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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SSM6322ACPZ-R2Analog Devices Inc.Description: IC AMP CLASS AB STEREO 24LFCSP
Features: Depop
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-WFQFN Exposed Pad, CSP
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class AB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: ±3V ~ 6V
Supplier Device Package: 24-LFCSP (4x4)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6322ACPZ-R2Analog Devices, Inc.Audio Amp Speaker 2-CH Stereo Class-AB 24-Pin LFCSP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+11.69 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6322ACPZ-R2Analog DevicesAudio Amplifiers Next gen mobile phone HiFi headphone amp
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.24 EUR
10+19.75 EUR
25+18.41 EUR
100+16.9 EUR
250+16.15 EUR
500+15.46 EUR
1000+15.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6322ACPZ-R2Analog Devices, Inc.Audio Amp Speaker 2-CH Stereo Class-AB 24-Pin LFCSP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6322ACPZ-R7Analog Devices, Inc.Audio Amp Speaker 2-CH Stereo Class-AB 24-Pin LFCSP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6322ACPZ-R7Analog DevicesAudio Amplifiers Next gen mobile phone HiFi headphone amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6322ACPZ-R7Analog Devices Inc.Description: IC AMP CLASS AB STEREO 24LFCSP
Features: Depop
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-WFQFN Exposed Pad, CSP
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class AB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: ±3V ~ 6V
Supplier Device Package: 24-LFCSP (4x4)
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.52 EUR
10+8.84 EUR
25+8.18 EUR
100+7.45 EUR
250+7.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6322ACPZ-R7Analog Devices, Inc.Audio Amp Speaker 2-CH Stereo Class-AB 24-Pin LFCSP EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6322ACPZ-R7Analog Devices Inc.Description: IC AMP CLASS AB STEREO 24LFCSP
Features: Depop
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-WFQFN Exposed Pad, CSP
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class AB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: ±3V ~ 6V
Supplier Device Package: 24-LFCSP (4x4)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6322ACPZ-RLAnalog Devices, Inc.Audio Amp Speaker 2-CH Stereo Class-AB 24-Pin LFCSP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6322ACPZ-RLAnalog DevicesAudio Amplifiers Next gen mobile phone HiFi headphone amp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6322ACPZ-RLAnalog Devices Inc.Description: IC AMP CLASS AB STEREO 24LFCSP
Features: Depop
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-WFQFN Exposed Pad, CSP
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class AB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: ±3V ~ 6V
Supplier Device Package: 24-LFCSP (4x4)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6322CP-EBZAnalog DevicesAudio IC Development Tools Eval board for 24 lead LFCSP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6322CP-EBZAnalog Devices, Inc.SSM6322 Audio Amplifier Evaluation Board
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+195.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6322CP-EBZAnalog Devices Inc.Description: EVAL BOARD FOR SSM6322
Packaging: Bulk
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Amplifier Type: Class AB
Contents: Board(s)
Voltage - Supply: ±3V ~ 6V
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SSM6322
Supplied Contents: Board(s)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+220.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6322CP-EBZAnalog Devices, Inc.SSM6322 Audio Amplifier Evaluation Board
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6515BCBZRLAnalog Devices Inc.Description: CLASS D AUDIO AMP, ULTRA-LOW POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 11-XFBGA, WLCSP
Output Type: 1-Channel (Mono)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class D
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.1V ~ 1.98V, 1.7V ~ 1.98V
Max Output Power x Channels @ Load: 80mW x 1 @ 16Ohm
Supplier Device Package: 11-WLCSP (0.98x1.44)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6515BCBZRLAnalog DevicesAudio Amplifiers Class D Audio Amp, ultra-low power
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6515BCBZRL7Analog Devices Inc.Description: CLASS D AMP, ULTRA-LOW POWER
Part Status: Active
Supplier Device Package: 11-WLCSP (0.98x1.44)
Max Output Power x Channels @ Load: 80mW x 1 @ 16Ohm
Voltage - Supply: 1.1V ~ 1.98V, 1.7V ~ 1.98V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: Class D
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 1-Channel (Mono)
Package / Case: 11-XFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.76 EUR
10+6.66 EUR
25+6.14 EUR
100+5.56 EUR
250+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6515BCBZRL7ANALOG DEVICESDescription: ANALOG DEVICES - SSM6515BCBZRL7 - Audioleistungsverstärker, 80mW x 1 bei 16 Ohm, D, 1.1V bis 1.98V, WLCSP, 11 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 1 x Mono
Versorgungsspannung: 1.1V bis 1.98V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 16ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 80mW x 1 bei 16 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6515BCBZRL7Analog DevicesAudio Amplifiers Class D Audio Amp, ultra-low power
auf Bestellung 1228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.77 EUR
10+7.88 EUR
100+6.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6515BCBZRL7Analog Devices Inc.Description: CLASS D AMP, ULTRA-LOW POWER
Part Status: Active
Supplier Device Package: 11-WLCSP (0.98x1.44)
Max Output Power x Channels @ Load: 80mW x 1 @ 16Ohm
Voltage - Supply: 1.1V ~ 1.98V, 1.7V ~ 1.98V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: Class D
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 1-Channel (Mono)
Package / Case: 11-XFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6515BCBZRL7ANALOG DEVICESDescription: ANALOG DEVICES - SSM6515BCBZRL7 - Audioleistungsverstärker, 80mW x 1 bei 16 Ohm, D, 1.1V bis 1.98V, WLCSP, 11 Pin(s)
tariffCode: 85423390
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Lastimpedanz: 16ohm
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6800H24YL3 Narda-MITEQDescription: SINGLE SIDEBAND UPCONVERTER
Packaging: Box
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6E01TUTOSHIBA
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6G18NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6G18NU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch + SBD VDSS=-20V, VR=30V, I(SBD)=1A, VGSS=+/-8V, ID=-2A, RDS(ON)=0.112ohm a. 4.5V, in UDFN6 package
auf Bestellung 5780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.89 EUR
10+0.57 EUR
100+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.18 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6G18NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6H19NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6H19NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
38+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6H19NU,LFToshibaMOSFETs UDFN6 S-MOS TRSTR Pd: 0.5W F: 1MHz
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.64 EUR
10+0.42 EUR
100+0.29 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6H19NU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 2A 6-Pin UDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
541+0.32 EUR
593+0.3 EUR
690+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.21 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 541 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6H19NU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 2A 6-Pin UDFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J06FUTOSHIBA
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J07FUTOSHIBASOT-363
auf Bestellung 198000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J07FU TE85L SOT363-KDFTOSHIBA
auf Bestellung 9200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J07FU(TE85L)TOSHIBASOT363-KDF
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J07FU(TE85L) SOT363-TOSHIBA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J07FU(TE85L)SOT363-KDF
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J07FUTE85LSOT363-KDFTOSHIBA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J08FUTOSHIBA09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J08FUTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A US6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J08FUTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J08FUTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J205FEToshibaMOSFET Vds=-20V Id=-800mA 6Pin
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J206FE(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A ES6
auf Bestellung 7491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J206FE(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A ES6
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J206FE(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A ES6
auf Bestellung 7491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J206FE,LFToshibaMOSFET SS FET P-Ch 0.32Ohm -2A -8V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J206FETE85L
auf Bestellung 3553 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J207FEToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J207FE,LFToshibaMOSFETs Small-signal FET 0.491Ohm -1.4A -30V
auf Bestellung 3365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.93 EUR
10+0.64 EUR
100+0.4 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.25 EUR
4000+0.23 EUR
8000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J207FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 251mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J207FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 251mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
auf Bestellung 3875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1.02 EUR
34+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J207FE,LF(CAToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 1.4A 6-Pin ES T/R
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+0.77 EUR
250+0.73 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J207FE,LF(CAToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 1.4A 6-Pin ES T/R
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J207FE,LF(CAToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 1.4A 6-Pin ES T/R
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.04 EUR
221+0.79 EUR
249+0.68 EUR
276+0.61 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J212FE
Produktcode: 77267
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

8542 39 90 00
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J212FEToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J212FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J212FE,LFToshibaMOSFETs P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW
auf Bestellung 16109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.73 EUR
100+0.48 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
2000+0.3 EUR
4000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J212FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J212FE,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 6-Pin ES T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J212FE,LF(CAToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 6-Pin ES T/R
auf Bestellung 3803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
309+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 309 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J212FE,LF(CATOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J212FE,LF(CA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0353 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0353ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J212FE,LF(CAToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 6-Pin ES T/R
auf Bestellung 2073 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
411+0.43 EUR
413+0.42 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 411 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J212FE,LF(CATOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J212FE,LF(CA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0353 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0353ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0353ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J213FE(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J213FE(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J213FE(TE85L,FToshibaMOSFETs P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+0.71 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.25 EUR
2000+0.23 EUR
4000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J214FE(TE85L,FToshibaMOSFET P-CH 30V 3.6A ES6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J214FE(TE85L,FTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J214FE(TE85L,F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.05 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 1795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J214FE(TE85L,FToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=-3.6A VDSS=-30V
auf Bestellung 13070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.06 EUR
10+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
2000+0.25 EUR
4000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J214FE(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.05 EUR
33+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J214FE(TE85L,FTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J214FE(TE85L,F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.05 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 1795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J214FE(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.23 EUR
8000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J215FE(TE85L,FToshibaMOSFETs P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF
auf Bestellung 2818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.02 EUR
10+0.64 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.25 EUR
4000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J215FE(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J215FE(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
auf Bestellung 8278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
36+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
2000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J216FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J216FE,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V
auf Bestellung 2774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.15 EUR
10+0.7 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
2000+0.27 EUR
4000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J216FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
auf Bestellung 6514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J21TUtoshiba09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J23FETOSHIBA
auf Bestellung 7100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J25FE
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J26FETOSHIBA
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J401TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 15 V
auf Bestellung 2641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
31+0.69 EUR
100+0.42 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J401TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-2.5A, RDS(ON)=0.145Ohm a. 4V, in UF6 package
auf Bestellung 5895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.11 EUR
10+0.69 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.26 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J401TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J402TU(TE85L,F)TOSHIBASOT26/SOT363
auf Bestellung 2753 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J402TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 2A UF6
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J402TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 2A UF6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J402TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-2.0A, RDS(ON)=0.225Ohm a. 4V, in UF6 package
auf Bestellung 5328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.01 EUR
10+0.7 EUR
100+0.35 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.24 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J402TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J402TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.117 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
auf Bestellung 2685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J402TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J402TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.117 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
auf Bestellung 2685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J409TU(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J409TU(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J412TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J412TU,LFToshibaMOSFET Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-4.0A, RDS(ON)=0.0427ohm a. 4.5V, in UF6 package
auf Bestellung 6209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.68 EUR
10+0.54 EUR
100+0.3 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.18 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J412TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
36+0.6 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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