| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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BC869-QF | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC869-QF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 1.35 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC869-QX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC869-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 1.35 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 85hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.35W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC869-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC869-16-QX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC869-16-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 1.35 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC869-25-QX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC869-25-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 1.35 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SZMM5Z10VT5GF | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - SZMM5Z10VT5GF - Zener-Diode, 10 V, 300 mW, SC-79, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-79 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SZMM5Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SZMM5Z10VT5GF | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - SZMM5Z10VT5GF - Zener-Diode, 10 V, 300 mW, SC-79, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-79 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SZMM5Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NX3020NAKVYL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3020NAKVYL - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 4.5 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 260mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 260mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCA9595PWJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NCA9595PWJ - I/O-Erweiterung, 16 bit, I2C, SMBus, 1.65 V, 5.5 V, TSSOP, 24 Pin(s)tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V Anzahl der Bits: 16bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16I/O(s) Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, SMBus Betriebstemperatur, max.: 85°C |
auf Bestellung 2098 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN1R6-25YLEX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R6-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 1680 µohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 124W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN1R6-25YLEX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R6-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 1680 µohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 124W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN1R1-80ASFJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1110 µohm, CCPAK1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1110µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN1R4-100CSEJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1420 µohm, CCPAK1212i, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN1R8-80SSEJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R8-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (25-Jun-2025) rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 3655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN1R1-80ASFJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1110 µohm, CCPAK1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 385A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 935W Bauform - Transistor: CCPAK1212 Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: NextPower Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1110µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN1R9-80SSJJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSJJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 286A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 500W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK88 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm |
auf Bestellung 3900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN1R9-80SSJJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSJJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (25-Jun-2025) rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 3900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN1R1-80CSFJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1160 µohm, CCPAK1212i, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1160µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 982 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN1R1-80CSFJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1160 µohm, CCPAK1212i, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 385A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 935W Bauform - Transistor: CCPAK1212i Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: NextPower Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1160µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 982 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN1R8-80SSEJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R8-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 286A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 500W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK88 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm |
auf Bestellung 3655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN1R4-100CSFJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 1350 µohm, CCPAK1212i, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS1MJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GS1MJ - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 AtariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (25-Jun-2025) rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 1305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC817W,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC817W,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC817W Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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74HCS165PW-Q100J | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 74HCS165PW-Q100J - Schieberegister, 74HCS165, Parallel zu seriell, 8 bit, TSSOP, 16 Pin(s)tariffCode: 85423990 euEccn: NLR Logik-IC-Sockelnummer: 74165 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74HCS IC-Ausgang: CMOS Anzahl der Elemente: - Schieberegisterfunktion: Parallel zu seriell hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74HCS165 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 6V Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Bits pro Element: 8bit |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NHDTA114EUX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTA114EUX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 235mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTA114EU Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NHDTC114ETR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTC114ETR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC114ET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NHDTA114YTR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTA114YTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTA114YT Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V |
auf Bestellung 405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NHDTC123JTR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTC123JTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC123JT Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NHDTA114YTR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTA114YTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTA114YT Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V |
auf Bestellung 405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NHDTA114EUX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTA114EUX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 235mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTA114EU Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NHDTC123JTR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTC123JTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC123JT Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 85 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NHDTC144ET-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTC144ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC144ET-Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NHDTA114EU-QX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTA114EU-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 315mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTA114EU-Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NHDTA114ET-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTA114ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 1795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NHDTA123JT-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTA123JT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTA123JT-Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V |
auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NHDTC143ZT-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTC143ZT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC143ZT-Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
auf Bestellung 2830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NHDTC124ET-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTC124ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC124ET-Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NHDTA144ET-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTA144ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTA144ET-Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NHDTC143ZT-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTC143ZT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NHDTC114YT-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTC114YT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC114YT-Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
auf Bestellung 5005 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NHDTA144ET-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTA144ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NHDTA114EU-QX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTA114EU-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NHDTC114ET-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTC114ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NHDTA114YT-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTA114YT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTA114YT-Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V |
auf Bestellung 2825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NHDTC114YT-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTC114YT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 5005 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NHDTC123JT-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTC123JT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 3924 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NHDTA123JT-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTA123JT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NHDTC114ET-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTC114ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC114ET-Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NHDTC124ET-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTC124ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohmtariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NHDTA143ZT-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTA143ZT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NHDTA114YT-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTA114YT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NHDTC123JT-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTC123JT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC123JT-Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
auf Bestellung 3924 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NHDTA114ET-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTA114ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTA114ET-Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V |
auf Bestellung 1795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NHDTC144ET-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTC144ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NHDTA143ZT-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTA143ZT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTA143ZT-Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V |
auf Bestellung 2940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BZV55-B5V1,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZV55-B5V1,115 - Zener-Diode, 5.1 V, 400 mW, SOD-80C, 2 Pin(s), 200 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-80C euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZV55 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V |
auf Bestellung 107500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PESD27VU2BT-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PESD27VU2BT-QR - ESD-Schutzbaustein, 45 V, TO-236AB (SOT-23), 3 Pin(s), 27 VtariffCode: 85412900 Bauform - Diode: TO-236AB (SOT-23) euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung Pd: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Begrenzungsspannung Vc, max.: 45V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 27V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PESD27VL2BAT-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PESD27VL2BAT-QR - ESD-Schutzbaustein, 42 V, TO-236AB (SOT-23), 3 Pin(s), 27 VtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-236AB (SOT-23) euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Verlustleistung Pd: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Begrenzungsspannung Vc, max.: 42V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 27V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2705 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PESD27VU2BT-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PESD27VU2BT-QR - ESD-Schutzbaustein, 45 V, TO-236AB (SOT-23), 3 Pin(s), 27 VtariffCode: 85412900 Bauform - Diode: TO-236AB (SOT-23) euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Verlustleistung Pd: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Begrenzungsspannung Vc, max.: 45V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 27V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PESD27VL2BAT-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PESD27VL2BAT-QR - ESD-Schutzbaustein, 42 V, TO-236AB (SOT-23), 3 Pin(s), 27 VtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-236AB (SOT-23) euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung Pd: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Begrenzungsspannung Vc, max.: 42V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 27V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2705 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PESD15VS2UAT,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PESD15VS2UAT,215 - ESD-Schutzbaustein, TVS, 18 V, SOT-23, 3 Pin(s), 15 V, PESDxS2UAT SeriestariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung Pd: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Begrenzungsspannung Vc, max.: 18V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 15V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PESDxS2UAT Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC869-QF |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC869-QF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC869-QF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 144+ | 1.74 EUR |
| 232+ | 1 EUR |
| 362+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.58 EUR |
| 1000+ | 0.57 EUR |
| BC869-QX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC869-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 85hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.35W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC869-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC869-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 85hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.35W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC869-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 144+ | 1.74 EUR |
| 232+ | 1 EUR |
| 362+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
| BC869-16-QX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC869-16-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC869-16-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 106+ | 2.38 EUR |
| 158+ | 1.46 EUR |
| 249+ | 0.86 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
| BC869-25-QX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC869-25-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC869-25-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 144+ | 1.74 EUR |
| 232+ | 1 EUR |
| 362+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
| 1000+ | 0.52 EUR |
| SZMM5Z10VT5GF |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - SZMM5Z10VT5GF - Zener-Diode, 10 V, 300 mW, SC-79, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM5Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - SZMM5Z10VT5GF - Zener-Diode, 10 V, 300 mW, SC-79, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM5Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 278+ | 0.9 EUR |
| 488+ | 0.48 EUR |
| 800+ | 0.26 EUR |
| SZMM5Z10VT5GF |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - SZMM5Z10VT5GF - Zener-Diode, 10 V, 300 mW, SC-79, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM5Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - SZMM5Z10VT5GF - Zener-Diode, 10 V, 300 mW, SC-79, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM5Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 278+ | 0.9 EUR |
| 488+ | 0.48 EUR |
| 800+ | 0.26 EUR |
| NX3020NAKVYL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX3020NAKVYL - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 4.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 260mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 260mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - NX3020NAKVYL - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 4.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 260mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 260mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 197+ | 1.27 EUR |
| 308+ | 0.75 EUR |
| 479+ | 0.45 EUR |
| 667+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.27 EUR |
| NCA9595PWJ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NCA9595PWJ - I/O-Erweiterung, 16 bit, I2C, SMBus, 1.65 V, 5.5 V, TSSOP, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Anzahl der Bits: 16bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SMBus
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: NEXPERIA - NCA9595PWJ - I/O-Erweiterung, 16 bit, I2C, SMBus, 1.65 V, 5.5 V, TSSOP, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Anzahl der Bits: 16bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SMBus
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 2098 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.51 EUR |
| 250+ | 2.36 EUR |
| 500+ | 2.27 EUR |
| 1000+ | 2.25 EUR |
| PSMN1R6-25YLEX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R6-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 1680 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN1R6-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 1680 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 37+ | 6.88 EUR |
| 57+ | 4.13 EUR |
| 100+ | 2.38 EUR |
| 500+ | 1.96 EUR |
| PSMN1R6-25YLEX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R6-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 1680 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN1R6-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 1680 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.38 EUR |
| 500+ | 1.96 EUR |
| PSMN1R1-80ASFJ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1110 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1110µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1110 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1110µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 29.79 EUR |
| 11+ | 22.47 EUR |
| 12+ | 17.99 EUR |
| 50+ | 14.4 EUR |
| 100+ | 13.2 EUR |
| 250+ | 12.16 EUR |
| PSMN1R4-100CSEJ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1420 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1420 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 27.39 EUR |
| 11+ | 22.57 EUR |
| 13+ | 16.54 EUR |
| 50+ | 14.89 EUR |
| 100+ | 12.13 EUR |
| 250+ | 12.05 EUR |
| PSMN1R8-80SSEJ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R8-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: NEXPERIA - PSMN1R8-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 31.64 EUR |
| 12+ | 19.77 EUR |
| 100+ | 11.72 EUR |
| 500+ | 9.66 EUR |
| 1000+ | 9.47 EUR |
| PSMN1R1-80ASFJ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1110 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 385A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1110µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1110 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 385A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1110µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 29.79 EUR |
| 11+ | 22.47 EUR |
| 12+ | 17.99 EUR |
| 50+ | 14.4 EUR |
| 100+ | 13.2 EUR |
| 250+ | 12.16 EUR |
| PSMN1R9-80SSJJ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSJJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 286A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
Description: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSJJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 286A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 31.64 EUR |
| 12+ | 19.77 EUR |
| 100+ | 11.72 EUR |
| 500+ | 9.66 EUR |
| 1000+ | 9.47 EUR |
| PSMN1R9-80SSJJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSJJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSJJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 31.64 EUR |
| 12+ | 19.77 EUR |
| 100+ | 11.72 EUR |
| 500+ | 9.66 EUR |
| 1000+ | 9.47 EUR |
| PSMN1R1-80CSFJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1160 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1160µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1160 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1160µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 29.79 EUR |
| 11+ | 22.47 EUR |
| 12+ | 17.99 EUR |
| 50+ | 14.4 EUR |
| 100+ | 13.2 EUR |
| 250+ | 12.16 EUR |
| PSMN1R1-80CSFJ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1160 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 385A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1160µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1160 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 385A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1160µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 29.79 EUR |
| 11+ | 22.47 EUR |
| 12+ | 17.99 EUR |
| 50+ | 14.4 EUR |
| 100+ | 13.2 EUR |
| 250+ | 12.16 EUR |
| PSMN1R8-80SSEJ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R8-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 286A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
Description: NEXPERIA - PSMN1R8-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 286A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
auf Bestellung 3655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 31.64 EUR |
| 12+ | 19.77 EUR |
| 100+ | 11.72 EUR |
| 500+ | 9.66 EUR |
| 1000+ | 9.47 EUR |
| PSMN1R4-100CSFJ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 1350 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 1350 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 29.24 EUR |
| 11+ | 21.86 EUR |
| 13+ | 17.67 EUR |
| 50+ | 14.14 EUR |
| 100+ | 12.96 EUR |
| 250+ | 11.95 EUR |
| GS1MJ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GS1MJ - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: NEXPERIA - GS1MJ - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.58 EUR |
| 770+ | 0.3 EUR |
| 1266+ | 0.17 EUR |
| BC817W,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC817W,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC817W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - BC817W,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC817W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.52 EUR |
| 863+ | 0.27 EUR |
| 74HCS165PW-Q100J |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 74HCS165PW-Q100J - Schieberegister, 74HCS165, Parallel zu seriell, 8 bit, TSSOP, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74165
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HCS
IC-Ausgang: CMOS
Anzahl der Elemente: -
Schieberegisterfunktion: Parallel zu seriell
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HCS165
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Bits pro Element: 8bit
Description: NEXPERIA - 74HCS165PW-Q100J - Schieberegister, 74HCS165, Parallel zu seriell, 8 bit, TSSOP, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74165
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HCS
IC-Ausgang: CMOS
Anzahl der Elemente: -
Schieberegisterfunktion: Parallel zu seriell
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HCS165
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Bits pro Element: 8bit
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 278+ | 0.9 EUR |
| 410+ | 0.57 EUR |
| 541+ | 0.39 EUR |
| 622+ | 0.35 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| NHDTA114EUX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTA114EUX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 235mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA114EU Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
Description: NEXPERIA - NHDTA114EUX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 235mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA114EU Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NHDTC114ETR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTC114ETR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC114ET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: NEXPERIA - NHDTC114ETR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC114ET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 332+ | 0.75 EUR |
| 569+ | 0.4 EUR |
| 926+ | 0.23 EUR |
| 1286+ | 0.17 EUR |
| 1484+ | 0.14 EUR |
| NHDTA114YTR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTA114YTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA114YT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
Description: NEXPERIA - NHDTA114YTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA114YT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 332+ | 0.75 EUR |
| NHDTC123JTR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTC123JTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC123JT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: NEXPERIA - NHDTC123JTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC123JT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NHDTA114YTR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTA114YTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA114YT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
Description: NEXPERIA - NHDTA114YTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA114YT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 332+ | 0.75 EUR |
| NHDTA114EUX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTA114EUX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 235mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA114EU Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
Description: NEXPERIA - NHDTA114EUX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 235mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA114EU Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NHDTC123JTR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTC123JTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
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Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC123JT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: NEXPERIA - NHDTC123JTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC123JT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NHDTC144ET-QR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTC144ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC144ET-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: NEXPERIA - NHDTC144ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC144ET-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 288+ | 0.87 EUR |
| 472+ | 0.49 EUR |
| 764+ | 0.29 EUR |
| 901+ | 0.24 EUR |
| 1104+ | 0.19 EUR |
| NHDTA114EU-QX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTA114EU-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 315mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA114EU-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
Description: NEXPERIA - NHDTA114EU-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 315mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA114EU-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 270+ | 0.93 EUR |
| 472+ | 0.49 EUR |
| 770+ | 0.27 EUR |
| 1077+ | 0.2 EUR |
| 1231+ | 0.18 EUR |
| NHDTA114ET-QR |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTA114ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: NEXPERIA - NHDTA114ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 270+ | 0.93 EUR |
| 472+ | 0.49 EUR |
| 770+ | 0.27 EUR |
| 1077+ | 0.2 EUR |
| 1231+ | 0.18 EUR |
| NHDTA123JT-QR |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTA123JT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA123JT-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
Description: NEXPERIA - NHDTA123JT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA123JT-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 270+ | 0.93 EUR |
| 472+ | 0.49 EUR |
| 770+ | 0.27 EUR |
| 1077+ | 0.2 EUR |
| 1231+ | 0.18 EUR |
| NHDTC143ZT-QR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTC143ZT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC143ZT-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: NEXPERIA - NHDTC143ZT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC143ZT-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 2830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 270+ | 0.93 EUR |
| 472+ | 0.49 EUR |
| 770+ | 0.27 EUR |
| 1077+ | 0.2 EUR |
| 1231+ | 0.18 EUR |
| NHDTC124ET-QR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTC124ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC124ET-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: NEXPERIA - NHDTC124ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC124ET-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 270+ | 0.93 EUR |
| 472+ | 0.49 EUR |
| 770+ | 0.27 EUR |
| 1077+ | 0.2 EUR |
| 1231+ | 0.18 EUR |
| 5000+ | 0.1 EUR |
| NHDTA144ET-QR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTA144ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA144ET-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
Description: NEXPERIA - NHDTA144ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA144ET-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 270+ | 0.93 EUR |
| 472+ | 0.49 EUR |
| 770+ | 0.27 EUR |
| 1077+ | 0.2 EUR |
| 1231+ | 0.18 EUR |
| NHDTC143ZT-QR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTC143ZT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
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auf Bestellung 2830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 270+ | 0.93 EUR |
| 472+ | 0.49 EUR |
| 770+ | 0.27 EUR |
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| 1231+ | 0.18 EUR |
| NHDTC114YT-QR |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTC114YT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
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Produktpalette: NHDTC114YT-Q Series
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC114YT-Q Series
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Wandlerpolarität: NPN
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 5005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 270+ | 0.93 EUR |
| 472+ | 0.49 EUR |
| 770+ | 0.27 EUR |
| 1077+ | 0.2 EUR |
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| 5000+ | 0.1 EUR |
| NHDTA144ET-QR |
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Hersteller: NEXPERIA
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auf Bestellung 2990 Stücke:
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| 270+ | 0.93 EUR |
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| NHDTA114EU-QX |
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Hersteller: NEXPERIA
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|---|---|
| 270+ | 0.93 EUR |
| 472+ | 0.49 EUR |
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| NHDTC114ET-QR |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTC114ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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auf Bestellung 2000 Stücke:
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| 270+ | 0.93 EUR |
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| NHDTA114YT-QR |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTA114YT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
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Produktpalette: NHDTA114YT-Q Series
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Produktpalette: NHDTA114YT-Q Series
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Wandlerpolarität: PNP
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
auf Bestellung 2825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 270+ | 0.93 EUR |
| 472+ | 0.49 EUR |
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| NHDTC114YT-QR |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTC114YT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
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auf Bestellung 5005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| 270+ | 0.93 EUR |
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| NHDTC123JT-QR |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTC123JT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
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auf Bestellung 3924 Stücke:
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|---|---|
| 270+ | 0.93 EUR |
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| NHDTA123JT-QR |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTA123JT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 270+ | 0.93 EUR |
| 472+ | 0.49 EUR |
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| NHDTC114ET-QR |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTC114ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
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Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC114ET-Q Series
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Wandlerpolarität: NPN
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 270+ | 0.93 EUR |
| 472+ | 0.49 EUR |
| 770+ | 0.27 EUR |
| 1077+ | 0.2 EUR |
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| NHDTC124ET-QR |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTC124ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Description: NEXPERIA - NHDTC124ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 270+ | 0.93 EUR |
| 472+ | 0.49 EUR |
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| 1077+ | 0.2 EUR |
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| 5000+ | 0.1 EUR |
| NHDTA143ZT-QR |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTA143ZT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Description: NEXPERIA - NHDTA143ZT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 270+ | 0.93 EUR |
| 472+ | 0.49 EUR |
| 770+ | 0.27 EUR |
| 1077+ | 0.2 EUR |
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| NHDTA114YT-QR |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTA114YT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: NEXPERIA - NHDTA114YT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 270+ | 0.93 EUR |
| 472+ | 0.49 EUR |
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| NHDTC123JT-QR |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTC123JT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Produktpalette: NHDTC123JT-Q Series
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Description: NEXPERIA - NHDTC123JT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
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Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC123JT-Q Series
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Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 3924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 270+ | 0.93 EUR |
| 472+ | 0.49 EUR |
| 770+ | 0.27 EUR |
| 1077+ | 0.2 EUR |
| 1231+ | 0.18 EUR |
| NHDTA114ET-QR |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTA114ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA114ET-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
Description: NEXPERIA - NHDTA114ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA114ET-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
auf Bestellung 1795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 270+ | 0.93 EUR |
| 472+ | 0.49 EUR |
| 770+ | 0.27 EUR |
| 1077+ | 0.2 EUR |
| 1231+ | 0.18 EUR |
| NHDTC144ET-QR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTC144ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: NEXPERIA - NHDTC144ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 288+ | 0.87 EUR |
| 472+ | 0.49 EUR |
| 764+ | 0.29 EUR |
| 901+ | 0.24 EUR |
| 1104+ | 0.19 EUR |
| NHDTA143ZT-QR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTA143ZT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA143ZT-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
Description: NEXPERIA - NHDTA143ZT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA143ZT-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 270+ | 0.93 EUR |
| 472+ | 0.49 EUR |
| 770+ | 0.27 EUR |
| 1077+ | 0.2 EUR |
| 1231+ | 0.18 EUR |
| BZV55-B5V1,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZV55-B5V1,115 - Zener-Diode, 5.1 V, 400 mW, SOD-80C, 2 Pin(s), 200 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80C
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZV55
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
Description: NEXPERIA - BZV55-B5V1,115 - Zener-Diode, 5.1 V, 400 mW, SOD-80C, 2 Pin(s), 200 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80C
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZV55
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
auf Bestellung 107500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.12 EUR |
| 7500+ | 0.094 EUR |
| PESD27VU2BT-QR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PESD27VU2BT-QR - ESD-Schutzbaustein, 45 V, TO-236AB (SOT-23), 3 Pin(s), 27 V
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: TO-236AB (SOT-23)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 45V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 27V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: NEXPERIA - PESD27VU2BT-QR - ESD-Schutzbaustein, 45 V, TO-236AB (SOT-23), 3 Pin(s), 27 V
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: TO-236AB (SOT-23)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 45V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 27V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.64 EUR |
| 559+ | 0.42 EUR |
| 1010+ | 0.21 EUR |
| 1365+ | 0.15 EUR |
| 1563+ | 0.14 EUR |
| PESD27VL2BAT-QR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PESD27VL2BAT-QR - ESD-Schutzbaustein, 42 V, TO-236AB (SOT-23), 3 Pin(s), 27 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB (SOT-23)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 42V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 27V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: NEXPERIA - PESD27VL2BAT-QR - ESD-Schutzbaustein, 42 V, TO-236AB (SOT-23), 3 Pin(s), 27 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB (SOT-23)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 42V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 27V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 345+ | 0.73 EUR |
| 498+ | 0.46 EUR |
| 893+ | 0.24 EUR |
| 1289+ | 0.17 EUR |
| 1478+ | 0.14 EUR |
| PESD27VU2BT-QR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PESD27VU2BT-QR - ESD-Schutzbaustein, 45 V, TO-236AB (SOT-23), 3 Pin(s), 27 V
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: TO-236AB (SOT-23)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 45V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 27V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: NEXPERIA - PESD27VU2BT-QR - ESD-Schutzbaustein, 45 V, TO-236AB (SOT-23), 3 Pin(s), 27 V
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: TO-236AB (SOT-23)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 45V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 27V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 388+ | 0.64 EUR |
| 559+ | 0.42 EUR |
| 1010+ | 0.21 EUR |
| 1365+ | 0.15 EUR |
| 1563+ | 0.14 EUR |
| PESD27VL2BAT-QR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PESD27VL2BAT-QR - ESD-Schutzbaustein, 42 V, TO-236AB (SOT-23), 3 Pin(s), 27 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB (SOT-23)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 42V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 27V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: NEXPERIA - PESD27VL2BAT-QR - ESD-Schutzbaustein, 42 V, TO-236AB (SOT-23), 3 Pin(s), 27 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB (SOT-23)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 42V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 27V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.46 EUR |
| 893+ | 0.24 EUR |
| 1289+ | 0.17 EUR |
| 1478+ | 0.14 EUR |
| PESD15VS2UAT,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PESD15VS2UAT,215 - ESD-Schutzbaustein, TVS, 18 V, SOT-23, 3 Pin(s), 15 V, PESDxS2UAT Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 18V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 15V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PESDxS2UAT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: NEXPERIA - PESD15VS2UAT,215 - ESD-Schutzbaustein, TVS, 18 V, SOT-23, 3 Pin(s), 15 V, PESDxS2UAT Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 18V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 15V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PESDxS2UAT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 206+ | 1.21 EUR |
| 320+ | 0.73 EUR |
| 457+ | 0.46 EUR |
| 646+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |



















