Bestellung 45000 Stücke:
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15000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
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318+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 318 Stücke
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SSM3K376R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
318+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 318 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
502+0.36 EUR
593+0.3 EUR
672+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 502 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXHFToshibaN-Channel 30 V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6831 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1 EUR
34+0.62 EUR
50+0.45 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXHFToshibaMOSFETs SMOS Low RON Nch Id: 4A Vdss: 30V Pd:1W
auf Bestellung 4744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXHF(BToshiba SOT23 N CHAN 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K376R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+1.26 EUR
437+0.54 EUR
500+0.43 EUR
663+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K376R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+1.26 EUR
437+0.54 EUR
500+0.43 EUR
663+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376RLF(TToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376RLXHF(TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CT,L3FToshibaMOSFETs Small-Signal MOSFET
auf Bestellung 29844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
16+0.21 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
5000+0.11 EUR
10000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin CST T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
70+0.3 EUR
113+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
2000+0.11 EUR
5000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CT,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin CST
auf Bestellung 9670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
676+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
2500+0.24 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 676 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K37CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 2.2 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
428+0.58 EUR
981+0.24 EUR
1129+0.19 EUR
1537+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 428 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 6905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
372+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 372 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 9850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1330+0.13 EUR
1393+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1330 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K37CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 2.2 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.58 EUR
981+0.24 EUR
1129+0.19 EUR
1537+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 6905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
372+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 372 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CTL3F(TToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FSToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin SSM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.081 EUR
9000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FS,LFToshibaMOSFETs Small Low ON Resistane MOSFETs
auf Bestellung 51379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.43 EUR
18+0.19 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.083 EUR
9000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
504+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 504 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
auf Bestellung 36960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
86+0.25 EUR
120+0.18 EUR
138+0.15 EUR
500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FS,LF(BToshibaSSM3K37FS,LF(B
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2137+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 2137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K37FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.65 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 100mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.65ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
auf Bestellung 5430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+1.12 EUR
299+0.77 EUR
521+0.42 EUR
776+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FS,LF(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 200mA; 100mW; SOT416F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.1W
Case: SOT416F
On-state resistance: 1.65Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K37FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.65 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
auf Bestellung 5430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+1.12 EUR
299+0.77 EUR
521+0.42 EUR
776+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3FTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.25A; 0.15W; SOT723; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.25A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 13076 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3FToshibaMOSFETs Small-signal FET 0.25A 20V 12pF
auf Bestellung 4501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
16+0.21 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
5000+0.083 EUR
8000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
auf Bestellung 14983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.48 EUR
72+0.3 EUR
100+0.21 EUR
115+0.18 EUR
500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 28830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3534+0.05 EUR
15000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3534 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 28890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3534+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3534 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3FToshibaN-Channel 20 V 250mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2359+0.075 EUR
2500+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 2359 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 7388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
388+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 388 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K37MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.65 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
auf Bestellung 21710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+0.62 EUR
519+0.45 EUR
1217+0.18 EUR
1678+0.13 EUR
1965+0.11 EUR
5000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 7388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
388+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 388 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K37MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.65 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.65ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
auf Bestellung 21710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.62 EUR
519+0.45 EUR
1217+0.18 EUR
1678+0.13 EUR
1965+0.11 EUR
5000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3F(T)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 13780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1946+0.092 EUR
1957+0.089 EUR
2278+0.075 EUR
8000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 1946 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFVL3F(TToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K387R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 100V 2A 98M 10V SOT
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
38+0.56 EUR
52+0.4 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K387R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 100V 2A 98M 10V SOT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K388R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 60 V, 2 A, 82 M@10
auf Bestellung 1159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
54+0.39 EUR
76+0.27 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K388R,LFToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, SOT-23F
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.63 EUR
12+0.29 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
3000+0.13 EUR
9000+0.11 EUR
24000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K388R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 60 V, 2 A, 82 M@10
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K388R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K388R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.087 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+0.89 EUR
376+0.62 EUR
654+0.33 EUR
971+0.23 EUR
1151+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K389R,LFToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, TSOP6F
auf Bestellung 7905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
14+0.25 EUR
100+0.21 EUR
500+0.17 EUR
3000+0.12 EUR
9000+0.099 EUR
24000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K389R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K389R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.171 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
322+0.77 EUR
451+0.51 EUR
752+0.29 EUR
1120+0.19 EUR
1291+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 322 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K43FSToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K44FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K44FS,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=.1A VDSS=30V
auf Bestellung 6899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.46 EUR
17+0.2 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
3000+0.094 EUR
9000+0.08 EUR
24000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K44FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V
auf Bestellung 8897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.46 EUR
74+0.29 EUR
104+0.2 EUR
119+0.18 EUR
500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K44FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K44FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: p-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
auf Bestellung 245904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.56 EUR
1020+0.23 EUR
1176+0.18 EUR
1731+0.12 EUR
2021+0.11 EUR
5000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K44FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K44FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: p-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
auf Bestellung 245904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
447+0.56 EUR
1020+0.23 EUR
1176+0.18 EUR
1731+0.12 EUR
2021+0.11 EUR
5000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 447 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K44MFV,L3FToshibaMOSFETs Sm-signal/Hi-Speed VESM (SOT-723)
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9+0.42 EUR
19+0.18 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
2500+0.11 EUR
5000+0.074 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K44MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K44MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V
auf Bestellung 2704 Stücke:
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50+0.42 EUR
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115+0.18 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K44MFV,L3F(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 100mA
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6033 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K44MFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K44MFV,L3F(TToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K44MFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 79 Stücke:
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SSM3K44MFV,L3XGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
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421+0.43 EUR
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SSM3K44MFV,L3XGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
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SSM3K44MFVL3F(TToshibaMOSFETs
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SSM3K48FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA USM
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38+0.57 EUR
61+0.35 EUR
85+0.25 EUR
100+0.21 EUR
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SSM3K48FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA USM
auf Bestellung 9000 Stücke:
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3000+0.12 EUR
9000+0.1 EUR
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SSM3K48FU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=0.1A, RDS(ON)=3.2Ohm at 4.0V, in USM package
auf Bestellung 8078 Stücke:
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7+0.5 EUR
11+0.31 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.08 EUR
6000+0.075 EUR
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SSM3K56ACTToshibaMOSFETs
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SSM3K56ACT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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SSM3K56ACT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
auf Bestellung 6791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
43+0.5 EUR
59+0.36 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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SSM3K56ACT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
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SSM3K56ACT,L3FToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V
auf Bestellung 112221 Stücke:
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4+1.08 EUR
10+0.75 EUR
100+0.48 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
2500+0.23 EUR
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SSM3K56ACT,L3F : SSM3K56ACT,L3FToshibaMOSFET N-CH 20V 1.4A CST3 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56ACT,L3F(BToshibaSSM3K56ACT,L3F(B
auf Bestellung 10000 Stücke:
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581+0.31 EUR
602+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
2500+0.26 EUR
5000+0.25 EUR
10000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 581 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56ACT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K56ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.235 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
262+0.95 EUR
530+0.44 EUR
681+0.31 EUR
910+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56ACT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K56ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.235 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
262+0.95 EUR
530+0.44 EUR
681+0.31 EUR
910+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH