Produkte > FF2
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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| FF2-10-AC-03 | Honeywell Sensing and Productivity Solutions | Description: SENSOR REED SWITCH NC CBL LEADS | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF2-10-AC-03 | Honeywell | Control Switches 1NC 2A 230Vac Barrel Safety Switch | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF2-10-AC-03 | Honeywell | Proximity Sensor Magnetic NC 3cm 230VAC | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF2-10-DC-03 | Honeywell | Proximity Sensor Magnetic NC 3cm 30VDC | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF2-10-DC-03 | Honeywell Sensing and Productivity Solutions | Description: FF2 MAGNETICALLY ACTUATED | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF2-11-AC-03 | Honeywell | Proximity Sensor Magnetic NO/NC 3cm 230VAC | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF2-11-AC-03 | Honeywell Sensing and Productivity Solutions | Description: FF2 MAGNETICALLY ACTUATED | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF2-11-DC-03 | Honeywell | Proximity Sensor Magnetic NO/NC 3cm 30VDC | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF2-11-DC-03 | Honeywell Sensing and Productivity Solutions | Description: FF2 MAGNETICALLY ACTUATED | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF20-XWP | Aptiv (formerly Delphi) | Automotive Connectors TERM FINCLICK FML | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200 | Greenlee Communications | Description: FISHFINDER VISION SYSTEMS PLUS | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200 | Greenlee | Punches & Dies | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200-0AG-006B | LEDtronics, Inc. | 518nm Green LED Modules | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200-0AG-024B | LEDtronics, Inc. | LED Single Green 525nm | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200-0CW-006B | LEDtronics, Inc. | LED Uni-Color White 2-Pin | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200-0CW-014B | LEDtronics, Inc. | LED, Single, 160mcd Intensity | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200-0IW-014B | LEDtronics, Inc. | LED Uni-Color White 2-Pin | auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200-0UR-014B | LEDtronics, Inc. | LED Uni-Color Red 652nm 2-Pin | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200-87 | MOFLASH SIGNALLING | Category: Light Signalling Devices Description: Signaller: lighting; flashing light; 200; 230VAC; IP65; Ø115x205mm Type of signaller: lighting Signalling method: flashing light Manufacturer series: 200 Supply voltage: 230V AC Light source: bulb BA15D Operating temperature: -25...66°C IP rating: IP65 Body dimensions: Ø115x205mm Related items: 50001; 50010; 50064; 50065; 50066; 50067; 50068; 50080 Body material: ABS | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200-87 | MOFLASH SIGNALLING | Category: Light Signalling Devices Description: Signaller: lighting; flashing light; 200; 230VAC; IP65; Ø115x205mm Type of signaller: lighting Signalling method: flashing light Manufacturer series: 200 Supply voltage: 230V AC Light source: bulb BA15D Operating temperature: -25...66°C IP rating: IP65 Body dimensions: Ø115x205mm Related items: 50001; 50010; 50064; 50065; 50066; 50067; 50068; 50080 Body material: ABS Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FF2000UXTR33T2M1BPSA1 | Infineon Technologies | SIC 3.300V, 1000A Module, Half Bridge | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF2000XTR17IE5BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors PP IHM I | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FF2000XTR17IE5BPSA1 | Infineon Technologies | Description: PP IHM I Packaging: Tray | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF200R06KE3 Produktcode: 170496 | IC > IC andere | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
| FF200R06KE3 | EUPEC | MODULE | auf Bestellung 146 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF200R06KE3 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 600V 260A | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FF200R06KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 260A 680W 7-Pin 62MM-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R06KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 600V 260A 680W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 260 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 680 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF200R06KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 260A 680000mW 7-Pin 62MM-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R06KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 260A 680W 7-Pin 62MM-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R06YE3 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 600V 200A | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF200R06YE3BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 220A 515mW Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KE3 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 200A DUAL | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FF200R12KE3 Produktcode: 35777 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
| FF200R12KE3 | EUPEC | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
| FF200R12KE3, | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| FF200R12KE3B2HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 295A 1050W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 295 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KE3B2HOSA1 | Infineon Technologies | FF200R12KE3B2HOSA1 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KE3B2HOSA1 | Infineon Technologies | MEDIUM POWER 62MM | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KE3ENG | EUPEC | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
| FF200R12KE3G | EUPEC | 200A/1200V/IGBT/2U | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF200R12KE3HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.05kW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KE3HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.05kW Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KE3HOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF200R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 295A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 1.05kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.05kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 295A Betriebstemperatur, max.: 125°C | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF200R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 1050W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF200R12KE3_B2 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 295A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KE4 Produktcode: 150251 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
| FF200R12KE4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT-MODULE | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 312-326 Tag (e) |
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| FF200R12KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 240A 1100000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KE4HOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF200R12KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 240 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 240A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 1.1kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn DC-Kollektorstrom: 240A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF200R12KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 240A 1100W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 240 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF200R12KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 240A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 240A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KE4PHOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KE4PHOSA1 | Infineon Technologies | 62mm C-Series module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and pre-applied Thermal Interface Material | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KE4PHOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KE4PHOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KE4PHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 200A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KE4PHOSA1 | Infineon Technologies | 62mm C-Series module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and pre-applied Thermal Interface Material | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KES4 | EUPEC | MODULE | auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF200R12KS3 | EUPEC | MODULE | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF200R12KS4 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 200A DUAL | auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FF200R12KS4 | EUPEC | 11+ . | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF200R12KS4 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1400000mW 7-Pin 62MM-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KS4 | EUPEC | MODULE | auf Bestellung 1319 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF200R12KS4 | EUPEC | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
| FF200R12KS4 | EUPEC | 200A/1200V/IGBT/2U | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF200R12KS4 Produktcode: 51740 | Infineon | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Vces: 1200 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KS4 | INFINEON | 200A/1200V IGBT MODULE | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF200R12KS4, | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| FF200R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1400W 7-Pin 62MM-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 275A 1400W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 275 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1400 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1400W 7-Pin 62MM-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1400000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KS4HOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF200R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 275 A, 3.2 V, 1.4 kW, 125 °C, Module IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2 Verlustleistung Pd: 1.4 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Anzahl der Pins: - Produktpalette: 62mm C IGBT-Konfiguration: Zweifach Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 275 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KS4PHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 275A 1400W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 275 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1400 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF200R12KS4PHOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KS4PHOSA1 | Infineon Technologies | FF200R12KS4PHOSA1 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KS4PHOSA1 | Infineon Technologies | Medium Power 62mm IGBT-Module | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KT3 | EUPEC | MODULE | auf Bestellung 474 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF200R12KT3 | INFINEON | 12+ . | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF200R12KT3 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 295A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KT3EHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050000mW 7-Pin 62MM-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KT3EHOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2 Type of module: IGBT Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT x2 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.05kW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KT3EHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 1050W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF200R12KT3EHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KT3EHOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2 Type of module: IGBT Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT x2 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.05kW Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KT3EHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 1050W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KT3HOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KT3HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 1050W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Not For New Designs Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF200R12KT3HOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KT3_E | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 200A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KT4 | INFINEON | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
| FF200R12KT4 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 320A | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FF200R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF200R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 320A 1100W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 320 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF200R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KT4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.1kW Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200R12KT4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.1kW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12MT4 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD-2-1 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 295 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12MT4BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 1050W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R12MT4BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050000mW Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R17KE3 | EUPEC | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
| FF200R17KE3 | Infineon Technologies | Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF200R17KE3 | EUPEC | MODULE | auf Bestellung 1009 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF200R17KE3 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.7KV 390A | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FF200R17KE3 | EUPEC | A4-2 | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF200R17KE3HDLA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER 62MM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Switch Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MMHB IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 310 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R17KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200R17KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250000mW 7-Pin 62MM-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R17KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 310A 1250W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 310 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF200R17KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R17KE3HOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF200R17KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 310 A, 2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V Dauer-Kollektorstrom: 310A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 1.25kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 310A Betriebstemperatur, max.: 125°C | auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF200R17KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R17KE3S4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE VCES 1200V 200A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 310 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF200R17KE3S4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE VCES 1200V 200A Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 310 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V | auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF200R17KE3S4HOSA1 | Infineon Technologies | MEDIUM POWER 62MM | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R17KE3S4HOSA1 | Infineon Technologies | FF200R17KE3S4HOSA1 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R17KE3_S4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 200A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R17KE4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 200A 1700V | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FF200R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 310A 1250W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 310 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FF200R17KE4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Case: AG-62MM-1 Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.25kW Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.7kV | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250000mW 7-Pin 62MM-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R17KE4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Case: AG-62MM-1 Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.25kW Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.7kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FF200R17KE4PHPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER 62MM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MMHB IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 310 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R17KE4PHPSA1 | Infineon Technologies | FF200R17KE4PHPSA1 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R17KE4PHPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R33KF2 | EUPEC | MODULE | auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF200R33KF2 | EUPEC | 200A/3300V/IGBT/2U | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF200R33KF2C Produktcode: 107908 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
| FF200R33KF2C | Infineon Technologies | IGBT Modules 3300V 200A DUAL | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FF200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 3300V 330A 2200W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 330 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V Power - Max: 2200 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25 nF @ 25 V | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200000mW Automotive 10-Pin IHV73-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 3300V 330A 2200W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 330 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V Power - Max: 2200 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF201-85 | MOFLASH SIGNALLING | Category: Light Signalling Devices Description: Signaller: lighting; flashing light; 201; 24VDC; IP65; Ø115x205mm Type of signaller: lighting Signalling method: flashing light Manufacturer series: 201 Supply voltage: 24V DC Light source: bulb BA15D Operating temperature: -25...66°C IP rating: IP65 Body dimensions: Ø115x205mm Related items: 50001; 50010; 50064; 50065; 50066; 50067; 50068; 50080 Body material: ABS | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF201-85 | MOFLASH SIGNALLING | Category: Light Signalling Devices Description: Signaller: lighting; flashing light; 201; 24VDC; IP65; Ø115x205mm Type of signaller: lighting Signalling method: flashing light Manufacturer series: 201 Supply voltage: 24V DC Light source: bulb BA15D Operating temperature: -25...66°C IP rating: IP65 Body dimensions: Ø115x205mm Related items: 50001; 50010; 50064; 50065; 50066; 50067; 50068; 50080 Body material: ABS Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FF20L | TELESTE | Category: F connectors Description: Terminator; F; male; 75Ω Kind of connector: male Type of connector: F Wave impedance: 75Ω Connector: terminator Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FF20L | TELESTE | Category: F connectors Description: Terminator; F; male; 75Ω Kind of connector: male Type of connector: F Wave impedance: 75Ω Connector: terminator | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF2100 | QFP | auf Bestellung 3325 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
| FF225R12ME3 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 325A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R12ME3 | EUPEC | MODULE | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF225R12ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 325A 1150W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 325 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1150 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R12ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 325A 1150W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 325 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1150 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16 nF @ 25 V | auf Bestellung 725 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF225R12ME4 | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| FF225R12ME4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 225A | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF225R12ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: FF225R12 - IGBT MODULE | auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF225R12ME4B11BPSA2 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R12ME4B11BPSA2 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-411 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R12ME4B11BPSA2 | Infineon Technologies | SP005422460 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R12ME4BDLA1 | Infineon Technologies | Description: FF225R12 - INSULATEDGATEBIPOLART Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R12ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050000mW 11-Pin ECONOD-3 Tray | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF225R12ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050000mW 11-Pin ECONOD-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R12ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 320A 1050W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 320 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF225R12ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050000mW 11-Pin ECONOD-3 Tray | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF225R12ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 450A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R12ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 450A 20MW Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V | auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 450A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R12ME4_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 225A 1200V | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF225R12MS4 | EUPEC | MODULE | auf Bestellung 232 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF225R12MS4 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 275A | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FF225R12MS4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1450000mW 11-Pin ECONOD-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R12MS4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 275A 1450W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 275 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1450 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15 nF @ 25 V | auf Bestellung 495 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF225R12MS4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 275A 1450W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 275 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1450 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15 nF @ 25 V | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF225R17ME3 | EUPEC | MODULE | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF225R17ME3 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.7KV 340A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R17ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Description: MOD IGBT MED PWR ECONOD-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R17ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 340A 1400W | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF225R17ME4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1700V 225A | auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF225R17ME4B11BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 340A 1500mW 11-Pin ECONOD-4 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R17ME4B11BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 340A 1500W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 340 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1500 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R17ME4B11BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R17ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | SP005422452 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R17ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-311 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R17ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 340A 1500W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 340 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1500 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R17ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 340A 1500000mW 11-Pin ECONOD-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R17ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 340A 1500W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 340 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1500 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF225R17ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 340A 1500000mW 11-Pin ECONOD-3 Tray | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF225R17ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 450A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R17ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 450A 20MW Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V | auf Bestellung 672 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF225R17ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R17ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 450A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R17ME4_B11 | Infineon Technologies | Description: FF225R17 - IGBT MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 340 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1500 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF225R17ME4_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 225A 1700V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: ECONODUAL3 MODULE WITH TRENCHSTO Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 22.9 nF @ 25 V | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF225R17ME7B11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF225R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 225 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 225A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 20mW euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 225A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF225R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FF225R65T3E3BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-XHP3K65 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V Power - Max: 1000000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF225R65T3E3BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF225R65T3E3BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 3 V, 125 °C, Module IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3 Verlustleistung Pd: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5.9 Produktpalette: XHP 3 IGBT-Konfiguration: Zweifach DC-Kollektorstrom: 225 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF225R65T3E3BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules XHP HV | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FF225R65T3E3BPSA1 | Infineon Technologies | SP001983752 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R65T3E3P2BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R65T3E3P2BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules IHV IHM T XHP 3 3-6 5K | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R65T3E3P2BPSA1 | Infineon Technologies | SP001998332 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R65T3E3P3BPMA1 | Infineon Technologies | Infineon IHV IHM T XHP 3 3-6 5K | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R65T3E3P3BPMA1 | Infineon Technologies | SP001998338 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R65T3E3P3BPMA1 | Infineon Technologies | Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R65T3E3P4BPMA1 | Infineon Technologies | Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R65T3E3P4BPMA1 | Infineon Technologies | SP001998352 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R65T3E3P5BPMA1 | Infineon Technologies | Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-XHP3K65 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V Power - Max: 1000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R65T3E3P6BPMA1 | Infineon Technologies | SP001998326 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R65T3E3P6BPMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules XHP HV | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF225R65T3E3P6BPMA1 | Infineon Technologies | Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-XHP3K65 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V Power - Max: 1000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF23 | JKL Components Corp. | Description: LAMP INCAND RT-1.75 MIDG FLA 5V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF23MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 22-Pin EASY1B-2 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF23MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY | auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF23MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 22-Pin EASY1B-2 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF23MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC 2N-CH 1200V 50A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 20mA Supplier Device Package: Module | auf Bestellung 242 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF23MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 22-Pin EASY1B-2 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF23MR12W1M1C11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY AG-EASY1BM-2 Packaging: Tray Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2 IND 1200V 50A EASY1BM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 50A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 20mA Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FF23MR12W1M1P_B11 | Infineon Technologies | Infineon LOW POWER EASY | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF2400R12IP7BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules PP IHM I | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FF2400R12IP7BPSA1 | Infineon Technologies | FF2400R12IP7 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF2400R12IP7BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE Packaging: Bulk | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF2400R12IP7P | Infineon Technologies | FF2400R12IP7P | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF2400R12IP7PBPSA1 | Infineon Technologies | Description: PP IHM I Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-PRIME3+ Current - Collector (Ic) (Max): 2400 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF2400R12IP7PBPSA1 | Infineon Technologies | FF2400R12IP7PBPSA1 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF2400R12IP7PBPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules PP IHM I | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 112-126 Tag (e) |
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| FF2400RB12IP7BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules PP IHM I | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FF2400RB12IP7BPSA1 | Infineon Technologies | Prime Pack 3 Plus B-Series Module with Trench Stop IGBT 7 and Emitter Controlled 7 Diode and NTC | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF2400RB12IP7PBPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules PP IHM I | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FF2400RB12IP7PBPSA1 | Infineon Technologies | Description: PP IHM I XHP 1 7KV AG-PRIME3+-71 Packaging: Tray Input: Standard Configuration: 2 Independent NTC Thermistor: No Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2400 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF2450006 | Diodes Incorporated | Crystals Crystal Ceramic SEAM4025 T&R 1K | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF24C2 | TUK | Description: TUK - FF24C2 - Patchpanel, RJ45, 24 Anschlüsse, Cat5e tariffCode: 85444290 LAN-Kategorie: Cat5e productTraceability: No Steckverbindertyp: RJ45 rohsCompliant: YES Anzahl der Anschlüsse: 24Anschlüsse euEccn: NLR hazardous: false Rackhöhe: - rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: PW Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF24IC | TUK | Description: TUK - FF24IC - Patchpanel, RJ45, 24 Anschlüsse, Cat5e, 1HE tariffCode: 85444290 productTraceability: No rohsCompliant: YES Anzahl der Anschlüsse: 24Anschlüsse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF2500007 | Diodes Incorporated | Crystals Crystal Ceramic SEAM4025 T&R 1K | auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FF25B0121 | Leader Tech Inc. | Description: FERRITE 245OHM HINGED 25.7X1.5MM | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF25B0121 | LeaderTech | Ferrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF25B2480 | LeaderTech | Ferrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF25R06 | EUPEC | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
| FF25R06KL | EUPEC | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
| FF27-16A-R21A-B-3H | Fujikura Ltd. | Conn FPC Connector SKT 16 POS 0.35mm Solder RA SMD T/R | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF2700008 | Diodes Incorporated | Description: CRYSTAL CERAMIC SEAM4025 T&R 1K | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF2700008 | Diodes Zetex | Crystal 27MHz FUND 4-Pin Mini-CSMD T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF2700008 | Diodes Incorporated | Crystals Crystal Ceramic SEAM4025 T&R 1K | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF28B0121 | LeaderTech | Ferrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF28B0121 | Leader Tech Inc. | Description: FERRITE 97OHM HINGED 25.70X1.5MM | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF28B1240 | LeaderTech | Ferrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF28B1265 | Leader Tech Inc. | Description: FERRITE 148OHM HINGED 26.60X1MM | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF28B1265 | LeaderTech | Ferrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF28B1729 | LeaderTech | Ferrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF28B1729 | Leader Tech Inc. | Description: FERRITE 200OHM CLAMP 4.65X1.52MM | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF28B1785 | Leader Tech Inc. | Description: FERRITE 260OHM HINGED 34.4X1.5MM | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF28B1785 | LeaderTech | Ferrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF28B2375 | LeaderTech | Ferrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF28B2375 | Leader Tech Inc. | Description: FERRITE 195OHM HINGED 43.7X1.5MM | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF28B2440 | Leader Tech Inc. | Description: FERRITE 180OHM HINGED 50.8X7.3MM Packaging: Bulk Mounting Type: Free Hanging Material: 28 Length: 1.126" (28.60mm) Type: Flat Design: Hinged (Snap On) Impedance @ Frequency: 180Ohm @ 100MHz Inner Dimension: 2.000" W x 0.287" H (50.80mm x 7.30mm) Outer Dimension: 3.181" W x 1.039" H (80.80mm x 26.40mm) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF28B2440 | LeaderTech | Ferrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF28B2480 | Leader Tech Inc. | Description: FERRITE 250OHM HINGED 52X1.50MM | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF28B2480 | LeaderTech | Ferrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FF28B2500 | LeaderTech | Ferrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF28B2500 | Leader Tech Inc. | Description: FERRITE 325OHM HINGED 52X1.50MM | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF28B3000 | Leader Tech Inc. | Description: FERRITE 370OHM HINGED 64.5X1.5MM Packaging: Bulk Mounting Type: Free Hanging Material: 28 Length: 1.500" (38.10mm) Type: Flat Design: Hinged (Snap On) Impedance @ Frequency: 370Ohm @ 100MHz Inner Dimension: 2.539" W x 0.059" H (64.50mm x 1.50mm) Outer Dimension: 3.701" W x 0.799" H (94.00mm x 20.30mm) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF28B3000 | LeaderTech | Ferrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF28B3012 | LeaderTech | Ferrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF28B3012 | Leader Tech Inc. | Description: FERRITE 286OHM HINGED 64.5X1.5MM Packaging: Bulk Mounting Type: Free Hanging Material: 28 Length: 1.126" (28.60mm) Type: Flat Design: Hinged (Snap On) Impedance @ Frequency: 286Ohm @ 100MHz Inner Dimension: 2.539" W x 0.059" H (64.50mm x 1.50mm) Outer Dimension: 3.701" W x 0.799" H (94.00mm x 20.30mm) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF2MR12KM1H | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER 62MM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MM IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF2MR12KM1HHPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER 62MM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MMHB IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF2MR12KM1HHPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 290A 7-Pin Tray | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF2MR12KM1HHPSA1 | Infineon Technologies | 62 mm C-Series Module with CoolSiC Trench MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF2MR12KM1HHPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 290A 7-Pin Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF2MR12KM1HHPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FF2MR12KM1HHPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 290A 7-Pin Tray | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF2MR12KM1HOSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF2MR12KM1HOSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF2MR12KM1HOSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FF2MR12KM1HOSA1 | Infineon Technologies | Description: SIC 2N-CH 1200V 500A AG-62MM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39700pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.13mOhm @ 500A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1340nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA Supplier Device Package: AG-62MM Part Status: Obsolete | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF2MR12KM1HOSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF2MR12KM1HP | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER 62MM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MM IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF2MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FF2MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF2MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF2MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies | SP005861616 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF2MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies | Description: SIC 2N-CH 1200V AG-62MMHB Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39700pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.13mOhm @ 500A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1340nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA Supplier Device Package: AG-62MMHB | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF2MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF2MR12KM1PHOSA1 | Infineon Technologies | SP005349765 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF2MR12KM1PHOSA1 | Infineon Technologies | Description: SIC 2N-CH 1200V 500A AG-62MM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39700pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.13mOhm @ 500A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1340nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA Supplier Device Package: AG-62MM | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF2MR12KM1PHOSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FF2MR12W3M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: SIC 4N-CH 1200V AG-EASY3B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48400pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.27mOhm @ 400A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1600nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA Supplier Device Package: AG-EASY3B Part Status: Active | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FF2MR12W3M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY | auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FF2MR12W3M1HB11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF2MR12W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, 0.00144 ohm, Module tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: 52Pin(s) Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 125°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00144ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF2MR12W3M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 400A 58-Pin Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF2U06SR | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM2 06P Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF2U12LD | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM2 12P | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF2U12SC | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM2 12P Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar |