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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF9530HARRISIRF9530
auf Bestellung 1583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+2.9 EUR
500+2.58 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530
Produktcode: 78154
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VishayTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220-3
Uds,V: 100
Id,A: 48
Rds(on),Om: 0.3
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.06 EUR
10+0.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530HARRISIRF9530
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+2.9 EUR
500+2.58 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530SiliconixP-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 2993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
151+3 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530-220MWelwyn Components / TT ElectronicsMOSFET MOSFET - POWER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530-220MSemelab (TT electronics)Trans MOSFET P-CH 100V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-257AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530LVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 12A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NInfineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NInfineonP-MOSFET 14A 100V 79W 0.2Ω IRF9530N TIRF9530n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530N
Produktcode: 7932
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.2
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530N-MLMOSLEADERTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9530; IRF9530-BE3; IRF9530N; SP001570634; IRF9530N-ML MOSLEADER TIRF9530n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 14A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NLPBFIR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBFInternational RectifierMOSFET,-100V,-14 A, TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 52013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.08 EUR
248+0.57 EUR
251+0.54 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.47 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 17326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.94 EUR
50+1.91 EUR
100+1.71 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.25 EUR
2000+1.15 EUR
5000+1.05 EUR
10000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBFInfineonMOSFET,-100V,-14 A, TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 52003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 29275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.21 EUR
2000+1.08 EUR
5000+0.94 EUR
10000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF
Produktcode: 32844
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.3
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
/: THT
verfügbar: 122 St.
  • 14 St. - stock Köln
  • 108 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 300 St.
    1+0.54 EUR
    10+0.5 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
    auf Bestellung 3150 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    77+1.9 EUR
    100+1.68 EUR
    500+1.31 EUR
    1000+1.17 EUR
    2000+1.07 EUR
    Mindestbestellmenge: 77 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
    auf Bestellung 17907 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+2.38 EUR
    10+1.12 EUR
    100+0.96 EUR
    500+0.78 EUR
    1000+0.69 EUR
    2000+0.65 EUR
    5000+0.6 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Durchsteckmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 100V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 13A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: -
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 79W
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: TO-220AB
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: HEXFET Series
    productTraceability: No
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: p-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
    auf Bestellung 14660 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NPBFMOSFET,-100V,-14 A, TO-220 Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
    auf Bestellung 29000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    1000+1.21 EUR
    Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT P channel transistors
    Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
    Type of transistor: P-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: -100V
    Drain current: -14A
    Power dissipation: 79W
    Case: TO220AB
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 0.2Ω
    Mounting: THT
    Gate charge: 38.7nC
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    Technology: HEXFET®
    auf Bestellung 1253 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    51+1.42 EUR
    96+0.75 EUR
    104+0.69 EUR
    110+0.65 EUR
    117+0.61 EUR
    250+0.56 EUR
    500+0.52 EUR
    1000+0.51 EUR
    Mindestbestellmenge: 51 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NPBF 50K
    auf Bestellung 45000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NPBF/IRIR08+;
    auf Bestellung 10000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NS
    Produktcode: 58984
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NSIRTO-263
    auf Bestellung 4000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: D2PAK
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NSInternational RectifierTrans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 200mOhms 38.7nC
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NSPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 14 A, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
    verfügbar 69 Stücke:
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: D2PAK
    Part Status: Discontinued at Digi-Key
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NSPBF
    Produktcode: 154938
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		Transistoren > MOSFET N-CH
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NSPBFInternational RectifierТранзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NSPBFAmphenolCircular MIL Spec Connector
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NSTRLInfineonP-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns
    Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
    auf Bestellung 353 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    20+1.9 EUR
    Mindestbestellmenge: 20 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NSTRLHRInternational RectifierTrans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 10400 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: D2PAK
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    auf Bestellung 1600 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    800+0.74 EUR
    Mindestbestellmenge: 800 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 100V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 14A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 79W
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: TO-263AB
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: HEXFET
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: p-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
    auf Bestellung 886 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    auf Bestellung 4540 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    77+1.91 EUR
    115+1.26 EUR
    500+0.9 EUR
    800+0.79 EUR
    2400+0.75 EUR
    Mindestbestellmenge: 77 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
    auf Bestellung 265 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+3.26 EUR
    10+2.06 EUR
    100+1.39 EUR
    500+1.13 EUR
    800+1.01 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
    Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
    Type of transistor: P-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: -100V
    Drain current: -14A
    Power dissipation: 3.8W
    Case: D2PAK
    Mounting: SMD
    Kind of package: reel
    Kind of channel: enhancement
    Technology: HEXFET®
    auf Bestellung 723 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    36+2.02 EUR
    55+1.31 EUR
    71+1.01 EUR
    100+0.9 EUR
    250+0.77 EUR
    500+0.67 EUR
    Mindestbestellmenge: 36 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NSTRLPBFInternational RectifierMOSFET,-100V,-14 A, TO-263AB , D2PAK Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: D2PAK
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
    auf Bestellung 567 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    5+3.84 EUR
    10+2.45 EUR
    100+1.66 EUR
    Mindestbestellmenge: 5 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    auf Bestellung 1600 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    800+0.74 EUR
    Mindestbestellmenge: 800 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 100V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 14A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: N
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 79W
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: TO-263AB
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: HEXFET
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: p-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
    auf Bestellung 886 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: D2PAK
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NSTRRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF9530NSTRRPBF - IRF9530NS 100V SINGLE P-CHANNEL IR MOSF
    tariffCode: 85423990
    euEccn: TBC
    hazardous: false
    rohsCompliant: YES
    productTraceability: No
    rohsPhthalatesCompliant: TBA
    usEccn: TBC
    SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 278 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: D2PAK
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530NSTRRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF9530NSTRRPBF
    auf Bestellung 1600 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    246+2.23 EUR
    500+1.98 EUR
    1000+1.78 EUR
    Mindestbestellmenge: 246 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
    auf Bestellung 135 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+3.63 EUR
    10+2.71 EUR
    100+2.45 EUR
    500+1.29 EUR
    1000+1.16 EUR
    2000+1.08 EUR
    5000+1.01 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
    Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
    Type of transistor: P-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: -100V
    Drain current: -8.2A
    Pulsed drain current: -48A
    Power dissipation: 88W
    Case: TO220AB
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 0.3Ω
    Mounting: THT
    Gate charge: 38nC
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9530PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Durchsteckmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 100V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 12A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: -
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 88W
    SVHC: Lead (04-Feb-2026)
    Bauform - Transistor: TO-220AB
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: p-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530PBFVishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 12 А, Ptot, Вт = 88, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
    verfügbar 50 Stücke:
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530PBF
    Produktcode: 215123
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    		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
    Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
    auf Bestellung 3232 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    4+5.39 EUR
    50+2.7 EUR
    100+2.44 EUR
    500+1.98 EUR
    1000+1.83 EUR
    2000+1.71 EUR
    Mindestbestellmenge: 4 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 285 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    78+1.91 EUR
    100+1.69 EUR
    Mindestbestellmenge: 78 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
    auf Bestellung 1151 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+3.63 EUR
    10+1.99 EUR
    100+1.33 EUR
    500+1.13 EUR
    1000+1.04 EUR
    2000+1 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF9530PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Durchsteckmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 100V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 12A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 88W
    SVHC: Lead (04-Feb-2026)
    Bauform - Transistor: TO-220AB
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: p-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
    auf Bestellung 1000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 2000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    1000+0.92 EUR
    2000+0.86 EUR
    Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 2000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    1000+0.92 EUR
    2000+0.88 EUR
    Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
    Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
    auf Bestellung 3290 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    5+4.1 EUR
    50+2.01 EUR
    100+1.81 EUR
    500+1.45 EUR
    1000+1.33 EUR
    2000+1.24 EUR
    Mindestbestellmenge: 5 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530PBF-BE3.VISHAYDescription: VISHAY - IRF9530PBF-BE3. - MOSFET, P-CH, 100V, 12A, TO-220AB
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Through Hole
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 100V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 12A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 88W
    SVHC: Lead
    Bauform - Transistor: TO-220AB
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: P Channel
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
    directShipCharge: 25
    auf Bestellung 285 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530SVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530SSiliconixP-MOSFET 12A 100V 75W 0.2Ω IFR9530S smd TIRF9530s
    Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
    auf Bestellung 4 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    25+2.02 EUR
    Mindestbestellmenge: 4 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530SPBF
    Produktcode: 192850
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    		VBsemiTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Gehäuse: D2Pak
    Uds,V: 100 V
    Id,A: 12 А
    Ciss, pF/Qg, nC: 2765/67
    /: SMD
    auf Bestellung 78 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    auf Bestellung 2 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530SPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
    Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
    Type of transistor: P-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: -100V
    Drain current: -8.2A
    Pulsed drain current: -48A
    Power dissipation: 88W
    Case: D2PAK; TO263
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 0.3Ω
    Mounting: SMD
    Gate charge: 38nC
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 100V 12A P-CH MOSFET
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9530SPBF
    Produktcode: 35683
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    		IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Gehäuse: D2Pak
    Uds,V: 100
    Id,A: 12
    Rds(on),Om: 0.3
    Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
    /: SMD
    verfügbar: 6 St.
      1+0.98 EUR
      10+0.81 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9530SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      Drain-Source-Spannung Vds: 100V
      rohsCompliant: Y-EX
      Dauer-Drainstrom Id: 12A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      MSL: MSL 1 - unbegrenzt
      usEccn: EAR99
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
      euEccn: NLR
      Verlustleistung: 88W
      Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: -
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      Kanaltyp: p-Kanal
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
      SVHC: Lead (25-Jun-2025)
      auf Bestellung 3 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: P-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
      Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
      Part Status: Obsolete
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9530STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      Drain-Source-Spannung Vds: 100V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 12A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: N
      MSL: MSL 1 - unbegrenzt
      usEccn: EAR99
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
      euEccn: NLR
      Verlustleistung: 3.7W
      Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: -
      productTraceability: No
      Kanaltyp: p-Kanal
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
      SVHC: Lead (21-Jan-2025)
      auf Bestellung 34 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      		 Mindestbestellmenge: 34 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530STRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
      Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
      Type of transistor: P-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: -100V
      Drain current: -8.2A
      Pulsed drain current: -48A
      Power dissipation: 88W
      Case: D2PAK; TO263
      Gate-source voltage: ±20V
      On-state resistance: 0.3Ω
      Mounting: SMD
      Gate charge: 38nC
      Kind of package: reel; tape
      Kind of channel: enhancement
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: P-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
      Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 100V 12A P-CH MOSFET
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9530STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      Drain-Source-Spannung Vds: 100V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 12A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      MSL: MSL 1 - unbegrenzt
      usEccn: EAR99
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
      euEccn: NLR
      Verlustleistung: 3.7W
      Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: -
      productTraceability: No
      Kanaltyp: p-Kanal
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
      SVHC: Lead (21-Jan-2025)
      auf Bestellung 34 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: P-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
      Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530STRPBFVishay / SiliconixRF inductors - Leaded
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: P-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
      Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
      Part Status: Obsolete
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: P-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
      Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530STRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9530STRRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
      Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
      Type of transistor: P-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: -100V
      Drain current: -8.2A
      Pulsed drain current: -48A
      Power dissipation: 88W
      Case: D2PAK; TO263
      Gate-source voltage: ±20V
      On-state resistance: 0.3Ω
      Mounting: SMD
      Gate charge: 38nC
      Kind of package: reel; tape
      Kind of channel: enhancement
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9531Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 12A TO220AB
      Packaging: Bulk
      Package / Case: TO-220-3
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: P-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
      Power Dissipation (Max): 75W
      Supplier Device Package: TO-220AB
      Vgs (Max): ±320V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9532HARRISIRF9532
      auf Bestellung 4860 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      355+1.54 EUR
      500+1.37 EUR
      1000+1.24 EUR
      Mindestbestellmenge: 355 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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