Produkte > NXV
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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| NXV04V120DB1 | ON Semiconductor | auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NXV04V120DB1 | ON Semiconductor | Power MOSFET Module Automotive AEC-Q100 19-Pin APM-CBC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV04V120DB1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NXV04V120DB1 - MOSFET-Transistor, AEC-Q101, Sechsfach n-Kanal, 160 A, 40 V, 850 µohm, 10 V, 4 V Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 160 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: - Produktpalette: - Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 850 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV04V120DB1 | ON Semiconductor | Power MOSFET Module Automotive 19-Pin APM-CBC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV04V120DB1 | onsemi | Description: 3-PHASE INVERTER AUTOMOTI Packaging: Tube Package / Case: 19-PowerDIP Module (1.480", 37.60mm) Mounting Type: Through Hole Type: MOSFET Configuration: 3 Phase Inverter Voltage - Isolation: 2500Vrms Grade: Automotive Current: 160 A Voltage: 40 V | auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV04V120DB1 | onsemi | MOSFET Modules APM19 3-Phase | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV04V120DB1 | ON Semiconductor | Power MOSFET Module Automotive AEC-Q100 19-Pin APM-CBC Tube | auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NXV08A170DB1 | ON Semiconductor | NXV08A170DB1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV08A170DB1 | onsemi | Description: MV7 80V APM12 Packaging: Tray Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV08A170DB1 | onsemi | Discrete Semiconductor Modules APM12-CBA, MV7 80V, AL2O3, HALF BRIDGE | auf Bestellung 284 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV08A170DB1 | ON Semiconductor | MV7 80V APM12 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV08A170DB2 | onsemi | Discrete Semiconductor Modules APM12-CBA, MV7 80V, AL2O3, HALF BRIDGE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV08A170DB2 | ON Semiconductor | Single Phase Inverter Automotive Power MOSFET Module | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV08A170DB2 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA Packaging: Tray Package / Case: 12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm) Mounting Type: Through Hole Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: APM12-CBA Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV08B800DT1 | onsemi | MOSFET Modules APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, DUAL BTB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV08H250DPT2 | onsemi | Discrete Semiconductor Modules Automotive 80V Dual Half Bridge Mosfet Module with pressfit signal pins, APM17 APM17M 80V AL2O3 MFA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV08H250DPT2 | onsemi | Description: APM17-MFA, MV7 80V, AL2O3, 2 PHA Packaging: Tube Package / Case: 17-PowerDIP Module (2.020", 51.30mm) Mounting Type: Through Hole Configuration: 4 N-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24350pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 160A, 14V, 0.71mOhm @ 160A, 14V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA Supplier Device Package: APM17-MFA Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV08H250DT1 | ON Semiconductor | Dual Half Bridge Automotive AEC-Q101 Power MOSFET MODULE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV08H250DT1 | onsemi | Discrete Semiconductor Modules APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, 2 PHASE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV08H250DT1 | onsemi | Description: APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, 2 PHA Packaging: Tube Package / Case: 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm) Mounting Type: Through Hole Configuration: 4 N-Channel Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24350pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.039mOhm @ 160A, 12V, 762µOhm @ 160A, 12V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA Supplier Device Package: APM17-MDC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV08H300DT1 | onsemi | MOSFET Modules Dual Half Bridge Automotive Power MOSFET Module, APM17 | auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV08H300DT1 | onsemi | Description: APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, 2 PHA Packaging: Tube Package / Case: 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm) Mounting Type: Through Hole Configuration: 4 N-Channel Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30150pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.765mOhm @ 160A, 12V, 0.580mOhm @ 160A, 12V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 502nC @ 12V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA Supplier Device Package: APM17-MDC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV08H300DT1 | ON Semiconductor | Dual Half Bridge Automotive Power MOSFET MODULE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV08H350XT1 | onsemi | MOSFET Modules APM17-MDC, MV7 80V, ALN, 2 PHASE | auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV08H350XT1 | ON Semiconductor | Dual Half Bridge Automotive Power MOSFET MODULE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV08H400XT1 | ON Semiconductor | Dual Half Bridge Automotive Power MOSFET MODULE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV08H400XT2 | ON Semiconductor | Dual Half Bridge Automotive Power MOSFET MODULE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV08V080DB1 | onsemi | Description: 3-PHASE INVERTER AUTOMOTI Packaging: Tube Package / Case: 19-PowerDIP Module (1.470", 37.34mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Supplier Device Package: APM-19-CBC Grade: Automotive Part Status: Active | auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV08V080DB1 | ON Semiconductor | Three Phase Inverter Automotive Power MOSFET Module | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV08V080DB1 | onsemi | Inverters 3-PHASE INVERTER | auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV08V080DB1 | ON Semiconductor | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NXV08V110DB1 | ON Semiconductor | Power MOSFET Module 19-Pin APM Tube Automotive AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV08V110DB1 | onsemi | MOSFET Modules 3-PHASE INVERTER | auf Bestellung 127 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV08V110DB1 | ON Semiconductor | auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NXV08V110DB1 | onsemi | Description: IC INVERTER 3-PHASE MOD198 Packaging: Tube Package / Case: 19-PowerDIP Module (1.470", 37.34mm) Mounting Type: Through Hole Type: MOSFET Configuration: 3 Phase Inverter Voltage - Isolation: 2500Vrms Voltage: 80 V | auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV08V110DB1 | ON Semiconductor | Power MOSFET Module Automotive Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV100XPR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NXV100XPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.104 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV100XPR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV100XPR | Nexperia USA Inc. | Description: NXV100XP/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 15 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV100XPR | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV100XPR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NXV100XPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.104 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 480mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV100XPR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NXV100XPR | Nexperia | MOSFETs NXV100XP/SOT23/TO-236AB | auf Bestellung 7750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV100XPR | Nexperia USA Inc. | Description: NXV100XP/SOT23/TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 15 V | auf Bestellung 11024 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV10V160ST1 | onsemi | MOSFET Modules 100V 3 Phase Automotive Power MOSFET Module, APM21 | auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV40UNR | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV40UNR | Nexperia USA Inc. | Description: NXV40UN/SOT23/TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 10 V | auf Bestellung 38443 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV40UNR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NXV40UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2020 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV40UNR | Nexperia USA Inc. | Description: NXV40UN/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 10 V | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV40UNR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NXV40UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 340mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2020 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV40UNR | Nexperia | MOSFET NXV40UN/SOT23/TO-236AB | auf Bestellung 13216 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV55UNR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NXV55UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 340mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3247 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV55UNR | Nexperia USA Inc. | Description: NXV55UN/SOT23/TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 1.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 352 pF @ 15 V | auf Bestellung 16462 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV55UNR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NXV55UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3247 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV55UNR | Nexperia | MOSFET NXV55UN/SOT23/TO-236AB | auf Bestellung 61304 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV55UNR | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 5866 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV55UNR | Nexperia USA Inc. | Description: NXV55UN/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 1.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 352 pF @ 15 V | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV65HR82DS1 | onsemi | MOSFET APM16-CAA SF3 650V 82MOHM CAP AL2O3 Y-FORMING H-BRIDGE | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV65HR82DS1 | ON Semiconductor | H Bridge Power Module For On Board Charger | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV65HR82DS1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NXV65HR82DS1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 126W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 126W Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV65HR82DS1 | onsemi | Description: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG Packaging: Tube Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Type: MOSFET Configuration: H-Bridge Voltage - Isolation: 5000Vrms Part Status: Active Current: 26 A Voltage: 650 V | auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV65HR82DS2 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NXV65HR82DS2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 126W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 126W Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV65HR82DS2 | onsemi | Description: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG Packaging: Tube Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Type: MOSFET Configuration: H-Bridge Voltage - Isolation: 5000Vrms Grade: Automotive Current: 26 A Voltage: 650 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV65HR82DS2 | onsemi | MOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phase-shifted DC-DC Converter APM16-CAB L-Shape | auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV65HR82DS2 | ON Semiconductor | H Bridge Power Module For On Board Charger | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV65HR82DZ1 | onsemi | Description: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG Packaging: Tube Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Type: MOSFET Configuration: H-Bridge Voltage - Isolation: 5000Vrms Part Status: Active Current: 26 A Voltage: 650 V | auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV65HR82DZ1 | onsemi | MOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phase-shifted DC-DC Converter APM16-CAA, Y-Shape | auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV65HR82DZ1 | ON Semiconductor | H Bridge Power Module For On Board Charger | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV65HR82DZ1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NXV65HR82DZ1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 126W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 126W Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV65HR82DZ2 | ON Semiconductor | H Bridge Power Module For On Board Charger | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV65HR82DZ2 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NXV65HR82DZ2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 126W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 126W Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV65HR82DZ2 | onsemi | Description: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG Packaging: Tube Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Type: MOSFET Configuration: H-Bridge Voltage - Isolation: 5000Vrms Part Status: Active Current: 26 A Voltage: 650 V | auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV65HR82DZ2 | onsemi | MOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phase-shifted DC-DC Converter APM16-CAB, L-Shape | auf Bestellung 144 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV65UPR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NXV65UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV65UPR | Nexperia USA Inc. | Description: NXV65UP/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 10 V | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV65UPR | Nexperia | MOSFETs NXV65UP/SOT23/TO-236AB | auf Bestellung 9819 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV65UPR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NXV65UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 340mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV65UPR | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV65UPR | NEXPERIA | NXV65UPR SMD P channel transistors | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NXV65UPR | Nexperia USA Inc. | Description: NXV65UP/SOT23/TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 10 V | auf Bestellung 45805 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV65UPR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV75UPR | Nexperia USA Inc. | Description: NXV75UP/SOT23/TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V | auf Bestellung 8641 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV75UPR | Nexperia | MOSFET NXV75UP/SOT23/TO-236AB | auf Bestellung 6384 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV75UPR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NXV75UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 685 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV75UPR | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 20V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 13108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV75UPR | Nexperia USA Inc. | Description: NXV75UP/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV75UPR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NXV75UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 340mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 685 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV90EPR | NXP | NXV90EP/SOT23/TO-236AB NXV90EPR TNXV90EPR Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NXV90EPR | Nexperia USA Inc. | Description: NXV90EP/SOT23/TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252 pF @ 15 V | auf Bestellung 44951 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV90EPR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NXV90EPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 532 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV90EPR | NEXPERIA | NXV90EPR SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV90EPR | Nexperia USA Inc. | Description: NXV90EP/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252 pF @ 15 V | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV90EPR | Nexperia | MOSFET NXV90EP/SOT23/TO-236AB | auf Bestellung 4351 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV90EPR | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXV90EPR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NXV90EPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 340mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 532 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NXVB1202M3TT81 | ON Semiconductor | APM32 1200V M3e Battery Switch module | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |