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PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 NEXPERIA PSMN004-60B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.60 EUR
23+3.17 EUR
26+2.76 EUR
28+2.60 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 NEXPERIA PSMN004-60B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.60 EUR
23+3.17 EUR
26+2.76 EUR
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800+2.50 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 360 Stücke:
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72+2.09 EUR
82+1.76 EUR
100+1.61 EUR
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PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2270 Stücke:
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83+2.14 EUR
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PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
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PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.10 EUR
100+1.98 EUR
500+1.88 EUR
800+1.54 EUR
2400+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P,127 NEXPERIA PSMN009-100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.55 EUR
22+3.29 EUR
26+2.77 EUR
28+2.63 EUR
100+2.62 EUR
250+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-30YLC,115 PSMN011-30YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN011-30YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
auf Bestellung 4532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.07 EUR
23+0.79 EUR
100+0.58 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-30YLC,115 PSMN011-30YLC,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN011-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 0.0099 ohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.57V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PSMN011-60MLX PSMN011-60MLX Nexperia USA Inc. PSMN011-60ML.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2191 pF @ 30 V
auf Bestellung 4833 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+1.99 EUR
15+1.24 EUR
100+0.82 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLX PSMN011-60MLX Nexperia USA Inc. PSMN011-60ML.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2191 pF @ 30 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.45 EUR
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN011-60MLX PSMN011-60MLX Nexperia 3012972077821423psmn011-60ml.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.40 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLX PSMN011-60MLX Nexperia 3012972077821423psmn011-60ml.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1017+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1017
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLX PSMN011-60MLX Nexperia 3012972077821423psmn011-60ml.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1017+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1017
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLX PSMN011-60MLX Nexperia 3012972077821423psmn011-60ml.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.40 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX NEXPERIA PSMN011-60MS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+1.03 EUR
91+0.79 EUR
100+0.72 EUR
112+0.64 EUR
118+0.61 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX NEXPERIA PSMN011-60MS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
91+0.79 EUR
100+0.72 EUR
112+0.64 EUR
118+0.61 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 70
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PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 NEXPERIA PSMN012-100YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.25 EUR
43+1.67 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
1000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN012-100YS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V
auf Bestellung 13430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.46 EUR
10+1.88 EUR
100+1.37 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN012-100YS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.95 EUR
3000+0.88 EUR
4500+0.86 EUR
7500+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059634-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN012-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.01 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1564 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 Nexperia 4380994601257724psmn012-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 284
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059600-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN012-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.008 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1893 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 Nexperia 4380994601257724psmn012-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 Nexperia 4380994601257724psmn012-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.53 EUR
500+0.50 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 285
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 Nexperia 4380994601257724psmn012-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 118500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 Nexperia 4380994601257724psmn012-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 118500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 Nexperia 4380994601257724psmn012-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80PS,127 PSMN012-80PS,127 NEXPERIA PSMN012-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+1.74 EUR
44+1.66 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80PS,127 PSMN012-80PS,127 NEXPERIA PSMN012-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4546 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.74 EUR
44+1.66 EUR
48+1.50 EUR
50+1.44 EUR
53+1.37 EUR
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Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 NEXPERIA PSMN013-100BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.82 EUR
44+1.64 EUR
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 NEXPERIA PSMN013-100BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1512 Stücke:
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40+1.82 EUR
44+1.64 EUR
55+1.32 EUR
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1600+1.20 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 Nexperia 1732250226334907psmn013-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.17 EUR
250+1.11 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 128
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 NEXPERIA NEXP-S-A0003059986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN013-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68 A, 0.0108 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 Nexperia 1732250226334907psmn013-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 128
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 Nexperia 1732250226334907psmn013-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 Nexperia 1732250226334907psmn013-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 Nexperia 1732250226334907psmn013-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 339
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 NEXPERIA PSMN013-30MLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+0.60 EUR
143+0.50 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
250+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 NEXPERIA PSMN013-30MLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1429 Stücke:
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120+0.60 EUR
143+0.50 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
250+0.31 EUR
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PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN013-30MLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 519 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.24 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN013-30MLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 519 pF @ 15 V
auf Bestellung 3470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.79 EUR
28+0.64 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-40VLDX PSMN013-40VLDX NEXPERIA 3191462.pdf Description: NEXPERIA - PSMN013-40VLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.01135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-40VLDX PSMN013-40VLDX NEXPERIA 3191462.pdf Description: NEXPERIA - PSMN013-40VLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.01135 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX NEXPERIA PSMN013-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+1.07 EUR
85+0.84 EUR
96+0.75 EUR
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX NEXPERIA PSMN013-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
85+0.84 EUR
96+0.75 EUR
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX Nexperia USA Inc. PSMN013-60YL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2603 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.45 EUR
4500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX Nexperia USA Inc. PSMN013-60YL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2603 pF @ 25 V
auf Bestellung 7452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.32 EUR
18+1.01 EUR
100+0.75 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX Nexperia 4386875731490478psmn013-60yl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX Nexperia 4386875731490478psmn013-60yl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-80YS,115 PSMN013-80YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN013-80YS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 40 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-80YS,115 PSMN013-80YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN013-80YS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 40 V
auf Bestellung 4805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.95 EUR
14+1.32 EUR
100+1.00 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115 PSMN014-40YS,115 Nexperia 4380941027818368psmn014-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115 PSMN014-40YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059661-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN014-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 46 A, 0.011 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115 PSMN014-40YS,115 Nexperia 4380941027818368psmn014-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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PSMN014-40YS,115 PSMN014-40YS,115 Nexperia 4380941027818368psmn014-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
418+0.36 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 418
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115 PSMN014-40YS,115 Nexperia 4380941027818368psmn014-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
418+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 418
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-80YLX PSMN014-80YLX Nexperia USA Inc. PSMN014-80YL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
auf Bestellung 4305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.48 EUR
15+1.20 EUR
100+0.91 EUR
500+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-80YLX PSMN014-80YLX Nexperia USA Inc. PSMN014-80YL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B.pdf
PSMN004-60B,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.60 EUR
23+3.17 EUR
26+2.76 EUR
28+2.60 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B.pdf
PSMN004-60B,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.60 EUR
23+3.17 EUR
26+2.76 EUR
28+2.60 EUR
800+2.50 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
72+2.09 EUR
82+1.76 EUR
100+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
83+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
79+2.10 EUR
100+1.98 EUR
500+1.88 EUR
800+1.54 EUR
2400+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
84+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P.pdf
PSMN009-100P,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.55 EUR
22+3.29 EUR
26+2.77 EUR
28+2.63 EUR
100+2.62 EUR
250+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-30YLC,115 PSMN011-30YLC.pdf
PSMN011-30YLC,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
auf Bestellung 4532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+1.07 EUR
23+0.79 EUR
100+0.58 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-30YLC,115 NEXP-S-A0003059758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN011-30YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN011-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 0.0099 ohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.57V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLX PSMN011-60ML.pdf
PSMN011-60MLX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2191 pF @ 30 V
auf Bestellung 4833 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+1.99 EUR
15+1.24 EUR
100+0.82 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLX PSMN011-60ML.pdf
PSMN011-60MLX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2191 pF @ 30 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.45 EUR
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLX 3012972077821423psmn011-60ml.pdf
PSMN011-60MLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.40 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLX 3012972077821423psmn011-60ml.pdf
PSMN011-60MLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1017+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1017
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLX 3012972077821423psmn011-60ml.pdf
PSMN011-60MLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1017+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1017
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLX 3012972077821423psmn011-60ml.pdf
PSMN011-60MLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.40 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSX PSMN011-60MS.pdf
PSMN011-60MSX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
91+0.79 EUR
100+0.72 EUR
112+0.64 EUR
118+0.61 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSX PSMN011-60MS.pdf
PSMN011-60MSX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
91+0.79 EUR
100+0.72 EUR
112+0.64 EUR
118+0.61 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS.pdf
PSMN012-100YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.25 EUR
43+1.67 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
1000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS.pdf
PSMN012-100YS,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V
auf Bestellung 13430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.46 EUR
10+1.88 EUR
100+1.37 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS.pdf
PSMN012-100YS,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.95 EUR
3000+0.88 EUR
4500+0.86 EUR
7500+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YS,115 NEXP-S-A0003059634-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN012-100YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN012-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.01 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1564 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 4380994601257724psmn012-60ys.pdf
PSMN012-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
284+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 284
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 NEXP-S-A0003059600-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN012-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN012-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.008 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1893 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 4380994601257724psmn012-60ys.pdf
PSMN012-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 4380994601257724psmn012-60ys.pdf
PSMN012-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
285+0.53 EUR
500+0.50 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 285
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 4380994601257724psmn012-60ys.pdf
PSMN012-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 118500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 4380994601257724psmn012-60ys.pdf
PSMN012-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 118500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 4380994601257724psmn012-60ys.pdf
PSMN012-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80PS,127 PSMN012-80PS.pdf
PSMN012-80PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.74 EUR
44+1.66 EUR
48+1.50 EUR
50+1.44 EUR
53+1.37 EUR
250+1.34 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80PS,127 PSMN012-80PS.pdf
PSMN012-80PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4546 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.74 EUR
44+1.66 EUR
48+1.50 EUR
50+1.44 EUR
53+1.37 EUR
250+1.34 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS.pdf
PSMN013-100BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.82 EUR
44+1.64 EUR
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
800+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS.pdf
PSMN013-100BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1512 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.82 EUR
44+1.64 EUR
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
800+1.23 EUR
1600+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 1732250226334907psmn013-100bs.pdf
PSMN013-100BS,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
128+1.17 EUR
250+1.11 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 128
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 NEXP-S-A0003059986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN013-100BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN013-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68 A, 0.0108 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 1732250226334907psmn013-100bs.pdf
PSMN013-100BS,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
128+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 128
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 1732250226334907psmn013-100bs.pdf
PSMN013-100BS,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 1732250226334907psmn013-100bs.pdf
PSMN013-100BS,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 1732250226334907psmn013-100bs.pdf
PSMN013-100BS,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
339+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 339
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC.pdf
PSMN013-30MLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.60 EUR
143+0.50 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
250+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC.pdf
PSMN013-30MLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.60 EUR
143+0.50 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
250+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC.pdf
PSMN013-30MLC,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 519 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.24 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC.pdf
PSMN013-30MLC,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 519 pF @ 15 V
auf Bestellung 3470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+0.79 EUR
28+0.64 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-40VLDX 3191462.pdf
PSMN013-40VLDX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN013-40VLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.01135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-40VLDX 3191462.pdf
PSMN013-40VLDX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN013-40VLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.01135 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX PSMN013-60YL.pdf
PSMN013-60YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
85+0.84 EUR
96+0.75 EUR
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX PSMN013-60YL.pdf
PSMN013-60YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
85+0.84 EUR
96+0.75 EUR
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX PSMN013-60YL.pdf
PSMN013-60YLX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2603 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.45 EUR
4500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX PSMN013-60YL.pdf
PSMN013-60YLX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2603 pF @ 25 V
auf Bestellung 7452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+1.32 EUR
18+1.01 EUR
100+0.75 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX 4386875731490478psmn013-60yl.pdf
PSMN013-60YLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PSMN013-60YLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-80YS,115 PSMN013-80YS.pdf
PSMN013-80YS,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 40 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-80YS,115 PSMN013-80YS.pdf
PSMN013-80YS,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 40 V
auf Bestellung 4805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.95 EUR
14+1.32 EUR
100+1.00 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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PSMN014-40YS,115 4380941027818368psmn014-40ys.pdf
PSMN014-40YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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PSMN014-40YS,115 NEXP-S-A0003059661-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN014-40YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN014-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 46 A, 0.011 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115 4380941027818368psmn014-40ys.pdf
PSMN014-40YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115 4380941027818368psmn014-40ys.pdf
PSMN014-40YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
418+0.36 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 418
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115 4380941027818368psmn014-40ys.pdf
PSMN014-40YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
418+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 418
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-80YLX PSMN014-80YL.pdf
PSMN014-80YLX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
auf Bestellung 4305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.48 EUR
15+1.20 EUR
100+0.91 EUR
500+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-80YLX PSMN014-80YL.pdf
PSMN014-80YLX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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