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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RSR-05DCSAltech CorporationPower Relay 5VDC 6A SPDT(28x5x15)mm THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR-05DCSAltech CorporationSUBMIN RELAY SPDP 5MM IP67 6A250 Реле електромеханічні та геркони
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR-05DCSAltech CorporationDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 6A 5V
Packaging: Bulk
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 5VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Approval Agency: CE, cURus
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 34 mA
Coil Type: Non Latching
Contact Material: Silver Nickel (AgNi)
Contact Form: SPDT (1 Form C)
Contact Rating (Current): 6 A
Switching Voltage: 250VAC, 30VDC - Max
Must Release Voltage: 0.25 VDC
Must Operate Voltage: 3.75 VDC
Operate Time: 8 ms
Release Time: 4 ms
Part Status: Active
Load - Max Switching: 1500VA, 180W
auf Bestellung 10489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR-05DCSAltech CorporationIndustrial Relays Submin. Relay, SPDP 5mm, IP67 5VDC Coil Реле електромеханічні та геркони
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR-05DCSAltechGeneral Purpose Relays Submin. Relay, SPDP 5mm, IP67 5VDC Coil
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11 EUR
500+9.59 EUR
1000+9.32 EUR
2500+9.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR-06DCSAltech CorporationDescription: SUBMIN RELAY SPDP 5MM IP67 6A250
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR-06DCSAltechRelay Sockets & Hardware Submin. Relay, SPDP 5mm, IP67 6VDC Coil
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.79 EUR
10+13.03 EUR
25+12.26 EUR
100+11.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR-1006-ERemke IndustriesDescription: Cord Grip, 1/2in., 0.312in.-0.37
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+118.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR-1006-E-RMKEGalco Industrial ElectronicsDescription: Cord Grip, 1/2in., 0.312in.-0.37
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR-12DCSAltechRelay Sockets & Hardware Submin. Relay, SPDP 5mm IP67 12VDC Coil
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR-12DCSAltech CorporationDescription: SUBMIN RELAY SPDP 5MM IP67 6A250
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR-12DCSAltech CorporationPower Relay 12VDC 6A SPDT(28x5x15)mm THT
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR-24DCSAltechRelay Sockets & Fixings Submin. Relay, SPDP 5mm IP67 24VDC Coil
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.02 EUR
10+14.99 EUR
25+13.34 EUR
50+12.67 EUR
100+12.02 EUR
250+11.13 EUR
500+10.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR-24DCSAltech CorporationDescription: SUBMIN RELAY SPDP 5MM IP67 6A250
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR-300.000-75-KRaltronRSR-300.000-75-K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR-372.000-75-5050-TRRaltronHigh Performance SAW RESONATOR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR-433.920-150-DRALTRONSAW Resonator, 433.92MHz, THT, 4 leads, 2.5mm pitch, c75kHz RALTRON P/N: RSR-433.920-150-D SCQ433.920F-11 RALTRON QSAW 433.920 R
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR-433.920-150-KRALTRON433.92MHz TO39 RALTRON P/N: RSR-433.920-150-K SCQ433.92-TO39 RALTRON QSAW 433.920to R
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR-433.920-3030-TRRALTRON433.92MHz 3.0*3.0 ISM BAND SAW Rezonator 433.92MHz QSAW 433.920 3.0x3.0
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR-48DCSAltechRelay Sockets & Hardware Submin. Relay, SPDP 5mm IP67 48VDC Coil
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR-48DCSAltech CorporationDescription: SUBMIN RELAY SPDP 5MM IP67 6A250
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR-520-ERemke IndustriesDescription: Cord Grip, 1-1/2in., 1.125in.-1.
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+231.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR-520-E-RMKEGalco Industrial ElectronicsDescription: Cord Grip, 1-1/2in., 1.125in.-1.
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR-60DCSAltech CorporationDescription: SUBMIN RELAY SPDP 5MM IP67 6A250
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR-60DCSAltechGeneral Purpose Relays Submin. Relay, SPDP 5mm IP67 60VDC Coil
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.59 EUR
10+17.17 EUR
100+16.73 EUR
250+16.17 EUR
500+15.84 EUR
1000+15.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR-622Remke IndustriesDescription: Cord Grip, 2in., 1.250-1.375in.
Part Status: Active
Packaging: Retail Package
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+94.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR-622-RMKERemke IndustriesDescription: Cord Grip, 2in., 1.250-1.375in.
Part Status: Active
Packaging: Retail Package
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+94.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR-623-ERemke IndustriesDescription: Cord Grip, 2in., 1.312in.-1.437i
Part Status: Active
Packaging: Retail Package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR-9520-RMKERemke IndustriesDescription: Cord Grip, 1-1/2in., 1.125in.-1.
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR010N10ROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR010N10FHATLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 100V Vds 1A 0.41Rds(on) 3.5Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR010N10FHATLROHMDescription: ROHM - RSR010N10FHATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.37 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR010N10FHATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1A; Idm: 4A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR010N10FHATLROHMDescription: ROHM - RSR010N10FHATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.37 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR010N10HZGTLROHMDescription: ROHM - RSR010N10HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.37 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR010N10HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.56 EUR
9000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR010N10HZGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1A; Idm: 4A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR010N10HZGTLROHMDescription: ROHM - RSR010N10HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.37 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR010N10HZGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
304+0.57 EUR
316+0.54 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 304 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR010N10HZGTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 100V 1A Small Signal MOSFET
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+0.98 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.65 EUR
3000+0.52 EUR
6000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR010N10HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 16865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.26 EUR
15+1.42 EUR
50+1.05 EUR
100+0.93 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR010N10TLROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+1.11 EUR
100+0.76 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.49 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR010N10TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR010N10TL
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR010N10TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR015P03ROHMSOT-23
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR015P03 TLROHMSOT23
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR015P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
auf Bestellung 4997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.76 EUR
20+1.09 EUR
50+0.8 EUR
100+0.7 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR015P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR015P03TLROHM SemiconductorMOSFETs P-CH 30V 1.5A TSMT3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR015P06FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -6A; 1W; TSMT3
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TSMT3
On-state resistance: 0.36Ω
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR015P06HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15736 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
16+1.33 EUR
50+0.98 EUR
100+0.87 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR015P06HZGTLROHM SemiconductorMOSFETs MOSFET Pch -60V -1.5A, DriveVoltage:-4 SOT346T
auf Bestellung 3111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+0.96 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.61 EUR
3000+0.51 EUR
6000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR015P06HZGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -6A; 1W; TSMT3
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TSMT3
On-state resistance: 0.36Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR015P06HZGTLROHMDescription: ROHM - RSR015P06HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.2 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 1.5
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR015P06HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.52 EUR
9000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020N06
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020N06FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020N06FRATLROHMDescription: ROHM - RSR020N06FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.12 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
356+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020N06HZGTLROHM SemiconductorMOSFETs SOT346 N-CH 60V 2A
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
3000+0.44 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020N06HZGTLROHMDescription: ROHM - RSR020N06HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.12 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 1984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.19 EUR
183+1.27 EUR
281+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020N06HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
20+1.05 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020N06HZGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020N06HZGTLROHMDescription: ROHM - RSR020N06HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.12 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 1984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.19 EUR
183+1.27 EUR
281+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020N06HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.4 EUR
6000+0.38 EUR
9000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020N06TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020N06TLROHM
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020N06TLROHM SemiconductorMOSFET TRANS MOSFET NCH 60V 2A 3PIN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020N06TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020P03ROHM10+ROHS TSMT3
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020P03 TLROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020P03TLROHM SemiconductorMOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
auf Bestellung 1164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+1.02 EUR
100+0.79 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.45 EUR
9000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020P03TL
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020P05FRATL
Produktcode: 154369
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020P05FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020P05FRATLROHMDescription: ROHM - RSR020P05FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 5091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.3 EUR
111+2.09 EUR
165+1.3 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.77 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020P05FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020P05FRATLRohmТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020P05FRATLROHMDescription: ROHM - RSR020P05FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
364+0.69 EUR
374+0.62 EUR
385+0.56 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.54 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 364 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020P05FRATLROHM SemiconductorMOSFET TRANS MOSFET P-CH 3PIN AUTO GRADE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020P05HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 15688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.84 EUR
19+1.15 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020P05HZGTLROHMDescription: ROHM - RSR020P05HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
183+1.27 EUR
280+0.76 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020P05HZGTLROHM SemiconductorMOSFETs MOSFET Pch -45V -2A, DriveVoltage:-4 SOT346T
auf Bestellung 5525 Stücke:
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2+1.71 EUR
10+1.11 EUR
100+0.75 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.48 EUR
6000+0.44 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020P05HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.45 EUR
6000+0.42 EUR
9000+0.4 EUR
15000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020P05HZGTLROHMDescription: ROHM - RSR020P05HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
183+1.27 EUR
280+0.76 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020P05TLROHM SemiconductorMOSFET TRANS MOSFET P-CH 3PIN TSMT T/R
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RSR020P05TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020P05TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Produkt ist nicht verfügbar
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RSR025N03ROHMSOT23
auf Bestellung 207000 Stücke:
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RSR025N03 TLROHM
auf Bestellung 27785 Stücke:
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RSR025N03 TL SOT23-QY PBROHM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RSR025N03FRATLROHMDescription: ROHM - RSR025N03FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.05 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+1.29 EUR
264+0.88 EUR
351+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
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RSR025N03FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 1W; TSMT3
Case: TSMT3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 10A
Drain current: 2.5A
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 0.118Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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RSR025N03FRATLROHMDescription: ROHM - RSR025N03FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.05 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+1.29 EUR
264+0.88 EUR
351+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
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RSR025N03FS
auf Bestellung 800 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR025N03HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR025N03HZGTLROHMDescription: ROHM - RSR025N03HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.05 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.86 EUR
208+1.12 EUR
285+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
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RSR025N03HZGTLROHM SemiconductorMOSFETs Automotive Nch 30V 2.5A Small Signal MOSFET
auf Bestellung 9880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+0.87 EUR
100+0.64 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.38 EUR
6000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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