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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF9520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+1.15 EUR
162+1.02 EUR
182+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NPBF
Produktcode: 149959
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Id, A: 6,8 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,48 Ом
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.79 EUR
10+0.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9520NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.48 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 6.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 48
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NPBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+0.98 EUR
179+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.06 EUR
182+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальный ПТ (Vds=100V, Id=6.8A@T=25C, Id=4.8A@T=100C, Rds... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NSInternational RectifierP-MOSFET 100V 6.8A IRF9520NS TIRF9520ns
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9520PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -27A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF
Produktcode: 154193
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Id, A: 6,8 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 390/18
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.64 EUR
10+0.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBFVishayMOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF
Produktcode: 123233
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Vishay / SiliconixTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Id, A: 6,8 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 390/18
Montage: THT
auf Bestellung: 18 St.
  • 18 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.25 EUR
10+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 6.8A P-CH MOSFET
auf Bestellung 1116 Stücke:
Lieferzeit 274-278 Tag (e)
2+3.2 EUR
10+2.14 EUR
100+1.39 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 6,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 390 @ 25, Qg, нКл = 18, Rds = 600 мОм @ 4,1 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 60 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 29 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF
Produktcode: 32841
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 100V 6.8A P-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SSiliconixP-MOSFET 6,8A 100V 60W 0.6? IRF9520S smd TIRF9520s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SInternational RectifierD2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SPBFVishayTO-263 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 100V 6.8A P-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9520SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 832 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.38 EUR
80+2.9 EUR
100+2.63 EUR
500+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -27A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.03 EUR
10+3.9 EUR
50+2.99 EUR
100+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520STRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.8A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.06 EUR
2400+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 100V 6.8A P-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520STRRPBFVishay / SiliconixMOSFETs P-Chan 100V 6.8 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520STRRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -27A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9522HARRISIRF9522
auf Bestellung 907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
312+2.07 EUR
500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 312 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9522Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
249+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9522HARRISIRF9522
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
312+2.07 EUR
500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 312 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530HARRISIRF9530
auf Bestellung 1165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+3.42 EUR
500+3.03 EUR
1000+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 2793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
151+3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530SiliconixP-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530HARRISIRF9530
auf Bestellung 1583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+3.42 EUR
500+3.03 EUR
1000+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530
Produktcode: 78154
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VishayTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 48 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.26 EUR
10+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530-220MSemelab (TT electronics)Trans MOSFET P-CH 100V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-257AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530-220MWelwyn Components / TT ElectronicsMOSFET MOSFET - POWER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530LVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 12A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NInternational RectifierP-MOSFET 14A 100V 79W 0.2Ω IRF9530N TIRF9530n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NInfineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530N
Produktcode: 7932
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530N-MLMOSLEADERTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9530; IRF9530-BE3; IRF9530N; SP001570634; IRF9530N-ML MOSLEADER TIRF9530n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 14A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NLPBFIR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBFInternational RectifierMOSFET,-100V,-14 A, TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 44794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 16045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.18 EUR
119+1.95 EUR
152+1.42 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.98 EUR
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBFInfineonMOSFET,-100V,-14 A, TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.57 EUR
72+1.19 EUR
82+1.05 EUR
90+0.95 EUR
101+0.84 EUR
250+0.71 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 44780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBFMOSFET,-100V,-14 A, TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 11868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.97 EUR
10+2.55 EUR
50+1.93 EUR
100+1.73 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
auf Bestellung 44364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.89 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.95 EUR
2000+0.86 EUR
5000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 28275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF
Produktcode: 32844
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 500/25
Montage: THT
verfügbar: 14 St.
  • 14 St. - stock Köln
auf Bestellung: 350 St.
  • 350 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.86 EUR
10+0.77 EUR
100+0.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF 50K
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF/IRIR08+;
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSInternational RectifierTrans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NS
Produktcode: 58984
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
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IRF9530NSPBFAmphenolCircular MIL Spec Connector
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IRF9530NSPBF
Produktcode: 154938
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF9530NSPBFInternational RectifierТранзистори
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IRF9530NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 200mOhms 38.7nC
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IRF9530NSPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 14 A, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 69 Stücke:
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IRF9530NSTRLInfineonP-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRF9530NSTRLHRInternational RectifierTrans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin
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 Mindestbestellmenge: 10400 Stücke
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IRF9530NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.7 EUR
46+1.84 EUR
65+1.33 EUR
100+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 83200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.92 EUR
10+2.5 EUR
50+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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