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NXV04V120DB1ON SemiconductorPower MOSFET Module Automotive AEC-Q100 19-Pin APM-CBC Tube
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+25.35 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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NXV04V120DB1ON SemiconductorPower MOSFET Module Automotive AEC-Q100 19-Pin APM-CBC Tube
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NXV04V120DB1ONSEMIDescription: ONSEMI - NXV04V120DB1 - MOSFET-Transistor, AEC-Q101, Sechsfach n-Kanal, 160 A, 40 V, 850 µohm, 10 V, 4 V
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 160
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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NXV04V120DB1ON SemiconductorPower MOSFET Module Automotive 19-Pin APM-CBC Tube
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NXV04V120DB1onsemiDescription: 3-PHASE INVERTER AUTOMOTI
Packaging: Tube
Package / Case: 19-PowerDIP Module (1.480", 37.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Grade: Automotive
Current: 160 A
Voltage: 40 V
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.24 EUR
44+29.46 EUR
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NXV04V120DB1ON Semiconductor
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NXV04V120DB1onsemiMOSFET Modules APM19 3-Phase
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.05 EUR
11+38.26 EUR
22+28.72 EUR
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NXV08A170DB1ON SemiconductorNXV08A170DB1
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NXV08A170DB1onsemiDescription: MV7 80V APM12
Packaging: Tray
Part Status: Active
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NXV08A170DB1onsemiDiscrete Semiconductor Modules APM12-CBA, MV7 80V, AL2O3, HALF BRIDGE
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.85 EUR
10+19.62 EUR
100+19.47 EUR
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NXV08A170DB1ON SemiconductorMV7 80V APM12
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NXV08A170DB2onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA
Packaging: Tray
Package / Case: 12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: APM12-CBA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.44 EUR
10+23.95 EUR
25+21.44 EUR
80+18.99 EUR
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NXV08A170DB2onsemiDiscrete Semiconductor Modules APM12-CBA, MV7 80V, AL2O3, HALF BRIDGE
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NXV08A170DB2ONSEMICategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 80V; 200A; APM12-CBA; THT; Ugs: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Case: APM12-CBA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Kind of package: in-tray
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: THT
Topology: MOSFET half-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
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NXV08A170DB2ON SemiconductorSingle Phase Inverter Automotive Power MOSFET Module
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NXV08B800DT1onsemiMOSFET Modules APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, DUAL BTB
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NXV08H250DPT2onsemiMOSFET Modules APM17-MFA MV7 80V AL2O3 2 PHASE
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NXV08H250DPT2onsemiDescription: APM17-MFA, MV7 80V, AL2O3, 2 PHA
Packaging: Tube
Package / Case: 17-PowerDIP Module (2.020", 51.30mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24350pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 160A, 14V, 0.71mOhm @ 160A, 14V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: APM17-MFA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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NXV08H250DT1onsemiDescription: APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, 2 PHA
Packaging: Tube
Package / Case: 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24350pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.039mOhm @ 160A, 12V, 762µOhm @ 160A, 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: APM17-MDC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+98.22 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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NXV08H250DT1ON SemiconductorDual Half Bridge Automotive AEC-Q101 Power MOSFET MODULE
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NXV08H250DT1onsemiDiscrete Semiconductor Modules APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, 2 PHASE
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NXV08H300DT1ON SemiconductorDual Half Bridge Automotive Power MOSFET MODULE
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NXV08H300DT1onsemiMOSFET Modules Dual Half Bridge Automotive Power MOSFET Module, APM17
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+111.2 EUR
10+104.93 EUR
40+97.86 EUR
120+95.92 EUR
280+94.37 EUR
520+93.53 EUR
1000+93.51 EUR
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NXV08H300DT1onsemiDescription: APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, 2 PHA
Packaging: Tube
Package / Case: 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30150pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.765mOhm @ 160A, 12V, 0.580mOhm @ 160A, 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 502nC @ 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: APM17-MDC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+103.15 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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NXV08H300DT1ONSEMICategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 80V; APM17-MDC; THT; Ugs: ±20V; tube
Case: APM17-MDC
Kind of package: tube
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: MOSFET half-bridge
Drain-source voltage: 80V
Gate-source voltage: ±20V
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
On-state resistance: 1.32mΩ
Electrical mounting: THT
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NXV08H350XT1onsemiMOSFET Modules Dual Half Bridge Automotive Power MOSFET Module, AMP17
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+127.55 EUR
10+99.11 EUR
100+97.49 EUR
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NXV08H350XT1onsemiDescription: MOSFET 80V APM17-MDC
Packaging: Bulk
Package / Case: 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24350pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.762mOhm @ 160A, 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: APM17-MDC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+127.67 EUR
10+106.41 EUR
40+98.87 EUR
120+94.66 EUR
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NXV08H350XT1ON SemiconductorDual Half Bridge Automotive Power MOSFET MODULE
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NXV08H400XT1ON SemiconductorDual Half Bridge Automotive Power MOSFET MODULE
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NXV08H400XT2ON SemiconductorDual Half Bridge Automotive Power MOSFET MODULE
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NXV08V080DB1ON Semiconductor
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NXV08V080DB1ON SemiconductorThree Phase Inverter Automotive Power MOSFET Module
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NXV08V080DB1onsemiInverters 3-PHASE INVERTER
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.7 EUR
11+50.46 EUR
22+48.19 EUR
110+43.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV08V080DB1onsemiDescription: 3-PHASE INVERTER AUTOMOTI
Packaging: Tube
Package / Case: 19-PowerDIP Module (1.470", 37.34mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Supplier Device Package: APM-19-CBC
Part Status: Active
Grade: Automotive
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.62 EUR
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NXV08V110DB1ON Semiconductor
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV08V110DB1ON SemiconductorPower MOSFET Module Automotive Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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NXV08V110DB1onsemiMOSFET Modules 3-PHASE INVERTER
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.13 EUR
11+40.11 EUR
253+37.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV08V110DB1ON SemiconductorPower MOSFET Module 19-Pin APM Tube Automotive AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV08V110DB1onsemiDescription: MOSFET IPM 80V 19-PWRDIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 19-PowerDIP Module (1.470", 37.34mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Voltage: 80 V
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.91 EUR
10+42.96 EUR
44+39.23 EUR
132+37.32 EUR
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NXV100XPRNexperia USA Inc.Description: NXV100XP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV100XPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV100XPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.104 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV100XPRNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV100XPRNEXPERIATrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV100XPRNexperia USA Inc.Description: NXV100XP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 15 V
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.84 EUR
34+0.52 EUR
50+0.38 EUR
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV100XPRNexperiaMOSFETs SOT23 P-CH 30V 1.5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV100XPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV100XPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.104 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 480mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV100XPRNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV10V125DT1onsemiDescription: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: 21-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 6 N-Channel (Three Phase Inverter)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: APM21-CGA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.63 EUR
10+36.06 EUR
44+32.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV10V125DT1onsemiMOSFET Modules 3-PHASE AUTOMOTIVE POWER MOSFET MODULE APM21
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.39 EUR
10+37.93 EUR
88+33.18 EUR
528+33.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV10V160ST1onsemiDescription: MOSFET 6N-CH 100V APM21-CGA
Packaging: Tube
Package / Case: 21-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 6 N-Channel
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: APM21-CGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV10V160ST1onsemiMOSFET Modules 3-PHASE AUTOMOTIVE POWER MOSFET MODULE APM21
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+79.83 EUR
11+71.14 EUR
22+66.95 EUR
110+57.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV40UNRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV40UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV40UNRNexperia USA Inc.Description: NXV40UN/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 10 V
auf Bestellung 38290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.56 EUR
52+0.34 EUR
100+0.21 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV40UNRNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV40UNRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV40UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV40UNRNexperia USA Inc.Description: NXV40UN/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 10 V
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
15000+0.094 EUR
21000+0.09 EUR
30000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV40UNRNexperiaMOSFET NXV40UN/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 13216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+0.49 EUR
100+0.2 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
9000+0.1 EUR
24000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV55UNRNexperiaMOSFET NXV55UN/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 61304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.73 EUR
10+0.54 EUR
100+0.31 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.16 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV55UNRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV55UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV55UNRNexperia USA Inc.Description: NXV55UN/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 1.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 352 pF @ 15 V
auf Bestellung 22190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.55 EUR
53+0.33 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV55UNRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV55UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.066 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV55UNRNexperia USA Inc.Description: NXV55UN/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 1.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 352 pF @ 15 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
9000+0.097 EUR
15000+0.091 EUR
21000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV55UNRNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65HR82DS1ON SemiconductorH Bridge Power Module For On Board Charger
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65HR82DS1onsemiMOSFETs APM16-CAA SF3 650V 82MOHM CAP AL2O3 Y-FORMING H-BRIDGE
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.66 EUR
12+39.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65HR82DS1ONSEMIDescription: ONSEMI - NXV65HR82DS1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65HR82DS1onsemiDescription: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Part Status: Active
Current: 26 A
Voltage: 650 V
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.43 EUR
10+57.57 EUR
25+54.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65HR82DS2ON SemiconductorH Bridge Power Module For On Board Charger
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65HR82DS2onsemiMOSFETs APM16-CAB SF3 650V 82MOHM CAP AL2O3 L-FORMING H-BRIDGE
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.59 EUR
12+38.44 EUR
108+37.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65HR82DS2ONSEMIDescription: ONSEMI - NXV65HR82DS2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65HR82DS2onsemiDescription: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Grade: Automotive
Current: 26 A
Voltage: 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+55.9 EUR
10+51.56 EUR
72+49.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65HR82DZ1ONSEMIDescription: ONSEMI - NXV65HR82DZ1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65HR82DZ1onsemiDescription: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Part Status: Active
Current: 26 A
Voltage: 650 V
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+64.77 EUR
10+59.73 EUR
25+57.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65HR82DZ1ON SemiconductorH Bridge Power Module For On Board Charger
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65HR82DZ1onsemiMOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65HR82DZ2ON SemiconductorH Bridge Power Module For On Board Charger
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65HR82DZ2onsemiMOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65HR82DZ2ONSEMIDescription: ONSEMI - NXV65HR82DZ2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65HR82DZ2onsemiDescription: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Part Status: Active
Current: 26 A
Voltage: 650 V
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+57.62 EUR
10+53.14 EUR
25+50.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65UPRNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65UPRNexperiaMOSFETs NXV65UP/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 9819 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.49 EUR
10+0.34 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.083 EUR
9000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65UPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV65UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65UPRNexperia USA Inc.Description: NXV65UP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 10 V
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.086 EUR
6000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65UPRNEXPERIANXV65UPR SMD P channel transistors
auf Bestellung 2672 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
404+0.18 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65UPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV65UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65UPRNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV65UPRNexperia USA Inc.Description: NXV65UP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 10 V
auf Bestellung 45805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.4 EUR
72+0.25 EUR
114+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV75UPRNexperia USA Inc.Description: NXV75UP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
auf Bestellung 31909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.53 EUR
54+0.33 EUR
75+0.23 EUR
100+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV75UPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV75UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV75UPRNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 13108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV75UPRNexperia USA Inc.Description: NXV75UP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV75UPRNexperiaMOSFETs SOT23 P-CH 20V 1.8A
auf Bestellung 29902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.42 EUR
11+0.27 EUR
100+0.14 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV75UPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV75UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV90EPRNEXPERIATrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV90EPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV90EPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV90EPRNXPNXV90EP/SOT23/TO-236AB NXV90EPR TNXV90EPR
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV90EPRNexperia USA Inc.Description: NXV90EP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252 pF @ 15 V
auf Bestellung 44951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.7 EUR
36+0.49 EUR
100+0.25 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV90EPRNexperiaMOSFET NXV90EP/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 4351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.81 EUR
10+0.62 EUR
100+0.38 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV90EPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV90EPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXV90EPRNexperia USA Inc.Description: NXV90EP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252 pF @ 15 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXVB1202M3TT81ON SemiconductorAPM32 1200V M3e Battery Switch module
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXVF6532M3TG01onsemiSiC MOSFETs SiC Power MOSFET Module 650V, 32mohm H-Bridge
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.79 EUR
10+30.92 EUR
100+27.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH