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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
WMOBussmann / EatonSpecialty Fuses BUSS HEAT LIMITER
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WMO-169Embedded Antenna Design169 MHz Wall-Mount Omni Antenna
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WMO-169-WMBEmbedded Antenna Design169 MHz Wall-Mount Omni Antenna
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WMO030N06HG4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
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Kind of channel: enhanced
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WMO030N06HG4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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WMO030N06LG4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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WMO030N06LG4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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WMO03N80M3WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 2.5A; 29W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
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Drain current: 2.5A
Power dissipation: 29W
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On-state resistance: 4Ω
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WMO03N80M3WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 2.5A; 29W; TO252
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WMO048NV6HG4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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WMO048NV6HG4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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WMO048NV6LG4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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WMO048NV6LG4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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WMO04N65C2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
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WMO04N65C2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
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WMO04N70C2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 2.6A; 29W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
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WMO04N70C2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 2.6A; 29W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
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WMO053NV8HGSWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
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WMO053NV8HGSWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
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Kind of channel: enhanced
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WMO05N100C2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 11A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
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Gate charge: 12.6nC
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Kind of channel: enhanced
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WMO05N100C2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 11A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
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WMO05N65MMWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ MM; unipolar; 650V; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ MM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO252
On-state resistance: 1.5Ω
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Kind of channel: enhanced
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WMO05N65MMWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ MM; unipolar; 650V; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ MM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO252
On-state resistance: 1.5Ω
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WMO05N70MMWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ MM; unipolar; 700V; 5.4A; 42W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ MM
Polarisation: unipolar
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Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
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Kind of channel: enhanced
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WMO05N70MMWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ MM; unipolar; 700V; 5.4A; 42W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ MM
Polarisation: unipolar
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Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
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WMO05N80M3WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 4A; 45W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
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Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
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Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO05N80M3WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 4A; 45W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 45W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
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Kind of channel: enhanced
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WMO060N10HGSWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO060N10HGSWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
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Kind of channel: enhanced
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WMO06N80M3WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO06N80M3WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
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Power dissipation: 50W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
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Kind of channel: enhanced
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WMO07N100C2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 1kV; 2.2A; Idm: 12A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 65W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 260ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO07N100C2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 1kV; 2.2A; Idm: 12A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 65W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 260ns
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WMO07N105C2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 1.05kV; 2.2A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 65W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO07N105C2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 1.05kV; 2.2A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.05kV
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Power dissipation: 65W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO07N60C2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 5A; 42W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.2 EUR
148+ 0.48 EUR
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188+ 0.38 EUR
200+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 60
WMO07N60C2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 5A; 42W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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200+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 60
WMO07N60C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 2.8A; Idm: 9A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO07N60C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 2.8A; Idm: 9A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO07N65C2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 367 Stücke:
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500+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 71
WMO07N65C2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO07N65C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 2.8A; Idm: 9A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO07N65C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 2.8A; Idm: 9A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO07N70C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 700V; 2.8A; Idm: 9A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO07N70C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 700V; 2.8A; Idm: 9A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO07N80M3WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 6.8A; 55W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 55W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO07N80M3WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 6.8A; 55W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 55W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO080N10HG2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO080N10HG2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
WMO08N60C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 12A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 45W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO08N60C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 12A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 45W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
WMO08N65C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 12A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 45W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO08N65C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 12A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 45W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO08N70C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 700V; 3.6A; Idm: 12A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO252
On-state resistance: 780mΩ
Kind of package: reel; tape
Technology: WMOS™ C4
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.6A
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WMO08N70C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 700V; 3.6A; Idm: 12A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO252
On-state resistance: 780mΩ
Kind of package: reel; tape
Technology: WMOS™ C4
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.6A
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WMO08N80M3WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 7A; 70W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 70W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO08N80M3WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 7A; 70W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 70W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO090NV6HG4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO090NV6HG4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO090NV6LG4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO090NV6LG4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO099N10HGSWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO099N10HGSWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
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WMO099N10LGSWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO099N10LGSWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
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WMO09N15TSWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO09N15TSWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO09N20DMWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
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WMO09N20DMWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO09N20DMHWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO09N20DMHWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
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WMO09P10TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO09P10TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO1/2S-100KJA5Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 100K Ohm 5% 0.5W(1/2W) ±350ppm/C Conformal Coated AXL Ammo
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WMO1/2S-100RJA5Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 100 Ohm 5% 0.5W(1/2W) ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO1/2S-10KJA5Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 10K Ohm 5% 0.5W(1/2W) ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO1/2S-110RJA5Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO1/2S-1K1JA5Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO1/2S-22RJA5Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 22 Ohm 5% 0.5W(1/2W) ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO1/2S-33KJA5Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO1/2S-3K9JA5Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 3.9K Ohm 5% 0.5W(1/2W) ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO1/2S-5K1JA5Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO1/2S-62KJA5Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO1/2S-6K8JA5Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 6.8K Ohm 5% 0.5W(1/2W) ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO1/2S-9K1JA5Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO100N07T1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO100N07T1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO100P03TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO100P03TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO10N100C2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 1kV; 3.3A; Idm: 18A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO10N100C2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 1kV; 3.3A; Idm: 18A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO10N50C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 4.8A; Idm: 16A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 45W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO10N50C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 4.8A; Idm: 16A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 45W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO10N60C2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.69Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO10N60C2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.69Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2014 Stücke:
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WMO10N60C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 4.8A; Idm: 19A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO10N60C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 4.8A; Idm: 19A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO10N65C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 4.8A; Idm: 19A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO10N65C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 4.8A; Idm: 19A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO10N65EMWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 4.8A; Idm: 24A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO10N65EMWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 4.8A; Idm: 24A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO10N70C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 700V; 4.8A; Idm: 19A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO10N70C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 700V; 4.8A; Idm: 19A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO10N70EMWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 700V; 4.8A; Idm: 24A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO10N70EMWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 700V; 4.8A; Idm: 24A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO10N80M3WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO10N80M3WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO115N15HG4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO115N15HG4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
WMO119N12LG4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO119N12LG4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO11N60C2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO11N60C2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO11N65C2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO11N65C2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO11N65SRWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 5.4A; Idm: 19A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO11N65SRWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 5.4A; Idm: 19A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
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Power dissipation: 63W
Case: TO252
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On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO11N70C2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 8A; 63W; TO252
Technology: WMOS™ C2
Case: TO252
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.68Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO11N70C2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 8A; 63W; TO252
Technology: WMOS™ C2
Case: TO252
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.68Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Type of transistor: N-MOSFET
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WMO11N70SRWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 700V; 5.4A; Idm: 19A; 63W
Technology: WMOS™ SR
Case: TO252
Mounting: SMD
On-state resistance: 620mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 19A
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5.4A
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO11N70SRWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 700V; 5.4A; Idm: 19A; 63W
Technology: WMOS™ SR
Case: TO252
Mounting: SMD
On-state resistance: 620mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 19A
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Drain current: 5.4A
Type of transistor: N-MOSFET
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WMO11N80M3WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10.5A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.5A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO11N80M3WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10.5A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.5A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO120N04TSWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO120N04TSWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO12N80M3WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 12A; 86W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 620mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO12N80M3WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 12A; 86W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 620mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO12P05T1WAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO12P05T1WAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO12P06TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO12P06TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO13N10TSWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO13N10TSWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO13N50C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 6A; Idm: 25A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO13N50C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 6A; Idm: 25A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
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Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO13N65EMWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 6.5A; Idm: 35A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.5A
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Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO13N65EMWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 6.5A; Idm: 35A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO13N70EMWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 700V; 6.5A; Idm: 35A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO13N70EMWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 700V; 6.5A; Idm: 35A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO13N80M3WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 13A; 130W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 130W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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WMO13N80M3WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 13A; 130W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 130W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO13P06T1WAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO13P06T1WAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
WMO13P10TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO13P10TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO140NV6LG4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO140NV6LG4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
WMO14N60C2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO14N60C2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO14N60C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 6A; Idm: 26A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
WMO14N60C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 6A; Idm: 26A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO14N65C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
WMO14N65C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
WMO14N70C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 700V; 6A; Idm: 26A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
WMO14N70C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 700V; 6A; Idm: 26A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
WMO15N10T1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
WMO15N10T1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO15N12TSWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO15N12TSWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO15N15T1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO15N15T1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO15N25T2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO15N25T2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO15N60C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 26A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
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Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
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Mounting: SMD
Gate charge: 14.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO15N60C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 26A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
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Gate charge: 14.6nC
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Kind of channel: enhanced
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WMO15N65C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 7.8A; Idm: 26A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
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Kind of channel: enhanced
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WMO15N65C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 7.8A; Idm: 26A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
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Case: TO252
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Gate charge: 14.6nC
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Kind of channel: enhanced
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WMO15N65F2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 7.8A; Idm: 26A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
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Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 335mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO15N65F2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 7.8A; Idm: 26A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
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Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 335mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO15N70C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 700V; 7.8A; Idm: 26A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
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Drain current: 7.8A
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Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO15N70C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 700V; 7.8A; Idm: 26A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO16N60FDWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
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Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO16N60FDWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO16N65C2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
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Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO16N65C2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
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Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO16N65FDWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO16N65FDWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO16N65SRWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 8.4A; Idm: 35A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
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Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO16N65SRWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 8.4A; Idm: 35A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.4A
Pulsed drain current: 35A
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Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO16N70SRWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 700V; 8.4A; Idm: 35A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8.4A
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Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO16N70SRWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 700V; 8.4A; Idm: 35A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8.4A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO175N10HG4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO175N10HG4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO175N10LG4WAYONWMO175N10LG4-CYG SMD N channel transistors
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WMO18N20T2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
WMO18N20T2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
WMO18N50C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 10A; Idm: 50A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 75W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO18N50C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 10A; Idm: 50A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 75W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO18N65EMWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 8.6A; Idm: 43A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.6A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO18N65EMWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 8.6A; Idm: 43A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.6A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO18N70EMWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 700V; 8.6A; Idm: 43A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8.6A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 280mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO18N70EMWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 700V; 8.6A; Idm: 43A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8.6A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 280mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO18P10TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
WMO18P10TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO190N03TSWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
WMO190N03TSWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
WMO190N15HG4WAYONWMO190N15HG4-CYG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
WMO1N80D1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO1N80D1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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WMO1S-100KJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 100K Ohm 5% 1W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO1S-120RJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 120 Ohm 5% 1W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO1S-1K1JA1Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO1S-220RJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 220 Ohm 5% 1W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO1S-33KJA1Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO1S-33KJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 33K Ohm 5% 1W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO1S-390RJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 390 Ohm 5% 1W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO1S-3K9JA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 3.9K Ohm 5% 1W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO1S-470RJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 470 Ohm 5% 1W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO1S-47RJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 47 Ohm 5% 1W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WMO1S-560RJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 560 Ohm 5% 1W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO1S-5K1JA1Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO1S-62KJA1Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO1S-62KJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 62K Ohm 5% 1W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO1S-62RJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 62 Ohm 5% 1W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO1S-9K1JA1Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO20N15T2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO20N15T2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
WMO20N65EMWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO252
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
WMO20N65EMWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO252
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
WMO20P04T1WAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
WMO20P04T1WAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
WMO20P15TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
WMO20P15TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO22N50C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 11A; Idm: 60A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
WMO22N50C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 11A; Idm: 60A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
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WMO240N10LG2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
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WMO240N10LG2WAYONCategory: SMD N channel transistors
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WMO25N06TSWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
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WMO25N06TSWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
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WMO25N10T1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
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WMO25N10T1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
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WMO25N50C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 13A; Idm: 65A; 135W
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WMO25N50C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 13A; Idm: 65A; 135W
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WMO25P03TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
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WMO25P03TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
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WMO25P04TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
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WMO25P04TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
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WMO25P06T1WAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
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WMO25P06T1WAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
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WMO26N60C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
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WMO26N60C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
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WMO26N65C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
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WMO26N65C4WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
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WMO26N65F2WAYONWMO26N65F2-CYG SMD N channel transistors
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WMO28N15T2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
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WMO28N15T2WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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WMO2N100D1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 8A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
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Case: TO252
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WMO2N100D1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 8A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
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Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
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Gate charge: 18nC
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WMO2S-100KJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 100K Ohm 5% 2W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO2S-100RJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 100 Ohm 5% 2W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO2S-10KJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 10K Ohm 5% 2W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO2S-110KJA1Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO2S-110RJA1Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO2S-120KJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 120K Ohm 5% 2W ±350ppm/C Conformal Coated AXL Ammo
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WMO2S-12RJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 12 Ohm 5% 2W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO2S-12RJA1Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO2S-18KJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 18K Ohm 5% 2W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO2S-1K1JA1Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO2S-20KJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 20K Ohm 5% 2W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO2S-20KJA1Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO2S-22RJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 22 Ohm 5% 2W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO2S-240RJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 240 Ohm 5% 2W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO2S-27KJITT Electronics/IRCDescription: WMO2S-27KJI
auf Bestellung 176000 Stücke:
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WMO2S-330RJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 330 Ohm 5% 2W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO2S-33KJA1Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors 33K OHM 5% 2W
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WMO2S-33KJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 33K Ohm 5% 2W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO2S-360RJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 360 Ohm 5% 2W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO2S-390RJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 390 Ohm 5% 2W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO2S-39KJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 39K Ohm 5% 2W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO2S-47RJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 47 Ohm 5% 2W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WMO2S-560RJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 560 Ohm 5% 2W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO2S-5K1JA1Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO2S-5K1JA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 5.1K Ohm 5% 2W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO2S-62KJA1Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO2S-82KJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 82K Ohm 5% 2W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO2S-8K2JIWelwyn ComponentsFLAMEPROOF METAL OXIDE RESISTOS
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WMO2S-9K1JA1Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO2S04-6K2JA1Welwyn ComponentsResistencia 6,3kOhm 2W
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WMO30P03TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO30P03TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO30P10TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO30P10TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO35N06T1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO35N06T1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO35P04T1WAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO35P04T1WAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO35P06TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO35P06TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO3N120D1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 12A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO3N120D1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 12A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO3N50D1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
WMO3N50D1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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WMO3S-100KJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 100K Ohm 5% 3W ±350ppm/C Conformal Coated AXL
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WMO3S-10RJIWelwyn ComponentsFLAMEPROOF METAL OXIDE RESISTOS
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WMO3S-12RJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 12 Ohm 5% 3W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO3S-130RJA1Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
Produkt ist nicht verfügbar
WMO3S-150RJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 150 Ohm 5% 3W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO3S-15RJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 15 Ohm 5% 3W ±350ppm/C Conformal Coated AXL Ammo
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WMO3S-1K1JA1Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO3S-22RJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 22 Ohm 5% 3W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO3S-270RJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 270 Ohm 5% 3W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO3S-27KJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 27K Ohm 5% 3W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO3S-27KJIWelwyn ComponentsRes Metal Oxide 27K Ohm 5% 3W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo Pack
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WMO3S-27RJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 27 Ohm 5% 3W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO3S-330RJA1Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO3S-330RJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 330 Ohm 5% 3W ±350ppm/C Conformal Coated AXL
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WMO3S-33KJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 33K Ohm 5% 3W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO3S-33KJA1Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
Produkt ist nicht verfügbar
WMO3S-33RJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 33 Ohm 5% 3W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO3S-39KJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 39K Ohm 5% 3W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO3S-39RJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 39 Ohm 5% 3W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO3S-470RJIWelwyn ComponentsRes Metal Oxide 470 Ohm 5% 3W ±350ppm/C Conformal Coated AXL Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
WMO3S-47RJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 47 Ohm 5% 3W ±350ppm/C Conformal Coated AXL
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WMO3S-56KJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 56K Ohm 5% 3W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO3S-56RJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 56 Ohm 5% 3W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO3S-5K1JA1Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
Produkt ist nicht verfügbar
WMO3S-62KJA1Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO3S-68KJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 68K Ohm 5% 3W ±350ppm/C Conformal Coated AXL Ammo
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WMO3S-82RJA1Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 82 Ohm 5% 3W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO3S-9K1JA1Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO3S04-1K1JA1Welwyn ComponentsResistencia 1,1kOhm, 3W S04
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WMO3S04-1K8JA1Welwyn ComponentsResistencia 1,8 Kohm S04 (10mA)
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WMO3S04-2K2JA1Welwyn ComponentsResistencia 2,2kOhm 3W
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WMO3S04-330RJA1Welwyn ComponentsResistencia 330Ohm, 3W
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WMO3S04-4K7JA1Welwyn ComponentsRESISTANCE 4.7 KOHM
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WMO3S04-750RJA1Welwyn ComponentsResistencia 750Ohm, 3W
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WMO40N04TSWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO40N04TSWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO4N65D1BWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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WMO4N65D1BWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
WMO4N80D1BWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
WMO4N80D1BWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO4N90D1CWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO4N90D1CWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO50N06TSWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO50N06TSWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO50P03T1WAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO50P03T1WAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO50P04T1WAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO50P04T1WAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO55N03T1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO55N03T1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO5N50D1BWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 45W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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WMO5N50D1BWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 45W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO5S-100KJA05Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors 100K ohm 5% 5W Metal Oxide Resistor
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29+1.84 EUR
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WMO5S-100KJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 100K Ohm 5% 5W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO5S-100KJA05TT ELECTRONICS / WELWYNDescription: TT ELECTRONICS / WELWYN - WMO5S-100KJA05 - Widerstand für Durchsteckmontage, 100 kohm, WMO-S, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 500 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metalloxid
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Flammfest
Widerstand: 100kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 350ppm/°C
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WMO-S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 500V
Produktdurchmesser: 8.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -mm
auf Bestellung 7413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WMO5S-100RJA05Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors 100ohm 5% 5W Metal Oxide Resistor
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31+1.72 EUR
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2500+ 0.42 EUR
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25000+ 0.39 EUR
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WMO5S-100RJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 100 Ohm 5% 5W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WMO5S-100RJA05TT ELECTRONICS / WELWYNDescription: TT ELECTRONICS / WELWYN - WMO5S-100RJA05 - Widerstand für Durchsteckmontage, 100 ohm, WMO-S, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 500 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metalloxid
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Flammfest
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 350ppm/°C
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WMO-S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 500V
Produktdurchmesser: 8.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -mm
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WMO5S-100RJIWelwyn ComponentsFLAMEPROOF METAL OXIDE RESISTOR
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WMO5S-10KJA05TT ELECTRONICS / WELWYNDescription: TT ELECTRONICS / WELWYN - WMO5S-10KJA05 - Widerstand für Durchsteckmontage, 10 kohm, WMO-S, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 500 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Flammfest
Widerstand: 10kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 350ppm/°C
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WMO-S
productTraceability: No
Nennspannung: 500V
Produktdurchmesser: 8.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -mm
auf Bestellung 839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WMO5S-10RJA05Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors 10 ohm 5% 5W Metal Oxide Resistor
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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45+ 1.16 EUR
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WMO5S-10RJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 10 Ohm 5% 5W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WMO5S-10RJA05TT ELECTRONICS / WELWYNDescription: TT ELECTRONICS / WELWYN - WMO5S-10RJA05 - Widerstand für Durchsteckmontage, 10 ohm, WMO-S, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 500 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Flammfest
Widerstand: 10ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 350ppm/°C
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WMO-S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 500V
Produktdurchmesser: 8.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -mm
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WMO5S-120RJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 120 Ohm 5% 5W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO5S-12KJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 12K Ohm 5% 5W ±350ppm/C Conformal Coated AXL Ammo
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WMO5S-12KJA05Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO5S-12RJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 12 Ohm 5% 5W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO5S-130RJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 130 Ohm 5% 5W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO5S-150KJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 150K Ohm 5% 5W ±350ppm/C Conformal Coated AXL Ammo
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WMO5S-150RJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 150 Ohm 5% 5W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WMO5S-150RJA05TT ELECTRONICS / WELWYNDescription: TT ELECTRONICS / WELWYN - WMO5S-150RJA05 - Widerstand für Durchsteckmontage, 150 ohm, WMO-S, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 500 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metalloxid
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Flammfest
Widerstand: 150ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 350ppm/°C
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WMO-S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 8.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WMO5S-15KJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 15K Ohm 5% 5W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO5S-15KJA05TT ELECTRONICS / WELWYNDescription: TT ELECTRONICS / WELWYN - WMO5S-15KJA05 - Widerstand für Durchsteckmontage, 15 kohm, WMO-S, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 500 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Flammfest
Widerstand: 15kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 350ppm/°C
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WMO-S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 8.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -mm
auf Bestellung 1515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WMO5S-15KJA05Welwyn Components / TT ElectronicsThick Film Resistors - SMD 15K ohm 5% .25W
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WMO5S-15RJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 15 Ohm 5% 5W ±350ppm/C Conformal Coated AXL Ammo
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WMO5S-15RJA05TT ELECTRONICS / WELWYNDescription: TT ELECTRONICS / WELWYN - WMO5S-15RJA05 - Widerstand für Durchsteckmontage, 15 ohm, WMO-S, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 500 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Flammfest
Widerstand: 15ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 350ppm/°C
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WMO-S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 8.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WMO5S-180RJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 180 Ohm 5% 5W ±350ppm/C Conformal Coated AXL Ammo
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WMO5S-18KJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 18K Ohm 5% 5W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO5S-18RJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 18 Ohm 5% 5W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO5S-1K0JA05Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors 1K ohm 5% 5W
auf Bestellung 999 Stücke:
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34+1.56 EUR
45+ 1.16 EUR
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100+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 34
WMO5S-1K0JIWelwyn ComponentsFLAMEPROOF METAL OXIDE RESISTOS
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WMO5S-1K1JA05Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO5S-1K5JA05TT ELECTRONICS / WELWYNDescription: TT ELECTRONICS / WELWYN - WMO5S-1K5JA05 - Widerstand für Durchsteckmontage, 1.5 kohm, WMO-S, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 500 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metalloxid
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Flammfest
Widerstand: 1.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 350ppm/°C
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WMO-S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 500V
Produktdurchmesser: 8.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -mm
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WMO5S-1KJA05TT ELECTRONICS / WELWYNDescription: TT ELECTRONICS / WELWYN - WMO5S-1KJA05 - Widerstand für Durchsteckmontage, 1 kohm, WMO-S, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 500 V
tariffCode: 85339000
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metalloxid
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Flammfest
Widerstand: 1kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 350ppm/°C
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WMO-S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 500V
Produktdurchmesser: 8.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -mm
auf Bestellung 1673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WMO5S-220RJA05TT ELECTRONICS / WELWYNDescription: TT ELECTRONICS / WELWYN - WMO5S-220RJA05 - Widerstand für Durchsteckmontage, 220 ohm, WMO-S, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 500 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metalloxid
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Flammfest
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 350ppm/°C
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WMO-S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 8.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -mm
auf Bestellung 1789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WMO5S-22KJA05TT ELECTRONICS / WELWYNDescription: TT ELECTRONICS / WELWYN - WMO5S-22KJA05 - Widerstand für Durchsteckmontage, 22 kohm, WMO-S, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 500 V
tariffCode: 85339000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennleistung: 5W
Widerstand: 22kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 8.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -mm
auf Bestellung 2063 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WMO5S-22KJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 22K Ohm 5% 5W ±350ppm/C Conformal Coated AXL Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
WMO5S-22RJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 22 Ohm 5% 5W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO5S-22RJA05Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors 22 ohm 5% 5W Metal Oxide Resistor
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WMO5S-22RJA05TT ELECTRONICS / WELWYNDescription: TT ELECTRONICS / WELWYN - WMO5S-22RJA05 - Widerstand für Durchsteckmontage, 22 ohm, WMO-S, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 500 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metalloxid
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Flammfest
Widerstand: 22ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 350ppm/°C
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WMO-S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 8.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 691 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WMO5S-27KJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 27K Ohm 5% 5W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
WMO5S-27KJA05Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
Produkt ist nicht verfügbar
WMO5S-27RJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 27 Ohm 5% 5W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
WMO5S-2K2JA05TT ELECTRONICS / WELWYNDescription: TT ELECTRONICS / WELWYN - WMO5S-2K2JA05 - Widerstand für Durchsteckmontage, 2.2 kohm, WMO-S, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 500 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metalloxid
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Flammfest
Widerstand: 2.2kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 350ppm/°C
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WMO-S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 8.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WMO5S-330RJA05TT ELECTRONICS / WELWYNDescription: TT ELECTRONICS / WELWYN - WMO5S-330RJA05 - Widerstand für Durchsteckmontage, 330 ohm, WMO-S, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 500 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Flammfest
Widerstand: 330ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 350ppm/°C
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WMO-S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 8.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WMO5S-330RJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 330 Ohm 5% 5W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
WMO5S-33KJA05Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
Produkt ist nicht verfügbar
WMO5S-33KJA05TT ELECTRONICS / WELWYNDescription: TT ELECTRONICS / WELWYN - WMO5S-33KJA05 - Widerstand für Durchsteckmontage, 33 kohm, WMO-S, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 500 V
tariffCode: 85339000
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Flammfest
Widerstand: 33kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 350ppm/°C
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WMO-S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 8.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1507 Stücke:
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WMO5S-33KJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 33K Ohm 5% 5W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO5S-33RJA05TT ELECTRONICS / WELWYNDescription: TT ELECTRONICS / WELWYN - WMO5S-33RJA05 - Widerstand für Durchsteckmontage, 33 ohm, WMO-S, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 500 V
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Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Flammfest
Widerstand: 33ohm
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Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 350ppm/°C
Produktlänge: 26mm
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Produktpalette: WMO-S
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Produktdurchmesser: 8.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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WMO5S-33RJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 33 Ohm 5% 5W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO5S-39KJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 39K Ohm 5% 5W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO5S-3K3JA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 3.3K Ohm 5% 5W ±350ppm/C Conformal Coated AXL Ammo
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WMO5S-430RJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 430 Ohm 5% 5W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO5S-430RJA05Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO5S-470RJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 470 Ohm 5% 5W ±350ppm/C Conformal Coated AXL Ammo
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WMO5S-470RJA05TT ELECTRONICS / WELWYNDescription: TT ELECTRONICS / WELWYN - WMO5S-470RJA05 - Widerstand für Durchsteckmontage, 470 ohm, WMO-S, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 500 V
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Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
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Qualifikation: -
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Flammfest
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Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 350ppm/°C
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WMO-S
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Produktdurchmesser: 8.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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WMO5S-47KJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 47K Ohm 5% 5W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO5S-47KJA05TT ELECTRONICS / WELWYNDescription: TT ELECTRONICS / WELWYN - WMO5S-47KJA05 - Widerstand für Durchsteckmontage, 47 kohm, WMO-S, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 500 V
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rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
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Qualifikation: -
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Flammfest
Widerstand: 47kohm
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Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 350ppm/°C
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WMO-S
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Nennspannung: 500V
Produktdurchmesser: 8.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -mm
auf Bestellung 2785 Stücke:
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WMO5S-47KJA05Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors 47K ohm 5% 5W Metal Oxide Resistor
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WMO5S-47RJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 47 Ohm 5% 5W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO5S-47RJA05TT ELECTRONICS / WELWYNDescription: TT ELECTRONICS / WELWYN - WMO5S-47RJA05 - Widerstand für Durchsteckmontage, 47 ohm, WMO-S, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 500 V
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rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Flammfest
Widerstand: 47ohm
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Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 350ppm/°C
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WMO-S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 500V
Produktdurchmesser: 8.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -mm
auf Bestellung 1713 Stücke:
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WMO5S-4K7JA05TT ELECTRONICS / WELWYNDescription: TT ELECTRONICS / WELWYN - WMO5S-4K7JA05 - Widerstand für Durchsteckmontage, 4.7 kohm, WMO-S, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 500 V
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rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metalloxid
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Qualifikation: -
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Flammfest
Widerstand: 4.7kohm
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Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 350ppm/°C
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WMO-S
productTraceability: No
Nennspannung: 500V
Produktdurchmesser: 8.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2444 Stücke:
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WMO5S-51KJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 51K Ohm 5% 5W ±350ppm/C Conformal Coated AXL Ammo
auf Bestellung 9000 Stücke:
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WMO5S-5K1JA05Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors 5.1K OHM 5% 1/2W
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WMO5S-5K1JA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 5.1K Ohm 5% 5W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO5S-5K6JA05Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO5S-62KJA05Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO5S-680RJA05TT ELECTRONICS / WELWYNDescription: TT ELECTRONICS / WELWYN - WMO5S-680RJA05 - Widerstand für Durchsteckmontage, 680 ohm, WMO-S, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 500 V
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rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Flammfest
Widerstand: 680ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 350ppm/°C
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WMO-S
productTraceability: No
Nennspannung: 500V
Produktdurchmesser: 8.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 585 Stücke:
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WMO5S-68KJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 68K Ohm 5% 5W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO5S-68KJA05TT ELECTRONICS / WELWYNDescription: TT ELECTRONICS / WELWYN - WMO5S-68KJA05 - Widerstand für Durchsteckmontage, 68 kohm, WMO-S, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 500 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metalloxid
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Flammfest
Widerstand: 68kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 350ppm/°C
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WMO-S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 8.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WMO5S-68RJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 68 Ohm 5% 5W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WMO5S-68RJA05TT ELECTRONICS / WELWYNDescription: TT ELECTRONICS / WELWYN - WMO5S-68RJA05 - Widerstand für Durchsteckmontage, 68 ohm, WMO-S, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 500 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Flammfest
Widerstand: 68ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 350ppm/°C
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WMO-S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 8.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WMO5S-75RJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 75 Ohm 5% 5W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO5S-820RJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 820 Ohm 5% 5W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO5S-9K1JA05Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO60N02T1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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WMO60N02T1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
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WMO60N04T1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
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WMO60N04T1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
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WMO60P02TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
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WMO60P02TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
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WMO60P03TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
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WMO60P03TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
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WMO690N15HG2WAYONWMO690N15HG2-CYG SMD N channel transistors
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WMO6N80D1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 45.8W
Type of transistor: N-MOSFET
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WMO6N80D1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 45.8W
Type of transistor: N-MOSFET
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WMO6N80D1BWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
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WMO6N80D1BWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
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WMO75N04T1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
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WMO75N04T1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
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WMO7N65D1BWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 7A; Idm: 28A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
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WMO7N65D1BWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 7A; Idm: 28A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
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Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
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Gate charge: 24.3nC
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO7S-1K1JA05Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO7S-33KJA05Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO7S-33KJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 33K Ohm 5% 7W ±350ppm/C Conformal Coated AXL Ammo
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WMO7S-43KJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 43K Ohm 5% 7W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
auf Bestellung 154500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WMO7S-47RJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 47 Ohm 5% 7W ±350ppm/C Conformal Coated AXL
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WMO7S-5K1JA05Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO7S-62KJA05Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO7S-68KJA05Welwyn ComponentsRes Metal Oxide 68K Ohm 5% 7W ±350ppm/C Ceramic AXL Ammo
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WMO7S-9K1JA05Welwyn Components / TT ElectronicsMetal Oxide Resistors
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WMO80N03T1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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WMO80N03T1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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WMO80N06TSWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
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WMO80N06TSWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO80N08TSWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
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WMO80N08TSWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
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WMO80P04TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
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WMO80P04TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO80R1K0SWAYONWMO80R1K0S-CYG SMD N channel transistors
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WMO80R480SWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 7.2A; Idm: 48A; 138W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
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Gate-source voltage: ±30V
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Gate charge: 25nC
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO80R480SWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 7.2A; Idm: 48A; 138W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.2A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 138W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
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Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO80R720SWAYONWMO80R720S-CYG SMD N channel transistors
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WMO8685-RS-5MEmbedded Antenna Design868 MHz Wall-Mount Omni 5M RG58 RP-SMA connector
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WMO86916-RS-5MEmbedded Antenna Design868/915 MHz Wall-Mount Omni 5M RG58 RP-SMA
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WMO86916-SM-5MEmbedded Antenna DesignAntenna Omni 5.8dBi Gain 915MHz
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WMO90N02T1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO90N02T1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
WMO90P03TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
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Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
WMO90P03TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO90P04TSWAYONWMO90P04TS-CYG SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
WMO90R1K1SWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 6A; 70W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
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Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
WMO90R1K1SWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 6A; 70W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Power dissipation: 70W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO90R1K5SWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 3A; Idm: 15A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 62W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO90R1K5SWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 3A; Idm: 15A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 62W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO90R500SWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Case: TO252
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
WMO90R500SWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Case: TO252
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO90R830SWAYONWMO90R830S-CYG SMD N channel transistors
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WMO95P06TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO95P06TSWAYONCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
WMO96N03T1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO96N03T1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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WMO9N50D1BWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 9A; Idm: 36A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 104W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO9N50D1BWAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 9A; Idm: 36A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 104W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMO9N65D1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 9A; Idm: 36A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMO9N65D1WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 9A; Idm: 36A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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WMODFANRPL-MP-12Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans SYPX Fan Replace Service for (12) fan kit for SYPM10KF/H type modules ONLY (not High Eff)
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