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2N5551 TIN/LEAD 2N5551 TIN/LEAD Central Semiconductor get_document-1510795.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW
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2N5551 TIN/LEAD 2N5551 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp 2N5550_2N5551.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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2N5551-T 2N5551-T Rectron Rectron_11_30_2020_2N5551-1951896.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 0.6A 160V
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2N5551BU 2N5551BU onsemi technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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2N5551BU 2N5551BU onsemi / Fairchild 2N5551T_D-2997661.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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2N5551BU 2N5551BU ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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2N5551BU 2N5551BU ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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2N5551BU 2N5551BU ONSEMI ONSMS11151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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2N5551BU 2N5551BU ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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2N5551BU 2N5551BU ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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2N5551BU 2N5551BU ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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2N5551G 2N5551G onsemi 2n5550-d.pdf description Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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3806+0.13 EUR
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2N5551G ONSEMI ONSMS13513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - 2N5551G - TRANSISTOR, NPN, 160V, 0.6A, TO92
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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2N5551RL1G 2N5551RL1G onsemi 2n5550-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 90000 Stücke:
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2N5551RL1G ONSEMI ONSMS13513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5551RL1G - 2N5551RL1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 90000 Stücke:
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2N5551RLRPG 2N5551RLRPG onsemi 2n5550-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 414513 Stücke:
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3806+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3806
2N5551RLRPG 2N5551RLRPG ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 1127 Stücke:
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962+0.16 EUR
1021+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 962
2N5551RLRPG ONSEMI ONSMS13513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5551RLRPG - 2N5551RLRPG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 414513 Stücke:
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2N5551RLRPG 2N5551RLRPG ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 342000 Stücke:
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2000+0.093 EUR
2001+ 0.076 EUR
4001+ 0.052 EUR
20001+ 0.047 EUR
40001+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N5551RLRPG 2N5551RLRPG ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 1127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1021+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1021
2N5551RLRPG 2N5551RLRPG ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 342000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.1 EUR
2001+ 0.082 EUR
4001+ 0.056 EUR
20001+ 0.051 EUR
40001+ 0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N5551TA 2N5551TA ONSEMI 2N5551.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 1865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.33 EUR
350+ 0.2 EUR
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571+ 0.13 EUR
1137+ 0.063 EUR
1202+ 0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 218
2N5551TA 2N5551TA onsemi technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.098 EUR
4000+ 0.087 EUR
6000+ 0.082 EUR
10000+ 0.076 EUR
14000+ 0.073 EUR
20000+ 0.069 EUR
50000+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N5551TA 2N5551TA onsemi / Fairchild 2N5551T_D-2997661.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
auf Bestellung 29843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.46 EUR
11+ 0.27 EUR
100+ 0.13 EUR
1000+ 0.11 EUR
2000+ 0.084 EUR
10000+ 0.07 EUR
24000+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N5551TA 2N5551TA onsemi technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 54847 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.44 EUR
65+ 0.27 EUR
105+ 0.17 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40
2N5551TA 2N5551TA ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.076 EUR
6000+ 0.07 EUR
10000+ 0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N5551TA 2N5551TA ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 34000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2084+0.073 EUR
10000+ 0.059 EUR
24000+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 2084
2N5551TA 2N5551TA ONSEMI ONSM-S-A0013908840-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5551TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5551TA 2N5551TA ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 34000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2088+0.072 EUR
10000+ 0.059 EUR
24000+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 2088
2N5551TF 2N5551TF ONSEMI technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 180
2N5551TF 2N5551TF ONSEMI technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
180+0.4 EUR
256+ 0.29 EUR
703+ 0.1 EUR
2000+ 0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 180
2N5551TF 2N5551TF onsemi technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.097 EUR
4000+ 0.087 EUR
6000+ 0.081 EUR
10000+ 0.076 EUR
14000+ 0.072 EUR
20000+ 0.069 EUR
50000+ 0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N5551TF 2N5551TF onsemi technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 56333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.44 EUR
65+ 0.27 EUR
105+ 0.17 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40
2N5551TF 2N5551TF onsemi / Fairchild 2N5551T_D-2997661.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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2000+ 0.063 EUR
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2N5551TF 2N5551TF ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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2N5551TF 2N5551TF ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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2N5551TF 2N5551TF ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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2N5551TF 2N5551TF ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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2N5551TF 2N5551TF ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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10000+ 0.045 EUR
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2N5551TFR 2N5551TFR ONSEMI technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 590 Stücke:
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590+0.12 EUR
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2N5551TFR 2N5551TFR ONSEMI technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 590 Stücke:
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755+ 0.094 EUR
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2N5551TFR 2N5551TFR onsemi / Fairchild 2N5551T_D-2997661.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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1000+ 0.11 EUR
2000+ 0.063 EUR
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2N5551TFR 2N5551TFR onsemi technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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2000+0.069 EUR
4000+ 0.062 EUR
6000+ 0.058 EUR
10000+ 0.054 EUR
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2N5551TFR 2N5551TFR onsemi technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 42236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.44 EUR
65+ 0.27 EUR
104+ 0.17 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40
2N5551TFR 2N5551TFR ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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3116+0.049 EUR
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2N5551TFR 2N5551TFR ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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577+0.26 EUR
939+ 0.16 EUR
947+ 0.15 EUR
1716+ 0.079 EUR
1731+ 0.075 EUR
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2208+ 0.054 EUR
3000+ 0.049 EUR
6000+ 0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 577
2N5551TFR 2N5551TFR ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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16000+0.046 EUR
18000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 16000
2N5551TFR 2N5551TFR ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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1716+0.088 EUR
1731+ 0.084 EUR
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3000+ 0.054 EUR
6000+ 0.047 EUR
15000+ 0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 1716
2N5551TFR 2N5551TFR ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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2000+0.077 EUR
6000+ 0.071 EUR
10000+ 0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N5551TFR 2N5551TFR ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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2950+0.051 EUR
6000+ 0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 2950
2N5551YBU 2N5551YBU onsemi technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 39476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.56 EUR
46+ 0.39 EUR
100+ 0.19 EUR
500+ 0.16 EUR
1000+ 0.11 EUR
2000+ 0.095 EUR
5000+ 0.088 EUR
10000+ 0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 32
2N5551ZL1G 2N5551ZL1G onsemi 2n5550-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 29679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3806+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3806
2N5551ZL1G ONSEMI ONSMS04000-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5551ZL1G - 2N5551ZL1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5564 TO-71 6L ROHS 2N5564 TO-71 6L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. 7e8069_c792d77773214613aa93c0acdf157606.pdf Description: JFET 2N-CH 40V TO71
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-71-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: TO-71
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 50 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 2 mA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.41 EUR
10+ 15.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2N5582 2N5582 Microchip Technology 2n5581.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-46 Bag
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+25.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N5598 General Semiconductor SOLDC001-B-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: LOW FREQUENCY SILICON POWER NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200µA, 1mA
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+65.51 EUR
Mindestbestellmenge: 8
2N55 CAN
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N550 MOTOROLA
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N550 MOT CAN
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5505 MOTOROLA
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5551 TIN/LEAD get_document-1510795.pdf
2N5551 TIN/LEAD
Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW
auf Bestellung 1342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.16 EUR
10+ 0.95 EUR
100+ 0.74 EUR
500+ 0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2N5551 TIN/LEAD 2N5550_2N5551.PDF
2N5551 TIN/LEAD
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 2127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+2.48 EUR
12+ 1.58 EUR
100+ 1.05 EUR
500+ 0.83 EUR
1000+ 0.75 EUR
2000+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
2N5551-T Rectron_11_30_2020_2N5551-1951896.pdf
2N5551-T
Hersteller: Rectron
Bipolar Transistors - BJT NPN 0.6A 160V
auf Bestellung 8024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.68 EUR
10+ 0.51 EUR
100+ 0.29 EUR
1000+ 0.15 EUR
2000+ 0.12 EUR
10000+ 0.1 EUR
24000+ 0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N5551BU technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF
2N5551BU
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 431755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
56+0.32 EUR
92+ 0.19 EUR
148+ 0.12 EUR
500+ 0.088 EUR
1000+ 0.078 EUR
2000+ 0.069 EUR
5000+ 0.06 EUR
10000+ 0.054 EUR
50000+ 0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 56
2N5551BU 2N5551T_D-2997661.pdf
2N5551BU
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
auf Bestellung 29566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+0.33 EUR
15+ 0.2 EUR
100+ 0.092 EUR
1000+ 0.07 EUR
2500+ 0.065 EUR
10000+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 9
2N5551BU 2n5551t-d.pdf
2N5551BU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1877+0.081 EUR
5000+ 0.071 EUR
10000+ 0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 1877
2N5551BU 2n5551t-d.pdf
2N5551BU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 14432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1946+0.078 EUR
2611+ 0.056 EUR
2866+ 0.049 EUR
10000+ 0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 1946
2N5551BU ONSMS11151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N5551BU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 20777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5551BU 2n5551t-d.pdf
2N5551BU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 7950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1909+0.079 EUR
2552+ 0.057 EUR
2802+ 0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1909
2N5551BU 2n5551t-d.pdf
2N5551BU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 7950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
532+0.28 EUR
880+ 0.17 EUR
1909+ 0.074 EUR
2552+ 0.053 EUR
2802+ 0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 532
2N5551BU 2n5551t-d.pdf
2N5551BU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 14443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
541+0.28 EUR
895+ 0.16 EUR
1938+ 0.072 EUR
2598+ 0.052 EUR
2858+ 0.045 EUR
10000+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 541
2N5551G description 2n5550-d.pdf
2N5551G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 197314 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
3806+0.13 EUR
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2N5551G description ONSMS13513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5551G - TRANSISTOR, NPN, 160V, 0.6A, TO92
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 197314 Stücke:
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2N5551RL1G 2n5550-d.pdf
2N5551RL1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 90000 Stücke:
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3806+0.13 EUR
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2N5551RL1G ONSMS13513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5551RL1G - 2N5551RL1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5551RLRPG 2n5550-d.pdf
2N5551RLRPG
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 414513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3806+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3806
2N5551RLRPG 2n5550-d.pdf
2N5551RLRPG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 1127 Stücke:
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962+0.16 EUR
1021+ 0.14 EUR
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2N5551RLRPG ONSMS13513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5551RLRPG - 2N5551RLRPG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 414513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5551RLRPG 2n5550-d.pdf
2N5551RLRPG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 342000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.093 EUR
2001+ 0.076 EUR
4001+ 0.052 EUR
20001+ 0.047 EUR
40001+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N5551RLRPG 2n5550-d.pdf
2N5551RLRPG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 1127 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
1021+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1021
2N5551RLRPG 2n5550-d.pdf
2N5551RLRPG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 342000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.1 EUR
2001+ 0.082 EUR
4001+ 0.056 EUR
20001+ 0.051 EUR
40001+ 0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N5551TA 2N5551.PDF
2N5551TA
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 1865 Stücke:
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218+0.33 EUR
350+ 0.2 EUR
493+ 0.15 EUR
571+ 0.13 EUR
1137+ 0.063 EUR
1202+ 0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 218
2N5551TA technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF
2N5551TA
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.098 EUR
4000+ 0.087 EUR
6000+ 0.082 EUR
10000+ 0.076 EUR
14000+ 0.073 EUR
20000+ 0.069 EUR
50000+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N5551TA 2N5551T_D-2997661.pdf
2N5551TA
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
auf Bestellung 29843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+0.46 EUR
11+ 0.27 EUR
100+ 0.13 EUR
1000+ 0.11 EUR
2000+ 0.084 EUR
10000+ 0.07 EUR
24000+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N5551TA technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF
2N5551TA
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 54847 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
40+0.44 EUR
65+ 0.27 EUR
105+ 0.17 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40
2N5551TA 2n5551t-d.pdf
2N5551TA
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.076 EUR
6000+ 0.07 EUR
10000+ 0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N5551TA 2n5551t-d.pdf
2N5551TA
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 34000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2084+0.073 EUR
10000+ 0.059 EUR
24000+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 2084
2N5551TA ONSM-S-A0013908840-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N5551TA
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5551TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5551TA 2n5551t-d.pdf
2N5551TA
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 34000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2088+0.072 EUR
10000+ 0.059 EUR
24000+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 2088
2N5551TF technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF
2N5551TF
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
180+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 180
2N5551TF technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF
2N5551TF
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
180+0.4 EUR
256+ 0.29 EUR
703+ 0.1 EUR
2000+ 0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 180
2N5551TF technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF
2N5551TF
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.097 EUR
4000+ 0.087 EUR
6000+ 0.081 EUR
10000+ 0.076 EUR
14000+ 0.072 EUR
20000+ 0.069 EUR
50000+ 0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N5551TF technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF
2N5551TF
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 56333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
40+0.44 EUR
65+ 0.27 EUR
105+ 0.17 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40
2N5551TF 2N5551T_D-2997661.pdf
2N5551TF
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
auf Bestellung 4419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+0.46 EUR
11+ 0.28 EUR
100+ 0.13 EUR
1000+ 0.11 EUR
2000+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N5551TF 2n5551t-d.pdf
2N5551TF
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 12253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
701+0.22 EUR
1159+ 0.13 EUR
1170+ 0.12 EUR
2552+ 0.053 EUR
2578+ 0.05 EUR
2618+ 0.047 EUR
2711+ 0.044 EUR
3000+ 0.042 EUR
6000+ 0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 701
2N5551TF 2n5551t-d.pdf
2N5551TF
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 12253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2924+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 2924
2N5551TF 2n5551t-d.pdf
2N5551TF
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2786+0.054 EUR
4000+ 0.052 EUR
6000+ 0.047 EUR
10000+ 0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 2786
2N5551TF 2n5551t-d.pdf
2N5551TF
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.076 EUR
6000+ 0.07 EUR
10000+ 0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N5551TF 2n5551t-d.pdf
2N5551TF
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2778+0.054 EUR
4000+ 0.052 EUR
6000+ 0.047 EUR
10000+ 0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 2778
2N5551TFR technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF
2N5551TFR
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
590+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 590
2N5551TFR technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF
2N5551TFR
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
590+0.12 EUR
755+ 0.094 EUR
10000+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 590
2N5551TFR 2N5551T_D-2997661.pdf
2N5551TFR
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
auf Bestellung 17570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+0.44 EUR
11+ 0.27 EUR
100+ 0.12 EUR
1000+ 0.11 EUR
2000+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N5551TFR technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF
2N5551TFR
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.069 EUR
4000+ 0.062 EUR
6000+ 0.058 EUR
10000+ 0.054 EUR
14000+ 0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N5551TFR technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF
2N5551TFR
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 42236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
40+0.44 EUR
65+ 0.27 EUR
104+ 0.17 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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2N5551TFR
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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2N5551TFR
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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2N5551YBU technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF
2N5551YBU
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 39476 Stücke:
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32+0.56 EUR
46+ 0.39 EUR
100+ 0.19 EUR
500+ 0.16 EUR
1000+ 0.11 EUR
2000+ 0.095 EUR
5000+ 0.088 EUR
10000+ 0.073 EUR
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2N5551ZL1G 2n5550-d.pdf
2N5551ZL1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 29679 Stücke:
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3806+0.13 EUR
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2N5551ZL1G ONSMS04000-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5551ZL1G - 2N5551ZL1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
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2N5564 TO-71 6L ROHS 7e8069_c792d77773214613aa93c0acdf157606.pdf
2N5564 TO-71 6L ROHS
Hersteller: Linear Integrated Systems, Inc.
Description: JFET 2N-CH 40V TO71
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-71-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: TO-71
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 50 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 2 mA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+17.41 EUR
10+ 15.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2N5582 2n5581.pdf
2N5582
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-46 Bag
auf Bestellung 910 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
7+25.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N5598 SOLDC001-B-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: General Semiconductor
Description: LOW FREQUENCY SILICON POWER NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200µA, 1mA
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 18 Stücke:
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8+65.51 EUR
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2N55
CAN
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2N550
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N550
Hersteller: MOT
CAN
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5505
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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