Produkte > IDW
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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| IDW100E60 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes FAST SWITCH EMCON DIODE 600V 100A | auf Bestellung 369 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW100E60 | Infineon technologies | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDW100E60 | Infineon Technologies | Description: IDW100E60 - SILICON POWER DIODE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW100E60 | INFINEON | MODULE | auf Bestellung 100094 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW100E60 | INF | TO-247 | auf Bestellung 146400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW100E60FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 600V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW100E60FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW100E60FKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 150 A, Einfach, 2 V, 400 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 400A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IDW10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 351 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW100E60FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 600V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW100E60FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 600V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW100E60FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 100A; tube; TO247-3 Type of diode: rectifying Case: TO247-3 Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 100A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: tube | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW100E60FKSA1 Produktcode: 168636
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Lieblingsprodukt
| Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDW100E60FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 600V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW100E60FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 600V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW100E60FKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes Y | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW100E60FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 100A; tube; TO247-3 Type of diode: rectifying Case: TO247-3 Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 100A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IDW100E60FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 600V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW100E60FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 600V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW100E60FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 600V 150A PGTO24731 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 600 V | auf Bestellung 365 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW10G120C5B | Infineon technologies | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDW10G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE | auf Bestellung 455 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW10G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARRAY SIC 1200V TO247-3-41 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 17A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW10G120C5BFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW10G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 34 A, 57 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 57nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW10G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW10G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW10G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 10A PGTO247341 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW10G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW10G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW10G65C5XKSA1 Produktcode: 190599
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Lieblingsprodukt
| Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 3163 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1884 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW10G65C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW10G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2473 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V | auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW10G65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDW10G65C5 THT Schottky diodes | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1884 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW10S120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO247-3 | auf Bestellung 2880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW10S120FKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching SIC DIODES | auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW10S120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW10S120FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDW10S120FKSA1 - IDW10S120 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE euEccn: TBC hazardous: true productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW12G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW12G65C5 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247-3 | auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW12G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW12G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO2473 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V | auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW12G65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDW12G65C5 THT Schottky diodes | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW12G65C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW12G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW12G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | auf Bestellung 444 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW15E65D2 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS Rapid Switching | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW15E65D2 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 650V 30A TO247-3-1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 47 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | auf Bestellung 19680 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW15E65D2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 30A; tube; TO247-3 Type of diode: rectifying Case: TO247-3 Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IDW15E65D2FKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 30A 47ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW15E65D2FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 650V 30A PGTO24731 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 47 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW15E65D2FKSA1 Produktcode: 132796
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Lieblingsprodukt
| Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDW15E65D2FKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 30A 47ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 8640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW15E65D2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 30A; tube; TO247-3 Type of diode: rectifying Case: TO247-3 Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: tube | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW15E65D2FKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 558 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW15G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW15G120C5BFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW15G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 49 A, 82 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 82nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW15G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW15G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW15G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW15G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW15G120C5BFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDW15G120C5BFKSA1 THT Schottky diodes | auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IDW15G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW15G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW15G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 4080 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW15G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR SIC 1200V 24A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 24A (DC) Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 7.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 1200 V | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW15S120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO247-3 | auf Bestellung 6483 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW15S120FKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching SIC DIODES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW15S120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW15S120FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDW15S120FKSA1 - IDW15S120 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE euEccn: TBC hazardous: true productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 6483 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW15S120FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW16G65C5 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247-3 | auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW16G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW16G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW16G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW16G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW16G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW16G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW16G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW16G65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDW16G65C5 THT Schottky diodes | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IDW16G65C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW16G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 16 A, 23 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 23nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW16G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V | auf Bestellung 207 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW16G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | auf Bestellung 374 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW20C65D2XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARRAY GP 650V 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | auf Bestellung 242 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW20C65D2XKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 559 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW20C65D2XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW20C65D2XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 2.2 V, 30 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 60A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.2V Sperrverzögerungszeit: 30ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Rapid2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20G120C5B | Infineon technologies | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDW20G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR SIC 1200V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 31A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 83 µA @ 1200 V | auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW20G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE | auf Bestellung 221 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW20G120C5BFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDW20G120C5BFKSA1 THT Schottky diodes | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20G120C5BFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW20G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 62 A, 106 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 106nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 62A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 179 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20G65C5B | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20G65C5BXKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20G65C5BXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20G65C5BXKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | auf Bestellung 76 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20G65C5BXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW20G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V | auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW20G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | auf Bestellung 321 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW20G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20G65C5BXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDW20G65C5B THT Schottky diodes | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW20G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 20A PGTO247341 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V | auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW20G65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; PG-TO247-3; 112W Power dissipation: 112W Case: PG-TO247-3 Mounting: THT Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.8V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 87A Leakage current: 4.1µA Kind of package: tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20G65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; PG-TO247-3; 112W Power dissipation: 112W Case: PG-TO247-3 Mounting: THT Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.8V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 87A Leakage current: 4.1µA Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 356 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20G65C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW20G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 29nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20S120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20S120FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20S120FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDW20S120FKSA1 - IDW20S120 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE euEccn: TBC hazardous: true productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20S120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 1200 V | auf Bestellung 6720 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW20S120FKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching SIC DIODES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW24G65C5B | Infineon | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDW24G65C5BXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR SIC 650V 12A PGTO2473 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A (DC) Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW24G65C5BXKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW24G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW24G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW24G65C5BXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDW24G65C5B THT Schottky diodes | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW24G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW24G65C5BXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW24G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30C65D1 | Infineon technologies | auf Bestellung 162 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDW30C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE 650V 30A RAPID1 TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30C65D1XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW30C65D1XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.7 V, 71 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 120A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 71ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Rapid1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 437 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW30C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 30A 114ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30C65D2 | Infineon technologies | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDW30C65D2XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARRAY GP 650V 15A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 32 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW30C65D2XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW30C65D2XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 2.2 V, 32 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.2V Sperrverzögerungszeit: 32ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Rapid2 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 478 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30C65D2XKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30E60 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30E60AFKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 60A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30E60AFKSA1 | Infineon Technologies | Fast Switching Emitter Controlled Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30E60AFKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 60A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30E60AFKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30E60FKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 371 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW30E60FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 60A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 600 V | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW30E65D1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 650V 60A TO247-3-1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30E65D1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS Rapid Switching | auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 329 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 468 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30E65D1FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW30E65D1FKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 30 A, Einfach, 1.35 V, 66 ns, 240 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 240A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.35V Sperrverzögerungszeit: 66ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IDW30 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 413 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 96960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 650V 60A TO247-3-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 115 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 60A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30G120C5B | Infineon Technologies | Infineon SIC DISCRETE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30G120C5B Produktcode: 187569
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| IDW30G120C5B | Infineon technologies | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 87A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 87A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30G120C5BFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW30G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 87 A, 154 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 154nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 87A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 333 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 87A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 577 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 87A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 63600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 87A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR SIC 1200V 44A PGTO2473 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 44A (DC) Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 124 µA @ 1200 V | auf Bestellung 1147 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE | auf Bestellung 1382 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 87A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 87A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 87A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 87A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 860pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 860pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 650 V | auf Bestellung 11397 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW30G65C5FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDW30G65C5FKSA1 - IDW30G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 12368 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30G65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDW30G65C5 THT Schottky diodes | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 860pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 650 V | auf Bestellung 1201 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | auf Bestellung 725 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30S120FKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching SIC DIODES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30S120FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30S120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30S120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW32G65C5BXKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW32G65C5BXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW32G65C5BXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDW32G65C5BXKSA1 - IDW32G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE euEccn: TBC hazardous: true productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW32G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | auf Bestellung 232 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW32G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | 650V SiC Schottky Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW32G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW32G65C5BXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDW32G65C5B THT Schottky diodes | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40E65D1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 650V 80A TO247-3-1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40E65D1 | Infineon technologies | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDW40E65D1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS Rapid Switching | auf Bestellung 242 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW40E65D1FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW40E65D1FKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 40 A, Einfach, 1.35 V, 77 ns, 320 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 320A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.35V Sperrverzögerungszeit: 77ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: IDW40 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW40E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 650V 80A TO247-3-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 129 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 80A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW40E65D1FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDW40E65D1FKSA1 THT universal diodes | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40E65D2 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS Rapid Switching | auf Bestellung 2276 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW40E65D2 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 650V 80A TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40E65D2FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 650V 80A TO247-3-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 80A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | auf Bestellung 2289 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW40E65D2FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40E65D2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDW40E65D2FKSA1 THT universal diodes | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40E65D2FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW40E65D2FKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 40 A, Einfach, 1.6 V, 36 ns, 250 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 250A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.6V Sperrverzögerungszeit: 36ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IDW40 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G120C5B | Infineon Technologies | Infineon SIC DISCRETE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 122 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW40G120C5BFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW40G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 110 A, 202 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 202nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 110A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE | auf Bestellung 391 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 917 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A PGTO2473 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC) Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 166 µA @ 1200 V | auf Bestellung 251 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW40G120C5BFKSA1 Produktcode: 119036
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| Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 122 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G120C5B | auf Bestellung 13200 Stücke: Lieferzeit 18-25 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IDW40G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G65C5B | Infineon Technologies | Description: IDW40G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIOD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G65C5BXKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G65C5BXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 40A TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | 650V SiC Schottky Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G65C5BXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; PG-TO247-3; 112W Power dissipation: 112W Case: PG-TO247-3 Mounting: THT Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.8V Load current: 20A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 87A Leakage current: 4.1µA Kind of package: tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | 650V SiC Schottky Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V | auf Bestellung 344 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW40G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 129-133 Tag (e) |
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| IDW40G65C5BXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; PG-TO247-3; 112W Power dissipation: 112W Case: PG-TO247-3 Mounting: THT Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.8V Load current: 20A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 87A Leakage current: 4.1µA Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | 650V SiC Schottky Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G65C5BXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW40G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 29nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 40A TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; PG-TO247-3; 112W Case: PG-TO247-3 Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.8V Load current: 40A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 153A Leakage current: 8.2µA Power dissipation: 112W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW40G65C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW40G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 40 A, 55 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 55nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 40A PGTO2473 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 650 V | auf Bestellung 306 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW40G65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; PG-TO247-3; 112W Case: PG-TO247-3 Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.8V Load current: 40A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 153A Leakage current: 8.2µA Power dissipation: 112W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW50E60 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW50E60FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 115 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 80A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 600 V | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW50E60FKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 164-168 Tag (e) |
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| IDW60C65D1 | Infineon Technologies | Infineon INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW60C65D1 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW60C65D1XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW60C65D1XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 60 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.7 V, 66 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 240A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 66ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Rapid1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 9678 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW60C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 682 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW60C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 60A 115ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW60C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARRAY GP 650V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 66 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | auf Bestellung 525 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW60C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 60A 115ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW60C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 60A 115ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW75D65D1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW75D65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 650V 150A PGTO2473 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 108 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 75 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | auf Bestellung 1250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW75D65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 150A 127ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW75D65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 568 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW75D65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 150A 127ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW75D65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 150A 127ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW75D65D1XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW75D65D1XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 150 A, Einfach, 1.7 V, 108 ns, 580 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 580A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 108ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Rapid1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 456 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW75D65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 150A 127ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW75D65D1XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDW75D65D1XKSA1 THT universal diodes | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW75D65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 150A 127ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW75E60 | INFINEON | MODULE | auf Bestellung 100092 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW75E60 | INF | TO-247 | auf Bestellung 51420 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW75E60 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes FAST SWITCH EMCON DIODE 600V 75A | auf Bestellung 285 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW75E60FKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 600V 120A 121ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW75E60FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW75E60FKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 120 A, Einfach, 2 V, 220 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 220A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IDW75 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW75E60FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 600V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW75E60FKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes Y | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW75E60FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 120A TO247-3-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 121 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 120A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 75 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 600 V | auf Bestellung 454 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW75E60FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDW75E60FKSA1 THT universal diodes | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW75E60FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 600V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW80C65D1 | Infineon technologies | auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDW80C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 388 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW80C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 80A 129ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW80C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARRAY GP 650V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 77 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW80C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 80A 129ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW80C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 80A 129ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW80C65D1XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW80C65D1XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 80 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.7 V, 77 ns, 320 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 320A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 77ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Rapid1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW80C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARRAY GP 650V 40A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 77 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | auf Bestellung 286 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW80C65D2XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 80A 36ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW80C65D2XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW80C65D2XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 80 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 2.2 V, 36 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 250A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.2V Sperrverzögerungszeit: 36ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Rapid2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW80C65D2XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARRAY GP 650V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 36 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW80C65D2XKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes INDUSTRY 14 | auf Bestellung 404 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW80C65D2XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 80A 36ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD100E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: INDUSTRY 14 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD100E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD100E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: INDUSTRY 14 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 98 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD100E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD100E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 34A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 34A Supplier Device Package: PG-TO247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 34A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE | auf Bestellung 304 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD10G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDWD10G120C5XKSA1 THT Schottky diodes | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD10G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD10G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 34 A, 57 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 57nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD10G200C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE | auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD10G200C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 2000V 35A PGTO2472U01 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 35A Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 2 kV | auf Bestellung 194 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD120E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 1200V 177A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 215 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 177A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 120 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V | auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD120E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes Y | auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD120E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD120E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers Y | auf Bestellung 232 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD120E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 650V 150A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 98 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 120 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD140E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 1200V 207A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 225 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 207A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 140 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V | auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD140E120D7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD140E120D7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 207 A, Einfach, 3 V, 225 ns, 462 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 462A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 3V Sperrverzögerungszeit: 225ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 207A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD140E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes INDUSTRY 14 | auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD150E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 650V 200A PGTO24722 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 97 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | auf Bestellung 299 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD150E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers Y | auf Bestellung 343 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD150E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE | auf Bestellung 875 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDWD15G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD15G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 49 A, 82 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 82nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 212 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDWD15G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDWD15G120C5XKSA1 THT Schottky diodes | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 49A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1050pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 49A Supplier Device Package: PG-TO247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 124 µA @ 1200 V | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 212 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 43440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDWD20E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: HOME APPLIANCES 14 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 74 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 42A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD20E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD20E65E7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD20E65E7XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 42 A, Einfach, 2.1 V, 74 ns, 108 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 108A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.1V Sperrverzögerungszeit: 74ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 42A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD20E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | HOME APPLIANCES 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 62A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDWD20G120C5XKSA1 | Infineon | SIC SCHOTTKY 1200V 20A TO247-2 PGTO247-2 | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDWD20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE | auf Bestellung 305 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 62A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDWD20G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD20G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 62 A, 106 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 106nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 62A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 62A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 62A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 62A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDWD20G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDWD20G120C5XKSA1 THT Schottky diodes | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 62A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDWD20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 1.2KV 62A PGTO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1368pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 62A Supplier Device Package: PG-TO247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 166 µA @ 1200 V | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD25G200C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 2000V 77A PGTO2472U01 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 2850pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 77A Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 375 µA @ 2 kV | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD25G200C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD30E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 1200V 52A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 135 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 52A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD30E120D7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD30E120D7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 52 A, Einfach, 3 V, 135 ns, 144 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 144A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 3V Sperrverzögerungszeit: 135ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 52A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 244 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD30E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | HOME APPLIANCES 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD30E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD30E65E7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD30E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 50 A, Einfach, 2.1 V, 82 ns, 126 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 126A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.1V Sperrverzögerungszeit: 82ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD30E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 650V 50A PGTO24722 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 82 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 50A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD30G120C5 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD30G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD30G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 87 A, 154 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 154nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 87A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 749 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDWD30G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; 332W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward impulse current: 0.24kA Power dissipation: 332W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD30G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; 332W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward impulse current: 0.24kA Power dissipation: 332W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 1.2KV 87A PGTO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1980pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 87A Supplier Device Package: PG-TO247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 248 µA @ 1200 V | auf Bestellung 652 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE | auf Bestellung 1569 Stücke: Lieferzeit 150-154 Tag (e) |
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| IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 12108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDWD30G120C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD40E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes INDUSTRY 14 | auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD40E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | IDWD40E120D7XKSA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD40E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 1200V 67A PGTO24722 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 155 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 67A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD40E120D7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD40E120D7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 67 A, Einfach, 3 V, 155 ns, 185 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 185A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 3V Sperrverzögerungszeit: 155ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 67A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD40E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 650V 50A PGTO24722 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 89 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 50A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | auf Bestellung 166 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD40E65E7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD40E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 50 A, Einfach, 2.1 V, 89 ns, 149 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 149A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.1V Sperrverzögerungszeit: 89ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD40E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD40E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | HOME APPLIANCES 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD40G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE | auf Bestellung 246 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD40G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 222 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD40G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 1.2KV 110A PGTO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 2592pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 110A Supplier Device Package: PG-TO247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 332 µA @ 1200 V | auf Bestellung 262 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD40G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; 402W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 40A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward impulse current: 290A Power dissipation: 402W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD40G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD40G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 110 A, 202 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 202nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 110A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD40G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; 402W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 40A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward impulse current: 290A Power dissipation: 402W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD40G120C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD40G200C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 2000V 114A PGTO2472U01 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 4550pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 114A Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 2 kV | auf Bestellung 278 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD40G200C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE | auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD40G200C5XKSA1 | Infineon Technologies | IDWD40G200C5XKSA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD50E120D7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD50E120D7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 81 A, Einfach, 3 V, 160 ns, 218 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 218A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 3V Sperrverzögerungszeit: 160ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 81A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 232 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD50E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes INDUSTRY 14 | auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD50E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers Y | auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD50E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 650V 92A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 94 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 92A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD50E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD50G200C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 2000V 140A PGTO2472U01 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 5700pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 140A Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 750 µA @ 2 kV | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD50G200C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD60E65E7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD60E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 100 A, Einfach, 2.1 V, 99 ns, 240 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 240A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.1V Sperrverzögerungszeit: 99ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 222 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD60E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD60E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers Y | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD60E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 650V 100A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 99 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 100A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | auf Bestellung 189 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD75E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 1200V 116A PGTO24722 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 195 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 116A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 75 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V | auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD75E65E7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD75E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 100 A, Einfach, 2.1 V, 97 ns, 300 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 300A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.1V Sperrverzögerungszeit: 97ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD75E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 100A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDWD75E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: INDUSTRY 14 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD80G200C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 2000V 214A PGTO2472U01 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 9100pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 214A Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 80 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 2 kV | auf Bestellung 123 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD80G200C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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