| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MRA4007T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MRA4007T3G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MRA40 productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 309082 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
MRA4004T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MRA4004T3G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MRA40 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 21491 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
MRA4004T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MRA4004T3G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MRA40 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
MRA4003T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MRA4003T3G - Diode mit Standard-Erholzeit, 300 V, 1 A, Einfach, 1.18 V, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.18V Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MRA40 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 300V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NL17SZ04DFT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL17SZ04DFT2G - Inverter, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 17SZ Anzahl der Elemente: Eins Bauform - Logikbaustein: SOT-353 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 17SZ04 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
NL17SZ04DFT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL17SZ04DFT2G - Inverter, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 17SZ Anzahl der Elemente: Eins Bauform - Logikbaustein: SOT-353 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 17SZ04 productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
NVMFS5C423NLWFET1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C423NLWFET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.002 ohm, WFDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: WFDFN Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
MC74HCU04ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74HCU04ADR2G - Inverter, 74HC04, 1 Eingang, 5.2mA, 2V bis 6V, SOIC-14tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 74HCU Anzahl der Elemente: Sechs Bauform - Logikbaustein: NSOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC MSL: - Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74HCU04 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
NSVRB521S30T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVRB521S30T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 200 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 500 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 Durchlassstoßstrom: 1A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 500mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NSVRB521S30T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVRB521S30T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 200 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 500 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 Durchlassstoßstrom: 1A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 500mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
1N4728A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4728A - Zener-Diode, 3.3 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N47xxA productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 3.3V |
auf Bestellung 8519 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BSS123 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm |
auf Bestellung 442925 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
FDC6561AN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6561AN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.082 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 100553 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NTD3055-094T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD3055-094T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.094 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V Verlustleistung: 48W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm |
auf Bestellung 1899 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
1SMA5929BT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SMA5929BT3G - Zener-Diode, universell, 15 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 1.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1SMA5929BT3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 15V |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
FDD9407L-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD9407L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1700 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BC559CTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC559CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NTMTSC1D6N10MCTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMTSC1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 1420 µohm, DFNW, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 267A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 291W Bauform - Transistor: DFNW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NTMTSC1D6N10MCTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMTSC1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 1420 µohm, DFNW, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 267A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 291W Bauform - Transistor: DFNW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
AFGH4L60T120RWD-STD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGH4L60T120RWD-STD - IGBT, 73 A, 1.68 V, 287 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 287W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 73A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
AFGH4L60T120RW-STD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGH4L60T120RW-STD - IGBT, 73 A, 1.66 V, 289 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 289W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 73A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
AFGBP40T120SWD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGBP40T120SWD - IGBT, 80 A, 1.33 V, 681 W, 1.2 kV, BPAK, 7 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: TBA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.33V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 681W Bauform - Transistor: BPAK Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
H11AV1M | ONSEMI |
Description: ONSEMI - H11AV1M - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 6 Pin(s), 60 mA, 7.5 kV, 100 %tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 100% isCanonical: Y usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 7.5kV Durchlassstrom If, max.: 60mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Bauform - Optokoppler: DIP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 667 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm |
auf Bestellung 92018 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm |
auf Bestellung 92018 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NTGS5120PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTGS5120PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.111 ohm, TSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.111ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
MMBFJ177LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -1.5mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
MMBT2907ALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NCV4264-2CST50T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV4264-2CST50T3G - LDO-FESTSP.REGL 5V 0.1A -40 BIS 150°CtariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223 Nennausgangsspannung: 5V Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 45V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 4.5V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: 5V 100mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 100mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 270mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 270mV Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 2748 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
MBRS360T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRS360T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 740 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 80A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 740mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBRS3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 60V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
MM3Z5V6T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM3Z5V6T1G - Zener-Diode, 5.6 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MM3ZxxxT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.6V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
MC14007UBDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC14007UBDR2G - Inverter, MC14007, 1 Eingang, 3V bis 18V, NSOIC-14tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Bauform - Logikbaustein: NSOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 3V Logiktyp: Komplementärpaar plus Inverter euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 18V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1757 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NVMFS5830NLWFT1G-UM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5830NLWFT1G-UM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 185 A, 0.0023 ohm, WFDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: WFDFN Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
FSUSB42MUX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSUSB42MUX - USB-Schnittstelle, UART, High-Speed-DPDT-USB-Switch, USB 2.0, 2.4 V, 4.4 V, MSOP, 10 Pin(s)tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES USB-Version: USB 2.0 Einschaltwiderstand, max.: 4.5ohm Versorgungsspannung: 2.2V bis 4.4V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: MSOP MSL: - Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse Schalterkonfiguration: DPDT SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) USB-IC: High-Speed-DPDT-USB-Switch Anzahl der Pins: 10Pin(s) Übertragungsrate: 480Mbps Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 4.4V Betriebstemperatur, max.: 85°C Durchlasswiderstand, max.: 4.5ohm |
auf Bestellung 23166 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
ESD8008MUTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD8008MUTAG - ESD-Schutzbaustein, 8.1 V, UDFN, 14 Pin(s), 3.3 VtariffCode: 85363010 Bauform - Diode: UDFN rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 8.1V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 3.3V Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
BCW72LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW72LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NCP361SNT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP361SNT1G - Positiver Überspannungsschutz-Controller, USB, interner PMOS-FET, 1.2V bis 20V Versorgung, TSOP-5tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Anzahl der Zellen: - IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Abschaltstrom: 750mA MSL: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.2V Batterie-/Akkutyp: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Batterie-/Akkuschutz: Überstrom, Überspannung productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Betriebstemperatur, max.: 85°C |
auf Bestellung 8099 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
MBRS540T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRS540T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 5 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 190A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 500mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBRS5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NDS351AN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS351AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 179119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
MMBT3904LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 24252 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NCP1117ST33T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1117ST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 3.5V bis 20V, 1.07V Dropout, 3.3Vout, 1Aout, SOT-223-3tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223 Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Eingangsspannung, max.: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 1A Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 3.5V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 3.3V 1A LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 1A usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.07V Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.07V Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 202955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NCS20072DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS20072DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 2.4V/µs Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SOIC Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 1.3mV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 2.4V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsruhestrom: 5pA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 3MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker |
auf Bestellung 4772 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NSR0170P2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSR0170P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 730 mV, 70 mA, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-923 Durchlassstoßstrom: 70mA euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 730mV Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 70V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BZX84C15LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C15LT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84CxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 15V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
BC547B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC547B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 104891 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
ES1D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 15ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1D productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
DF04S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DF04S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 1.5 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 50A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: SDIP Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: DF04S productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3871 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BC857CLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC857CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 23520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
ES3B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES3B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 100 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 100A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 20ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES3B productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
1SMA5927BT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SMA5927BT3G - Zener-Diode, Produktreihe 1SMA59xxB, 12 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1SMA5927BT3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 12V SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
ES1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES1G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 35 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 35ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 15264 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
ES1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES1G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 35 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 35ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 15264 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
SMMSD701T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMMSD701T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 70 V, 200 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 1 VtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1V usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 70V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2595 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
MM3Z5V6ST1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM3Z5V6ST1G - Zener-Diode, 5.6 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MM3Z5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.6V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NCP1117DT33RKG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1117DT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 10V bis 20V, 1.07V Dropout, 3.3Vout, 1Aout, TO-252-3tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK) Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Eingangsspannung, max.: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 10V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 3.3V 1A LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 1A usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.07V Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.07V Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 5940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
SMBJ26A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMBJ26A - TVS-Diode, SMBJ, Unidirektional, 26 V, 42.1 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Durchbruchspannung, min.: 28.9V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 31.9V isCanonical: Y Sperrspannung: 26V Spitzenimpulsverlustleistung: 600W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SMBJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 42.1V |
auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
SMBJ26A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMBJ26A - TVS-Diode, SMBJ, Unidirektional, 26 V, 42.1 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Durchbruchspannung, min.: 28.9V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 31.9V isCanonical: N Sperrspannung: 26V Spitzenimpulsverlustleistung: 600W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SMBJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 42.1V |
auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
S1B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S1B - Diode mit Standard-Erholzeit, universell, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 1.8µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S1B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NVMFS1D5N08X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS1D5N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 253 A, 1430 µohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 253A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V Verlustleistung: 194W Anzahl der Pins: 5Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm |
auf Bestellung 1370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
NVTFWS1D3N04XMTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFWS1D3N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 178 A, 1430 µohm, WDFNW, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 178A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 83W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WDFNW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| MRA4007T3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MRA4007T3G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MRA40
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - MRA4007T3G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MRA40
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 309082 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 468+ | 0.54 EUR |
| 944+ | 0.25 EUR |
| 1141+ | 0.19 EUR |
| 1433+ | 0.15 EUR |
| 3000+ | 0.14 EUR |
| MRA4004T3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MRA4004T3G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MRA40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - MRA4004T3G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MRA40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 21491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 350+ | 0.71 EUR |
| 747+ | 0.31 EUR |
| 870+ | 0.25 EUR |
| 1433+ | 0.15 EUR |
| 3000+ | 0.14 EUR |
| MRA4004T3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MRA4004T3G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MRA40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - MRA4004T3G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MRA40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 0.13 EUR |
| MRA4003T3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MRA4003T3G - Diode mit Standard-Erholzeit, 300 V, 1 A, Einfach, 1.18 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.18V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MRA40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 300V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - MRA4003T3G - Diode mit Standard-Erholzeit, 300 V, 1 A, Einfach, 1.18 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.18V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MRA40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 300V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 0.12 EUR |
| 15000+ | 0.1 EUR |
| NL17SZ04DFT2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ04DFT2G - Inverter, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 17SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 17SZ04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NL17SZ04DFT2G - Inverter, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 17SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 17SZ04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NL17SZ04DFT2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ04DFT2G - Inverter, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 17SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 17SZ04
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NL17SZ04DFT2G - Inverter, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 17SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 17SZ04
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NVMFS5C423NLWFET1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C423NLWFET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.002 ohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NVMFS5C423NLWFET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.002 ohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 45+ | 5.62 EUR |
| 66+ | 3.55 EUR |
| 100+ | 2.51 EUR |
| 500+ | 2.13 EUR |
| 1000+ | 1.95 EUR |
| MC74HCU04ADR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HCU04ADR2G - Inverter, 74HC04, 1 Eingang, 5.2mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HCU
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HCU04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - MC74HCU04ADR2G - Inverter, 74HC04, 1 Eingang, 5.2mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HCU
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HCU04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NSVRB521S30T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVRB521S30T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 200 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NSVRB521S30T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 200 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 421+ | 0.6 EUR |
| 695+ | 0.33 EUR |
| 788+ | 0.27 EUR |
| 1052+ | 0.2 EUR |
| NSVRB521S30T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVRB521S30T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 200 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NSVRB521S30T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 200 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 421+ | 0.6 EUR |
| 695+ | 0.33 EUR |
| 788+ | 0.27 EUR |
| 1052+ | 0.2 EUR |
| 1N4728A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4728A - Zener-Diode, 3.3 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
Description: ONSEMI - 1N4728A - Zener-Diode, 3.3 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
auf Bestellung 8519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 439+ | 0.57 EUR |
| 720+ | 0.32 EUR |
| 1167+ | 0.18 EUR |
| 1561+ | 0.14 EUR |
| 1783+ | 0.12 EUR |
| BSS123 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 442925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 316+ | 0.8 EUR |
| 752+ | 0.31 EUR |
| 863+ | 0.25 EUR |
| 1017+ | 0.21 EUR |
| 1500+ | 0.18 EUR |
| FDC6561AN |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6561AN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.082 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDC6561AN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.082 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 100553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 123+ | 2.05 EUR |
| 202+ | 1.15 EUR |
| 336+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1500+ | 0.45 EUR |
| NTD3055-094T4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD3055-094T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.094 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
Description: ONSEMI - NTD3055-094T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.094 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
auf Bestellung 1899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.15 EUR |
| 127+ | 1.83 EUR |
| 191+ | 1.12 EUR |
| 500+ | 0.88 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |
| 1SMA5929BT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMA5929BT3G - Zener-Diode, universell, 15 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5929BT3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
Description: ONSEMI - 1SMA5929BT3G - Zener-Diode, universell, 15 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5929BT3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 0.23 EUR |
| FDD9407L-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD9407L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDD9407L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 2.39 EUR |
| 7500+ | 2.18 EUR |
| BC559CTA |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC559CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC559CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.13 EUR |
| NTMTSC1D6N10MCTXG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMTSC1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 1420 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTMTSC1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 1420 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 15.29 EUR |
| 21+ | 11.35 EUR |
| 100+ | 8.48 EUR |
| 500+ | 7.31 EUR |
| 1000+ | 6.47 EUR |
| NTMTSC1D6N10MCTXG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMTSC1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 1420 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTMTSC1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 1420 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 15.29 EUR |
| 21+ | 11.35 EUR |
| 100+ | 8.48 EUR |
| 500+ | 7.31 EUR |
| 1000+ | 6.47 EUR |
| AFGH4L60T120RWD-STD |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGH4L60T120RWD-STD - IGBT, 73 A, 1.68 V, 287 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 287W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 73A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - AFGH4L60T120RWD-STD - IGBT, 73 A, 1.68 V, 287 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 287W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 73A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 22.84 EUR |
| 13+ | 17.98 EUR |
| 16+ | 13.63 EUR |
| 50+ | 12.61 EUR |
| 100+ | 11.59 EUR |
| 250+ | 10.58 EUR |
| AFGH4L60T120RW-STD |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGH4L60T120RW-STD - IGBT, 73 A, 1.66 V, 289 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 289W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 73A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - AFGH4L60T120RW-STD - IGBT, 73 A, 1.66 V, 289 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 289W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 73A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 20.19 EUR |
| 15+ | 15.83 EUR |
| 19+ | 11.89 EUR |
| 50+ | 10.9 EUR |
| 100+ | 9.91 EUR |
| 250+ | 8.94 EUR |
| AFGBP40T120SWD |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGBP40T120SWD - IGBT, 80 A, 1.33 V, 681 W, 1.2 kV, BPAK, 7 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.33V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 681W
Bauform - Transistor: BPAK
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - AFGBP40T120SWD - IGBT, 80 A, 1.33 V, 681 W, 1.2 kV, BPAK, 7 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.33V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 681W
Bauform - Transistor: BPAK
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 17.7 EUR |
| 17+ | 13.9 EUR |
| 21+ | 10.5 EUR |
| 50+ | 9.66 EUR |
| 100+ | 8.84 EUR |
| 250+ | 8.01 EUR |
| H11AV1M |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - H11AV1M - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 6 Pin(s), 60 mA, 7.5 kV, 100 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 7.5kV
Durchlassstrom If, max.: 60mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - H11AV1M - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 6 Pin(s), 60 mA, 7.5 kV, 100 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 7.5kV
Durchlassstrom If, max.: 60mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 162+ | 1.55 EUR |
| 268+ | 0.87 EUR |
| 276+ | 0.77 EUR |
| 284+ | 0.76 EUR |
| 293+ | 0.74 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| BSS123LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 92018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 374+ | 0.67 EUR |
| 800+ | 0.29 EUR |
| 981+ | 0.21 EUR |
| 1332+ | 0.17 EUR |
| 1500+ | 0.14 EUR |
| BSS123LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 92018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.67 EUR |
| 800+ | 0.29 EUR |
| 981+ | 0.21 EUR |
| 1332+ | 0.17 EUR |
| 1500+ | 0.14 EUR |
| NTGS5120PT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGS5120PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.111 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.111ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTGS5120PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.111 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.111ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 159+ | 1.57 EUR |
| 264+ | 0.88 EUR |
| 359+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1500+ | 0.4 EUR |
| MMBFJ177LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -1.5mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -1.5mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MMBT2907ALT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3206+ | 0.079 EUR |
| 9000+ | 0.062 EUR |
| NCV4264-2CST50T3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV4264-2CST50T3G - LDO-FESTSP.REGL 5V 0.1A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 5V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 5V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 270mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 270mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCV4264-2CST50T3G - LDO-FESTSP.REGL 5V 0.1A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 5V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 5V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 270mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 270mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 2748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.73 EUR |
| 127+ | 1.83 EUR |
| 141+ | 1.54 EUR |
| 159+ | 1.36 EUR |
| 250+ | 1.27 EUR |
| 500+ | 1.21 EUR |
| 1000+ | 1.18 EUR |
| 2500+ | 1.15 EUR |
| MBRS360T3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRS360T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 740 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 80A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 740mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRS3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - MBRS360T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 740 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 80A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 740mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRS3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.39 EUR |
| MM3Z5V6T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z5V6T1G - Zener-Diode, 5.6 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MM3Z5V6T1G - Zener-Diode, 5.6 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5525+ | 0.045 EUR |
| 9000+ | 0.042 EUR |
| MC14007UBDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC14007UBDR2G - Inverter, MC14007, 1 Eingang, 3V bis 18V, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Logiktyp: Komplementärpaar plus Inverter
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MC14007UBDR2G - Inverter, MC14007, 1 Eingang, 3V bis 18V, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Logiktyp: Komplementärpaar plus Inverter
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 291+ | 0.86 EUR |
| 412+ | 0.56 EUR |
| 519+ | 0.42 EUR |
| 585+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| NVMFS5830NLWFT1G-UM |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5830NLWFT1G-UM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 185 A, 0.0023 ohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NVMFS5830NLWFT1G-UM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 185 A, 0.0023 ohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 36+ | 7.04 EUR |
| 55+ | 4.22 EUR |
| 100+ | 2.89 EUR |
| 500+ | 2.42 EUR |
| 1000+ | 2.09 EUR |
| FSUSB42MUX |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSUSB42MUX - USB-Schnittstelle, UART, High-Speed-DPDT-USB-Switch, USB 2.0, 2.4 V, 4.4 V, MSOP, 10 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
Einschaltwiderstand, max.: 4.5ohm
Versorgungsspannung: 2.2V bis 4.4V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse
Schalterkonfiguration: DPDT
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
USB-IC: High-Speed-DPDT-USB-Switch
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 4.4V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlasswiderstand, max.: 4.5ohm
Description: ONSEMI - FSUSB42MUX - USB-Schnittstelle, UART, High-Speed-DPDT-USB-Switch, USB 2.0, 2.4 V, 4.4 V, MSOP, 10 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
Einschaltwiderstand, max.: 4.5ohm
Versorgungsspannung: 2.2V bis 4.4V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse
Schalterkonfiguration: DPDT
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
USB-IC: High-Speed-DPDT-USB-Switch
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 4.4V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlasswiderstand, max.: 4.5ohm
auf Bestellung 23166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 146+ | 1.71 EUR |
| 236+ | 0.99 EUR |
| 278+ | 0.77 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| 2000+ | 0.68 EUR |
| ESD8008MUTAG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD8008MUTAG - ESD-Schutzbaustein, 8.1 V, UDFN, 14 Pin(s), 3.3 V
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: UDFN
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 8.1V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - ESD8008MUTAG - ESD-Schutzbaustein, 8.1 V, UDFN, 14 Pin(s), 3.3 V
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: UDFN
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 8.1V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BCW72LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW72LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BCW72LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3611+ | 0.069 EUR |
| 9000+ | 0.046 EUR |
| NCP361SNT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP361SNT1G - Positiver Überspannungsschutz-Controller, USB, interner PMOS-FET, 1.2V bis 20V Versorgung, TSOP-5
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Anzahl der Zellen: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Abschaltstrom: 750mA
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
Batterie-/Akkutyp: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Batterie-/Akkuschutz: Überstrom, Überspannung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ONSEMI - NCP361SNT1G - Positiver Überspannungsschutz-Controller, USB, interner PMOS-FET, 1.2V bis 20V Versorgung, TSOP-5
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Anzahl der Zellen: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Abschaltstrom: 750mA
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
Batterie-/Akkutyp: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Batterie-/Akkuschutz: Überstrom, Überspannung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 8099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 146+ | 1.73 EUR |
| 296+ | 0.79 EUR |
| 396+ | 0.55 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
| MBRS540T3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRS540T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 5 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 190A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRS5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MBRS540T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 5 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 190A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRS5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.74 EUR |
| 7500+ | 0.56 EUR |
| NDS351AN |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS351AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NDS351AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 179119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 228+ | 1.09 EUR |
| 316+ | 0.74 EUR |
| 355+ | 0.61 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1500+ | 0.42 EUR |
| MMBT3904LT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 24252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 375+ | 0.67 EUR |
| 863+ | 0.27 EUR |
| 1606+ | 0.13 EUR |
| 2809+ | 0.076 EUR |
| 5000+ | 0.055 EUR |
| NCP1117ST33T3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1117ST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 3.5V bis 20V, 1.07V Dropout, 3.3Vout, 1Aout, SOT-223-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 1A
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 1A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.07V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.07V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCP1117ST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 3.5V bis 20V, 1.07V Dropout, 3.3Vout, 1Aout, SOT-223-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 1A
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 1A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.07V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.07V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 202955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 1.25 EUR |
| 320+ | 0.73 EUR |
| 405+ | 0.52 EUR |
| 1000+ | 0.5 EUR |
| NCS20072DR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20072DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 2.4V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 3MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
Description: ONSEMI - NCS20072DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 2.4V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 3MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
auf Bestellung 4772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 191+ | 1.31 EUR |
| 269+ | 0.87 EUR |
| 343+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.55 EUR |
| 1000+ | 0.54 EUR |
| NSR0170P2T5G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0170P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 730 mV, 70 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: 70mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 730mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NSR0170P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 730 mV, 70 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: 70mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 730mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8000+ | 0.1 EUR |
| BZX84C15LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C15LT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
Description: ONSEMI - BZX84C15LT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BC547B |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC547B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC547B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 104891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 265+ | 0.94 EUR |
| 356+ | 0.65 EUR |
| 614+ | 0.35 EUR |
| 910+ | 0.24 EUR |
| 1200+ | 0.18 EUR |
| 5000+ | 0.13 EUR |
| ES1D |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 15ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - ES1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 15ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7500+ | 0.18 EUR |
| DF04S |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF04S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 1.5 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DF04S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - DF04S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 1.5 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DF04S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 110+ | 2.28 EUR |
| 193+ | 1.2 EUR |
| 226+ | 0.95 EUR |
| 272+ | 0.79 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| BC857CLT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC857CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 23520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 971+ | 0.26 EUR |
| 1950+ | 0.12 EUR |
| 2552+ | 0.084 EUR |
| 3301+ | 0.065 EUR |
| 3862+ | 0.056 EUR |
| ES3B |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES3B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES3B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - ES3B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES3B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.45 EUR |
| 1SMA5927BT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMA5927BT3G - Zener-Diode, Produktreihe 1SMA59xxB, 12 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5927BT3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 1SMA5927BT3G - Zener-Diode, Produktreihe 1SMA59xxB, 12 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5927BT3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 0.21 EUR |
| ES1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - ES1G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 320+ | 0.79 EUR |
| 470+ | 0.5 EUR |
| 589+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
| 3000+ | 0.19 EUR |
| ES1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - ES1G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 320+ | 0.79 EUR |
| 470+ | 0.5 EUR |
| 589+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
| 3000+ | 0.19 EUR |
| SMMSD701T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMSD701T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 70 V, 200 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - SMMSD701T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 70 V, 200 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 262+ | 0.95 EUR |
| 396+ | 0.58 EUR |
| 827+ | 0.26 EUR |
| 1103+ | 0.19 EUR |
| 1262+ | 0.17 EUR |
| MM3Z5V6ST1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z5V6ST1G - Zener-Diode, 5.6 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MM3Z5V6ST1G - Zener-Diode, 5.6 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1026+ | 0.24 EUR |
| NCP1117DT33RKG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1117DT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 10V bis 20V, 1.07V Dropout, 3.3Vout, 1Aout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 1A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.07V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.07V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCP1117DT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 10V bis 20V, 1.07V Dropout, 3.3Vout, 1Aout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 1A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.07V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.07V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 5940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 216+ | 1.17 EUR |
| 307+ | 0.76 EUR |
| 394+ | 0.55 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.46 EUR |
| 2500+ | 0.43 EUR |
| 5000+ | 0.4 EUR |
| SMBJ26A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMBJ26A - TVS-Diode, SMBJ, Unidirektional, 26 V, 42.1 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Durchbruchspannung, min.: 28.9V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 31.9V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 26V
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 42.1V
Description: ONSEMI - SMBJ26A - TVS-Diode, SMBJ, Unidirektional, 26 V, 42.1 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Durchbruchspannung, min.: 28.9V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 31.9V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 26V
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 42.1V
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SMBJ26A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMBJ26A - TVS-Diode, SMBJ, Unidirektional, 26 V, 42.1 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Durchbruchspannung, min.: 28.9V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 31.9V
isCanonical: N
Sperrspannung: 26V
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 42.1V
Description: ONSEMI - SMBJ26A - TVS-Diode, SMBJ, Unidirektional, 26 V, 42.1 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Durchbruchspannung, min.: 28.9V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 31.9V
isCanonical: N
Sperrspannung: 26V
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 42.1V
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| S1B |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - S1B - Diode mit Standard-Erholzeit, universell, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1.8µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - S1B - Diode mit Standard-Erholzeit, universell, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1.8µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7500+ | 0.095 EUR |
| NVMFS1D5N08X |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS1D5N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 253 A, 1430 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 194W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
Description: ONSEMI - NVMFS1D5N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 253 A, 1430 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 194W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.99 EUR |
| 500+ | 3.53 EUR |
| 1000+ | 3.37 EUR |
| NVTFWS1D3N04XMTAG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFWS1D3N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 178 A, 1430 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 178A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
Description: ONSEMI - NVTFWS1D3N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 178 A, 1430 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 178A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 46+ | 5.45 EUR |
| 72+ | 3.25 EUR |
| 104+ | 2.06 EUR |
| 500+ | 1.64 EUR |
| 1000+ | 1.52 EUR |




































