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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK033V120X2

Description: 1200V SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 300W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 17.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2908 pF @ 800 V

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	30.15 EUR
10+	21.84 EUR
25+	19.7 EUR
240+	16.21 EUR

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AOK033V120X2

AOK033V120X2 THT N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK033V120X2Q

Description: 1200V SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 300W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 17.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2908 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 214 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	34.83 EUR
10+	25.47 EUR
25+	23.06 EUR

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AOK033V120X2Q

AOK033V120X2Q THT N channel transistors

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AOK040A60

High Voltage MOSFETs (500V - 1000V)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK040A60

AOK040A60 THT N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK042A60FD

Description: N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9165 pF @ 100 V

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AOK060V65X2

AOK060V65X2

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK060V65X2

Description: 650V SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.4 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 400 V

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.76 EUR
10+	9.48 EUR
240+	7.96 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK060V75X2Q

Description: 750V SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.4 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15.82 EUR
10+	10.99 EUR
240+	9.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK065A60

Description: N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 20A (Tc)
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 208W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK065A60

High Voltage MOSFETs (500V - 1000V)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK065A60FD

Description: LINEAR IC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 100 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK065V120X2Q

1200V SiC MOSFETs

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AOK065V120X2Q

AOK065V120X2Q THT N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK065V65X2

Description: MOSFET N-CH 650V 40.3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 187.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 400 V

auf Bestellung 225 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	22.48 EUR
10+	15.75 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK095A60

AOK095A60 THT N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK095A60

Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 378W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 100 V

auf Bestellung 830 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.79 EUR
30+	6.19 EUR
120+	5.17 EUR
510+	4.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK095A60

N Channel Power Transistor

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK095A60FD

Description: LINEAR IC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 100 V

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.68 EUR
10+	7.54 EUR
240+	5.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK10B60D

Description: IGBT 600V 20A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/72ns
Switching Energy: 260µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 17.4 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 163 W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK10B60D

AOK10B60D THT IGBT transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK10B60D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 163000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK10N90

Trans MOSFET N-CH 900V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK10N90

Description: MOSFET N-CH 900V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK125A60

Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2993 pF @ 100 V

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.96 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK125A60

N Channel Power Transistor

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK125A60

AOK125A60 THT N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK15B60D

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 83.3W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 83.3W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK15B60D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK15B60D

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK15B60D

Description: IGBT 600V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 196 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/74ns
Switching Energy: 510µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 25.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 167 W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK160A60

N Channel Power Transistor

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK160A60

Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.08 EUR
10+	7.27 EUR
100+	5.95 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK160A60

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 96A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 46nC

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK160A60

N Channel Power Transistor

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK160A60

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK18N65L

Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK18N65L

Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK20120XSD

Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 31A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 31A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V

auf Bestellung 230 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	17.44 EUR
10+	12.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK20B120D1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 340mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK20B120D1

Description: IGBT 1200V 20A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: -/152ns
Switching Energy: 940µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 67.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 340 W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK20B120E1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 20A; 167W; TO247; 0.83mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 60.5nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 339ns
Collector-emitter saturation voltage: 1.68V
Turn-off switching energy: 0.83mJ

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK20B120E1

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK20B120E1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK20B120E1

Description: IGBT 1200V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: -/134ns
Switching Energy: 830µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 60.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 333 W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK20B120E2

AOK20B120E2 THT IGBT transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK20B120E2

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK20B120E2

Description: IGBT 1200V 20A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: -/123ns
Switching Energy: 820µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 53.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 250 W

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AOK20B135D1

AOK20B135D1 THT IGBT transistors

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AOK20B135D1

Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 340000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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AOK20B135D1

Description: IGBT 1350V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: -/156ns
Switching Energy: 1.05mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 340 W

auf Bestellung 158 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.43 EUR
30+	4.74 EUR
120+	3.93 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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AOK20B135E1

Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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AOK20B135E1

Description: IGBT 1350V 20A 340W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: -/134ns
Switching Energy: 800µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 250 W

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AOK20B60D1

Description: IGBT 600V 40A 180W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/66ns
Switching Energy: 760µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 24.6 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 74 A
Power - Max: 167 W

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AOK20B60D1

AOK20B60D1 THT IGBT transistors

auf Bestellung 113 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	3.72 EUR
30+	2.43 EUR
32+	2.3 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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AOK20B60D1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 139000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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AOK20B65M1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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AOK20B65M1

Description: IGBT 650V 20A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 322 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/122ns
Switching Energy: 470µJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 227 W

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AOK20B65M1

AOK20B65M1 THT IGBT transistors

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AOK20B65M2

Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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AOK20B65M2

Description: IGBT 650V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 292 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/123ns
Switching Energy: 580µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 227 W

auf Bestellung 73 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.34 EUR
30+	4.08 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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AOK20B65M2

AOK20B65M2 THT IGBT transistors

auf Bestellung 710 Stücke:

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15+	4.78 EUR
23+	3.15 EUR
24+	2.99 EUR

Mindestbestellmenge: 15

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AOK20N60L

Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R

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AOK20N60L

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V

auf Bestellung 88 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.47 EUR
30+	4.75 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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AOK20S60L

Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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AOK20S60L

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1038 pF @ 100 V

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AOK20S60L

Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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AOK22N50L

Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 25 V

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AOK22N50L

Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R

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AOK2500L

Description: MOSFET N-CH 150V 14A/180A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 75 V

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AOK27S60L

Description: MOSFET N-CH 600V 27A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1294 pF @ 100 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK27S60L

Trans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R

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AOK29S50L

Trans MOSFET N-CH 500V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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AOK29S50L

Trans MOSFET N-CH 500V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK29S50L

Description: MOSFET N-CH 500V 29A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 100 V

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AOK30B120D2

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 170W; TO247; 1.28mJ
Collector current: 30A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Gate charge: 67nC
Turn-off switching energy: 1.28mJ
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector-emitter saturation voltage: 1.77V
Turn-off time: 340ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 128 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

13+	5.71 EUR
14+	5.13 EUR
19+	3.93 EUR
20+	3.72 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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AOK30B120D2

Description: IGBT 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: -/115ns
Switching Energy: 1.28mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 340 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK30B120D2

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 340000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK30B120D2

auf Bestellung 128 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	5.71 EUR
14+	5.13 EUR
19+	3.93 EUR
20+	3.72 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK30B135C1

Description: IGBT 30A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: -/110ns
Switching Energy: 1.45mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 288 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK30B135C1

AOK30B135C1 THT IGBT transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK30B135D2

Description: IGBT 1350V 30A TO-247

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK30B135W1

Description: IGBT 1350V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: -/129ns
Switching Energy: 1.47mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 340 W

auf Bestellung 204 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.33 EUR
30+	5.26 EUR
120+	4.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK30B135W1

AOK30B135W1 THT IGBT transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK30B135W1

Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 340mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK30B135W1

Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK30B135W1

Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK30B60D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 278W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK30B60D

Description: IGBT 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 137 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/71ns
Switching Energy: 1.18mJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 47 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 128 A
Power - Max: 278 W

Produkt ist nicht verfügbar

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AOK30B60D

AOK30B60D THT IGBT transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK30B60D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 278000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK30B60D1

Description: IGBT 600V 60A 208W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 26A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/58ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 34 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 208 W

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AOK30B60D1

AOK30B60D1 THT IGBT transistors

auf Bestellung 98 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

24+	3 EUR
36+	2 EUR
38+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 24

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AOK30B60D1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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AOK30B60D1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK30B65M2

Description: IGBT 650V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 339 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/138ns
Switching Energy: 1.02mJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 300 W

auf Bestellung 121 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.78 EUR
30+	4.34 EUR
120+	3.58 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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AOK30B65M2

AOK30B65M2 THT IGBT transistors

Produkt ist nicht verfügbar

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AOK30B65M2

Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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AOK40B120H1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247; Eoff: 1.24mJ; Eon: 2.45mJ
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Turn-on time: 133ns
Turn-off time: 375ns
Turn-off switching energy: 1.24mJ
Turn-on switching energy: 2.45mJ
Power dissipation: 250W
Collector-emitter saturation voltage: 1.8V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247
Type of transistor: IGBT

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AOK40B120H1

1200V, 40A AlphaIGBT TM With Soft and Fast Recovery Anti-parallel Diode

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AOK40B120H1
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AOK40B120M1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247

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AOK40B120M1

Description: IGBT 1200V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 340 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 90ns/226ns
Switching Energy: 3.87mJ (on), 1.25mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 600 W

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AOK40B120N1

Description: IGBT 1200V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 57ns/146ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 600 W

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AOK40B120N1

AOK40B120N1 THT IGBT transistors

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AOK40B120N1

Alpha IGBT With Soft and Fast Recovery Anti Parallel Diode

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AOK40B120N1

Alpha IGBT With Soft and Fast Recovery Anti Parallel Diode

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AOK40B120P1

Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode

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AOK40B120P1

Description: IGBT 40A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 2.5mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 202 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 600 W
Td (on/off) @ 25°C: 53ns/210ns

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AOK40B120P1

AOK40B120P1 THT IGBT transistors

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AOK40B120P1

Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode

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AOK40B60D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 312500mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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AOK40B60D

Description: IGBT 600V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 138 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/77ns
Switching Energy: 1.72mJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 63.5 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 312.5 W

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AOK40B60D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 312.5mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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AOK40B60D1

Description: IGBT 600V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 127 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/74ns
Switching Energy: 1.55mJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 278 W

auf Bestellung 92 Stücke:

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3+	8.03 EUR
30+	4.5 EUR

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AOK40B60D1

AOK40B60D1 THT IGBT transistors

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21+	3.53 EUR
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AOK40B60D1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 278000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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AOK40B65GQ1

AOK40B65GQ1 THT IGBT transistors

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AOK40B65GQ1

Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode

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AOK40B65H1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.46mJ; Eon: 1.27mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 82ns
Turn-off time: 173ns
Turn-on switching energy: 1.27mJ
Turn-off switching energy: 0.46mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.9V

auf Bestellung 191 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	4.59 EUR
18+	4.06 EUR
21+	3.52 EUR
22+	3.33 EUR

Mindestbestellmenge: 16

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AOK40B65H1

Description: IGBT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 346 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/130ns
Switching Energy: 1.27mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.92 EUR
10+	5.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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AOK40B65H1

auf Bestellung 191 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

16+	4.59 EUR
18+	4.06 EUR
21+	3.52 EUR
22+	3.33 EUR
240+	3.2 EUR

Mindestbestellmenge: 16

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AOK40B65H1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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AOK40B65H2AL

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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AOK40B65H2AL

Description: IGBT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 315 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/117ns
Switching Energy: 1.17mJ (on), 540µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 61 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W

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AOK40B65H2AL

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 152ns
Collector-emitter saturation voltage: 2.05V
Turn-off switching energy: 0.54mJ
Turn-on switching energy: 1.17mJ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 306 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

29+	2.55 EUR
32+	2.29 EUR
41+	1.74 EUR
44+	1.66 EUR

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AOK40B65H2AL

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 260mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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AOK40B65H2AL

auf Bestellung 306 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	2.55 EUR
32+	2.29 EUR
41+	1.74 EUR
44+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 29

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK40B65H2AL_002

AOK40B65H2AL_002

auf Bestellung 32640 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	2.69 EUR
8160+	2.38 EUR
16320+	2.15 EUR
24480+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 240

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK40B65HQ1

Description: IGBT 40A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/110ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 61 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 312 W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK40B65HQ2

Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK40B65HQ2

Description: IGBT 40A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/110ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 61 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 312 W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK40B65HQ3

Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK40B65HQ3

AOK40B65HQ3 THT IGBT transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK40B65HQ3

Description: IGBT 40A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 106 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/110ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 61 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 312 W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK40B65M3

Description: IGBT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 365 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/125ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W

auf Bestellung 213 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.88 EUR
30+	4.41 EUR
120+	3.65 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK40B65M3

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK40N30L

Description: MOSFET N-CH 300V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK40N30L

Trans MOSFET N-CH 300V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK40N30L

AOK40N30L THT N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK42S60L

Description: MOSFET N-CH 600V 39A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2154 pF @ 100 V

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AOK42S60L

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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AOK500V120X2

AOK500V120X2 THT N channel transistors

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AOK50B60D1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 125W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 2.37mJ
Mounting: THT
Turn-off time: 104ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Kind of package: tube
Gate charge: 64nC
Turn-on switching energy: 2.37mJ
Turn-off switching energy: 0.5mJ
Pulsed collector current: 168A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter saturation voltage: 1.85V
Collector current: 50A
Case: TO247
Turn-on time: 98ns

auf Bestellung 77 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	5.48 EUR
15+	4.83 EUR
17+	4.25 EUR
18+	4.02 EUR

Mindestbestellmenge: 14

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK50B60D1

Description: IGBT 600V 100A 312W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 132 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/68ns
Switching Energy: 2.37mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 168 A
Power - Max: 312 W

auf Bestellung 52 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.18 EUR
30+	4.92 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK50B60D1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK50B60D1

auf Bestellung 77 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

14+	5.48 EUR
15+	4.83 EUR
17+	4.25 EUR
18+	4.02 EUR

Mindestbestellmenge: 14

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK50B60D1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK50B65GL1

Description: IGBT 50A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 282ns/915ns
Switching Energy: 3.37mJ (on), 1.59mJ (off)
Test Condition: 300V, 50A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 312 W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK50B65H1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK50B65H1

AOK50B65H1 THT IGBT transistors

auf Bestellung 38 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

15+	5.08 EUR
20+	3.69 EUR
21+	3.49 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK50B65H1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK50B65H1

Description: IGBT 650V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 261 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/141ns
Switching Energy: 1.92mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 375 W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK50B65M2

Description: IGBT 650V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 327 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/182ns
Switching Energy: 2.09mJ (on), 1.03mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 500 W

auf Bestellung 219 Stücke:

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2+	9.66 EUR
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Mindestbestellmenge: 2

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AOK50B65M2

AOK50B65M2 THT IGBT transistors

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AOK53S60

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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AOK53S60

AOK53S60 THT N channel transistors

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AOK53S60

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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AOK53S60

Description: MOSFET N-CH 600V 53A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3034 pF @ 100 V

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AOK53S60L

Description: MOSFET N-CH 600V 53A TO247

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AOK53S60L

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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AOK53S60L

AOK53S60L THT N channel transistors

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AOK5N100

Trans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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AOK5N100

Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK5N100L

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AOK5N100L

Trans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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AOK60B60D1

Description: IGBT 600V 120A 417W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 137 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/74ns
Switching Energy: 3.1mJ (on), 730µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A
Power - Max: 417 W

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AOK60B60D1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 417mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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AOK60B60D1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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AOK60B60D1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 167W; TO247; Eoff: 0.73mJ; Eon: 3.1mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 167W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 210A
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 109ns
Turn-off time: 105ns
Turn-off switching energy: 0.73mJ
Turn-on switching energy: 3.1mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.85V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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AOK60B60D1

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AOK60B60D1; IGBT; With Diode; 60A; 600V; 417W; Корпус: TO-247; ALPHA & OMEGA (шт)

auf Bestellung 1 Stücke:

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AOK60B65H1

Description: IGBT 650V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 288 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/153ns
Switching Energy: 2.42mJ (on), 1.17mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 500 W

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AOK60B65H1

AOK60B65H1 THT IGBT transistors

auf Bestellung 245 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

12+	6.33 EUR
18+	4.18 EUR
19+	3.95 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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AOK60B65H2AL

Description: IGBT 60A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 318 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/168ns
Switching Energy: 2.36mJ (on), 1.17mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W

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AOK60B65H2AL

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1.17mJ; Eon: 2.36mJ
Kind of package: tube
Turn-on time: 113ns
Turn-off time: 270ns
Type of transistor: IGBT
Collector current: 60A
Power dissipation: 166W
Collector-emitter saturation voltage: 1.95V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
Case: TO247
Gate charge: 84nC
Turn-on switching energy: 2.36mJ
Turn-off switching energy: 1.17mJ
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

14+	5.11 EUR
20+	3.58 EUR

Mindestbestellmenge: 14

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK60B65H2AL

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	5.11 EUR

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AOK60B65H2AL
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK60B65H2AL

650V, 60A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode

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AOK60B65H2AL

650V, 60A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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AOK60B65HQ3

Description: IGBT 60A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 106 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/157ns
Switching Energy: 2.21mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 500 W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK60B65M3

Description: IGBT 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 346 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/166ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 106 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 500 W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK60B65M3

AOK60B65M3 THT IGBT transistors

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	7.24 EUR
16+	4.48 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK60N30L

Description: MOSFET N-CH 300V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 658W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK60N30L

Trans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK60N30L

Trans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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AOK66518

Medium Voltage MOSFETs (40V - 400V)

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AOK66518

AOK66518 THT N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK66613

AOK66613 THT N channel transistors

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AOK66613

Description: MOSFET N-CH 60V 58.5A/120A TO247

auf Bestellung 590 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.92 EUR
10+	7.12 EUR
100+	5.83 EUR
500+	4.96 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK66613

60V N-Channel MOSFET

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AOK66914

AOK66914 THT N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK75B60D1

Description: IGBT 600V 150A 500W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 147 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/84ns
Switching Energy: 3.7mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 118 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 290 A
Power - Max: 500 W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK75B60D1

AOK75B60D1 THT IGBT transistors

auf Bestellung 105 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

9+	7.99 EUR
13+	5.82 EUR
14+	5.49 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK75B60D1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK75B65H1

Description: IGBT 650V 75A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 295 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/175ns
Switching Energy: 3.77mJ (on), 2.04mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 556 W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK75B65H1

AOK75B65H1 THT IGBT transistors

auf Bestellung 157 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

11+	6.76 EUR
17+	4.42 EUR
18+	4.18 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK75B65H1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 556W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK8N80

Description: MOSFET N-CH 800V 7.4A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK8N80

AOK8N80 THT N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK8N80

Trans MOSFET N-CH 800V 7.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK8N80L

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOK8N80L

Trans MOSFET N-CH 800V 7.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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AOK9N90

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement

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AOK9N90

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AOK9N90

Description: MOSFET N-CH 900V 9A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 368W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 25 V

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AOK9N90

Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 9600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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AOKS30B60D1

Description: IGBT 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/58ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 34 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 208 W

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.85 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AOKS30B60D1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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AOKS30B60D1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 83W; TO247
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 83W
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Case: TO247
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 96A

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AOKS30B60D1

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AOKS40B60D1

Description: IGBT 600V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/74ns
Switching Energy: 1.55mJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 278 W

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AOKS40B65H1

Description: IGBT 650V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/130ns
Switching Energy: 1.27mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W

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AOKS40B65H2AL

Description: IGBT 40A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/117ns
Switching Energy: 1.17mJ (on), 540µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 61 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W

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AOKS40B65H2AL

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 151ns
Turn-on switching energy: 1.17mJ
Turn-off switching energy: 0.54mJ
Collector-emitter saturation voltage: 2.05V

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AOKS40B65H2AL

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 151ns
Turn-on switching energy: 1.17mJ
Turn-off switching energy: 0.54mJ
Collector-emitter saturation voltage: 2.05V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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