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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SPW35N60C3 SPW35N60C3
Produktcode: 48611
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Infineon Infineon-SPW35N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 01.06.1934
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/150
JHGF: THT
auf Bestellung 39 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
5N60 to-220/f AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
5N60 AAT TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
5N6001
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
5N60C FAIRCHILD
auf Bestellung 88800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AL02BT5N602 AL02BT5N602 Viking pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A0AB276832BC6A50&compId=VIKING-AL.pdf?ci_sign=4bbe8efd2d48d8a3023572f764f25b97fbd19c5b Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Resistance: 0.7Ω
Q factor: 16
Test frequency: 500MHz
Case - inch: 0402
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Tolerance: ±0,1nH
Type of inductor: thin film
Inductance: 5.6nH
Operating current: 0.31A
auf Bestellung 3204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AL02BT5N602 AL02BT5N602 Viking pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A0AB276832BC6A50&compId=VIKING-AL.pdf?ci_sign=4bbe8efd2d48d8a3023572f764f25b97fbd19c5b Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Resistance: 0.7Ω
Q factor: 16
Test frequency: 500MHz
Case - inch: 0402
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Tolerance: ±0,1nH
Type of inductor: thin film
Inductance: 5.6nH
Operating current: 0.31A
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3300+0.021 EUR
10000+0.0074 EUR
Mindestbestellmenge: 3300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD5N60TM Fairchild fcu5n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD5N60TM-WS FCD5N60TM-WS onsemi / Fairchild 78BD37067FDA76D827A3F70E88F34F49EEA2DDF2EE0643608F6CB65E3D997E49.pdf MOSFETs 600V 4.6A N-Channel
auf Bestellung 2128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.65 EUR
10+1.61 EUR
100+1.47 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.2 EUR
2500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP125N60E FCP125N60E onsemi / Fairchild FCP125N60E-D.pdf MOSFETs 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.38 EUR
10+4.54 EUR
800+4.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP165N60E FCP165N60E onsemi / Fairchild FCP165N60E-D.pdf MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
auf Bestellung 3528 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.52 EUR
10+3.29 EUR
100+3.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+1.4 EUR
58+1.24 EUR
63+1.14 EUR
92+0.78 EUR
98+0.74 EUR
250+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2413 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
58+1.24 EUR
63+1.14 EUR
92+0.78 EUR
98+0.74 EUR
250+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N60CTM FQD5N60CTM onsemi / Fairchild EA631C794A20CCEB64A5A58CC3983F1B431832CB107985D613A993FDB0EF8063.pdf MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
auf Bestellung 24593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.39 EUR
10+1.16 EUR
100+0.96 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.73 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP5N60C Fairchild FAIRS46444-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqpf5n60c-d.pdf N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31032C72A4FA8&compId=IGB15N60T-DTE.pdf?ci_sign=c8a1ee71983920d8fe021504e43002c04a833b4b Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 882 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.29 EUR
37+1.96 EUR
41+1.77 EUR
50+1.44 EUR
53+1.36 EUR
100+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31032C72A4FA8&compId=IGB15N60T-DTE.pdf?ci_sign=c8a1ee71983920d8fe021504e43002c04a833b4b Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 882 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.29 EUR
37+1.96 EUR
41+1.77 EUR
50+1.44 EUR
53+1.36 EUR
100+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGB15N60T_DataSheet_v02_06_EN-3361594.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
auf Bestellung 1512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.99 EUR
10+1.92 EUR
100+1.29 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.83 EUR
5000+0.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP15N60TXKSA1 IGP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31AA1D1190FA8&compId=IGP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=b502c581e8e6900b8d531fa069e2da1bfc4e2779 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.45 EUR
54+1.34 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW75N60H3 IGW75N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGW75N60H3_DS_v01_02_en-3359989.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.33 EUR
10+7.15 EUR
100+5.79 EUR
480+5.14 EUR
1200+4.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B382A1450FCFA8&compId=IGW75N60T-DTE.pdf?ci_sign=e3398a93286a8c04f59275ea1e9fc67ac59b1506 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.59 EUR
18+4.09 EUR
19+3.86 EUR
30+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW75N60TFKSA1 Infineon IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW75N60TFKSA1 Infineon IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB15N60T IKB15N60T Infineon Technologies Infineon_IKB15N60T_DataSheet_v02_08_EN-3362047.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 15A
auf Bestellung 1898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.71 EUR
10+2.36 EUR
100+1.64 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.2 EUR
2000+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD41F72CB29820&compId=IKB15N60T.pdf?ci_sign=9b743b6df9c5530ebc7f8eee8c1770ec9a429f91 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.13 EUR
27+2.66 EUR
28+2.62 EUR
30+2.39 EUR
31+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD41F72CB29820&compId=IKB15N60T.pdf?ci_sign=9b743b6df9c5530ebc7f8eee8c1770ec9a429f91 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.13 EUR
27+2.66 EUR
28+2.62 EUR
30+2.39 EUR
31+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF1E34C9ED820&compId=IKD15N60R.pdf?ci_sign=edf8c9498bddcc0bab7c28dab797b14b4d8a5a23 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
auf Bestellung 1956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.56 EUR
36+2.03 EUR
41+1.77 EUR
47+1.54 EUR
50+1.46 EUR
52+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF1E34C9ED820&compId=IKD15N60R.pdf?ci_sign=edf8c9498bddcc0bab7c28dab797b14b4d8a5a23 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1956 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.56 EUR
36+2.03 EUR
41+1.77 EUR
47+1.54 EUR
50+1.46 EUR
52+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD15N60RC2ATMA1 IKD15N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD15N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362088.pdf IGBTs 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
auf Bestellung 1789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.99 EUR
10+1.37 EUR
100+1.02 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW75N60ETXKSA1 IKFW75N60ETXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW75N60ET_DS_v02_01_EN-1369189.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.17 EUR
10+11.51 EUR
100+9.57 EUR
480+8.54 EUR
1200+7.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AAA8A5633DFAB1CC&compId=IKP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=042facda16ad84d72f77461b1b1d79ca587b8db6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.59 EUR
36+2.02 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
100+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AAA8A5633DFAB1CC&compId=IKP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=042facda16ad84d72f77461b1b1d79ca587b8db6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.59 EUR
36+2.02 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
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IKP15N60TXKSA1 Infineon IKP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bcf657e035a0 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
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IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAE85A51BBA3C0C4&compId=IKW75N60H3FKSA1.pdf?ci_sign=26e674065a5fc9a3c806e501745195e426f3ee35 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
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IKW75N60T Infineon description Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
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IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C8468413D2A259&compId=IKW75N60T.pdf?ci_sign=315235c5e21e2cdac3828b7fd0114f31bfa659fe Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
auf Bestellung 24 Stücke:
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IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C8468413D2A259&compId=IKW75N60T.pdf?ci_sign=315235c5e21e2cdac3828b7fd0114f31bfa659fe Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N60TFKSA1 Infineon IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
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IXKN75N60C IXKN75N60C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Technology: CoolMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 500nC
Reverse recovery time: 580ns
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+77.05 EUR
3+74.83 EUR
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IXKN75N60C IXKN75N60C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Technology: CoolMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 500nC
Reverse recovery time: 580ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHL185N60S5H NTHL185N60S5H onsemi NTHL185N60S5H-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 15 A, 185 mohm, TO-247
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NTP185N60S5H NTP185N60S5H onsemi NTP185N60S5H-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 15 A, 185 mohm, TO-220
auf Bestellung 808 Stücke:
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1+6.37 EUR
10+4.29 EUR
100+2.89 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.38 EUR
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SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 VISHAY siha15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.43 EUR
24+3.06 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
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SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 VISHAY siha15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
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Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.43 EUR
24+3.06 EUR
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SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 Vishay / Siliconix siha15n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 694 Stücke:
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SIHA25N60EFL-GE3 SIHA25N60EFL-GE3 Vishay / Siliconix siha25n60efl.pdf MOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET
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SIHB065N60E-GE3 SIHB065N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb065n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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1000+5.47 EUR
2000+5.4 EUR
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SIHB105N60EF-GE3 SIHB105N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihb105n60ef.pdf MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
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10+3.19 EUR
100+3.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB125N60EF-GE3 SIHB125N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihb125n60ef.pdf MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET
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100+3.26 EUR
500+3.15 EUR
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SIHB35N60E-GE3 SIHB35N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb35n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 913 Stücke:
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1+9.75 EUR
10+7.18 EUR
100+6.34 EUR
500+5.63 EUR
1000+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF065N60E-GE3 SIHF065N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihf065n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220
auf Bestellung 1247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.4 EUR
10+5.86 EUR
2000+5.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N60E-GE3 SIHF15N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihf15n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.42 EUR
10+3.04 EUR
100+2.87 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.25 EUR
2000+2.18 EUR
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SIHF35N60EF-GE3 SIHF35N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihf35n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.54 EUR
10+7.73 EUR
100+6.25 EUR
500+5.56 EUR
1000+4.75 EUR
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SIHG065N60E-GE3 SIHG065N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg065n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 2070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.13 EUR
10+6.71 EUR
100+5.79 EUR
500+5.7 EUR
2500+5.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG105N60EF-GE3 SIHG105N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg105n60ef.pdf MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
auf Bestellung 2656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.12 EUR
10+4.72 EUR
100+3.96 EUR
500+3.8 EUR
1000+3.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG125N60EF-GE3 SIHG125N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihg125n60ef.pdf MOSFETs TO247 600V 25A N-CH MOSFET
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.83 EUR
10+4.72 EUR
100+4.49 EUR
500+4.33 EUR
1000+4.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 VISHAY sihg15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.72 EUR
17+4.23 EUR
23+3.25 EUR
24+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 VISHAY sihg15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.72 EUR
17+4.23 EUR
23+3.25 EUR
24+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihg15n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 1049 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.69 EUR
10+4.38 EUR
100+3.29 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG25N60EFL-GE3 SIHG25N60EFL-GE3 Vishay / Siliconix sihg25n60efl.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.24 EUR
10+6.35 EUR
100+5.14 EUR
500+4.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW35N60C3
Produktcode: 48611
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Infineon-SPW35N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f
SPW35N60C3
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 01.06.1934
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/150
JHGF: THT
auf Bestellung 39 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
5N60
Hersteller: to-220/f
AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
5N60 AAT
TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
5N6001
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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5N60C
Hersteller: FAIRCHILD
auf Bestellung 88800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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AL02BT5N602 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A0AB276832BC6A50&compId=VIKING-AL.pdf?ci_sign=4bbe8efd2d48d8a3023572f764f25b97fbd19c5b
AL02BT5N602
Hersteller: Viking
Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Resistance: 0.7Ω
Q factor: 16
Test frequency: 500MHz
Case - inch: 0402
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Tolerance: ±0,1nH
Type of inductor: thin film
Inductance: 5.6nH
Operating current: 0.31A
auf Bestellung 3204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AL02BT5N602 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A0AB276832BC6A50&compId=VIKING-AL.pdf?ci_sign=4bbe8efd2d48d8a3023572f764f25b97fbd19c5b
AL02BT5N602
Hersteller: Viking
Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Resistance: 0.7Ω
Q factor: 16
Test frequency: 500MHz
Case - inch: 0402
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Tolerance: ±0,1nH
Type of inductor: thin film
Inductance: 5.6nH
Operating current: 0.31A
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3300+0.021 EUR
10000+0.0074 EUR
Mindestbestellmenge: 3300
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FCD5N60TM fcu5n60-d.pdf
Hersteller: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD5N60TM-WS 78BD37067FDA76D827A3F70E88F34F49EEA2DDF2EE0643608F6CB65E3D997E49.pdf
FCD5N60TM-WS
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 4.6A N-Channel
auf Bestellung 2128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.65 EUR
10+1.61 EUR
100+1.47 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.2 EUR
2500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP125N60E FCP125N60E-D.pdf
FCP125N60E
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
auf Bestellung 330 Stücke:
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1+8.38 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP165N60E FCP165N60E-D.pdf
FCP165N60E
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
auf Bestellung 3528 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2413 Stücke:
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Anzahl Preis
52+1.4 EUR
58+1.24 EUR
63+1.14 EUR
92+0.78 EUR
98+0.74 EUR
250+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2413 Stücke:
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Anzahl Preis
52+1.4 EUR
58+1.24 EUR
63+1.14 EUR
92+0.78 EUR
98+0.74 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N60CTM EA631C794A20CCEB64A5A58CC3983F1B431832CB107985D613A993FDB0EF8063.pdf
FQD5N60CTM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
auf Bestellung 24593 Stücke:
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3+1.39 EUR
10+1.16 EUR
100+0.96 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.73 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP5N60C FAIRS46444-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqpf5n60c-d.pdf
Hersteller: Fairchild
N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31032C72A4FA8&compId=IGB15N60T-DTE.pdf?ci_sign=c8a1ee71983920d8fe021504e43002c04a833b4b
IGB15N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 882 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.29 EUR
37+1.96 EUR
41+1.77 EUR
50+1.44 EUR
53+1.36 EUR
100+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31032C72A4FA8&compId=IGB15N60T-DTE.pdf?ci_sign=c8a1ee71983920d8fe021504e43002c04a833b4b
IGB15N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 882 Stücke:
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Anzahl Preis
32+2.29 EUR
37+1.96 EUR
41+1.77 EUR
50+1.44 EUR
53+1.36 EUR
100+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N60TATMA1 Infineon_IGB15N60T_DataSheet_v02_06_EN-3361594.pdf
IGB15N60TATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
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1+2.99 EUR
10+1.92 EUR
100+1.29 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.83 EUR
5000+0.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP15N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31AA1D1190FA8&compId=IGP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=b502c581e8e6900b8d531fa069e2da1bfc4e2779
IGP15N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 75 Stücke:
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Anzahl Preis
30+2.45 EUR
54+1.34 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW75N60H3 Infineon_IGW75N60H3_DS_v01_02_en-3359989.pdf
IGW75N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
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Anzahl Preis
1+9.33 EUR
10+7.15 EUR
100+5.79 EUR
480+5.14 EUR
1200+4.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW75N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B382A1450FCFA8&compId=IGW75N60T-DTE.pdf?ci_sign=e3398a93286a8c04f59275ea1e9fc67ac59b1506
IGW75N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 168 Stücke:
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Anzahl Preis
13+5.59 EUR
18+4.09 EUR
19+3.86 EUR
30+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB15N60T Infineon_IKB15N60T_DataSheet_v02_08_EN-3362047.pdf
IKB15N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 15A
auf Bestellung 1898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.71 EUR
10+2.36 EUR
100+1.64 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.2 EUR
2000+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB15N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD41F72CB29820&compId=IKB15N60T.pdf?ci_sign=9b743b6df9c5530ebc7f8eee8c1770ec9a429f91
IKB15N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.13 EUR
27+2.66 EUR
28+2.62 EUR
30+2.39 EUR
31+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB15N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD41F72CB29820&compId=IKB15N60T.pdf?ci_sign=9b743b6df9c5530ebc7f8eee8c1770ec9a429f91
IKB15N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.13 EUR
27+2.66 EUR
28+2.62 EUR
30+2.39 EUR
31+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD15N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF1E34C9ED820&compId=IKD15N60R.pdf?ci_sign=edf8c9498bddcc0bab7c28dab797b14b4d8a5a23
IKD15N60RATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
auf Bestellung 1956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.56 EUR
36+2.03 EUR
41+1.77 EUR
47+1.54 EUR
50+1.46 EUR
52+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD15N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF1E34C9ED820&compId=IKD15N60R.pdf?ci_sign=edf8c9498bddcc0bab7c28dab797b14b4d8a5a23
IKD15N60RATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1956 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.56 EUR
36+2.03 EUR
41+1.77 EUR
47+1.54 EUR
50+1.46 EUR
52+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD15N60RC2ATMA1 Infineon_IKD15N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362088.pdf
IKD15N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
auf Bestellung 1789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.99 EUR
10+1.37 EUR
100+1.02 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW75N60ETXKSA1 Infineon_IKFW75N60ET_DS_v02_01_EN-1369189.pdf
IKFW75N60ETXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.17 EUR
10+11.51 EUR
100+9.57 EUR
480+8.54 EUR
1200+7.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP15N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AAA8A5633DFAB1CC&compId=IKP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=042facda16ad84d72f77461b1b1d79ca587b8db6
IKP15N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.59 EUR
36+2.02 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
100+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP15N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AAA8A5633DFAB1CC&compId=IKP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=042facda16ad84d72f77461b1b1d79ca587b8db6
IKP15N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.59 EUR
36+2.02 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
100+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bcf657e035a0
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAE85A51BBA3C0C4&compId=IKW75N60H3FKSA1.pdf?ci_sign=26e674065a5fc9a3c806e501745195e426f3ee35
IKW75N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N60T description
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C8468413D2A259&compId=IKW75N60T.pdf?ci_sign=315235c5e21e2cdac3828b7fd0114f31bfa659fe
IKW75N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.08 EUR
10+7.35 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C8468413D2A259&compId=IKW75N60T.pdf?ci_sign=315235c5e21e2cdac3828b7fd0114f31bfa659fe
IKW75N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.08 EUR
10+7.35 EUR
30+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKN75N60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b
IXKN75N60C
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Technology: CoolMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 500nC
Reverse recovery time: 580ns
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+77.05 EUR
3+74.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKN75N60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b
IXKN75N60C
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Technology: CoolMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 500nC
Reverse recovery time: 580ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+77.05 EUR
3+74.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL185N60S5H NTHL185N60S5H-D.PDF
NTHL185N60S5H
Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 15 A, 185 mohm, TO-247
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.64 EUR
10+5.98 EUR
120+3.84 EUR
510+3.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP185N60S5H NTP185N60S5H-D.PDF
NTP185N60S5H
Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 15 A, 185 mohm, TO-220
auf Bestellung 808 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.37 EUR
10+4.29 EUR
100+2.89 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.43 EUR
24+3.06 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.43 EUR
24+3.06 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.82 EUR
10+3.63 EUR
100+2.62 EUR
500+2.15 EUR
1000+2.08 EUR
2000+1.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA25N60EFL-GE3 siha25n60efl.pdf
SIHA25N60EFL-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET
auf Bestellung 961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.6 EUR
10+5.65 EUR
100+4.05 EUR
500+3.94 EUR
1000+3.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB065N60E-GE3 sihb065n60e.pdf
SIHB065N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 9363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.5 EUR
10+6.71 EUR
100+6.16 EUR
500+5.49 EUR
1000+5.47 EUR
2000+5.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB105N60EF-GE3 sihb105n60ef.pdf
SIHB105N60EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
auf Bestellung 8014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.35 EUR
10+3.19 EUR
100+3.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB125N60EF-GE3 sihb125n60ef.pdf
SIHB125N60EF-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET
auf Bestellung 811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.55 EUR
10+4.54 EUR
100+3.26 EUR
500+3.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB35N60E-GE3 sihb35n60e.pdf
SIHB35N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.75 EUR
10+7.18 EUR
100+6.34 EUR
500+5.63 EUR
1000+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF065N60E-GE3 sihf065n60e.pdf
SIHF065N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220
auf Bestellung 1247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.4 EUR
10+5.86 EUR
2000+5.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N60E-GE3 sihf15n60e.pdf
SIHF15N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.42 EUR
10+3.04 EUR
100+2.87 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.25 EUR
2000+2.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF35N60EF-GE3 sihf35n60ef.pdf
SIHF35N60EF-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.54 EUR
10+7.73 EUR
100+6.25 EUR
500+5.56 EUR
1000+4.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG065N60E-GE3 sihg065n60e.pdf
SIHG065N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 2070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.13 EUR
10+6.71 EUR
100+5.79 EUR
500+5.7 EUR
2500+5.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG105N60EF-GE3 sihg105n60ef.pdf
SIHG105N60EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
auf Bestellung 2656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.12 EUR
10+4.72 EUR
100+3.96 EUR
500+3.8 EUR
1000+3.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG125N60EF-GE3 sihg125n60ef.pdf
SIHG125N60EF-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 600V 25A N-CH MOSFET
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.83 EUR
10+4.72 EUR
100+4.49 EUR
500+4.33 EUR
1000+4.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N60E-GE3 sihg15n60e.pdf
SIHG15N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.72 EUR
17+4.23 EUR
23+3.25 EUR
24+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N60E-GE3 sihg15n60e.pdf
SIHG15N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.72 EUR
17+4.23 EUR
23+3.25 EUR
24+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N60E-GE3 sihg15n60e.pdf
SIHG15N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 1049 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.69 EUR
10+4.38 EUR
100+3.29 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG25N60EFL-GE3 sihg25n60efl.pdf
SIHG25N60EFL-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.24 EUR
10+6.35 EUR
100+5.14 EUR
500+4.28 EUR
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