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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FQP50N06 FQP50N06
Produktcode: 31258
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Fairchild fqp50n06-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 0.022
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
JHGF: THT
auf Bestellung 2 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.98 EUR
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FQP50N06C FQP50N06C
Produktcode: 205802
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JSMSemi Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
JHGF: THT
auf Bestellung 121 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06LE RFP50N06LE
Produktcode: 189268
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JSMICRO JSM50N06C_TO-220AB.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
JHGF: THT
auf Bestellung 53 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D2450N06T D2450N06T Infineon Technologies Infineon-D2450N-DS-v03_01-en_de.pdf Rectifiers Rectifier Diode 2450A 600V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+370.8 EUR
9+316.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI050N06D1 DI050N06D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6A9E363F32140CE&compId=di050n06d1.pdf?ci_sign=b4612d5f733ac8ba60d6a2d629c8056ebae084c6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+1.17 EUR
82+0.87 EUR
201+0.36 EUR
213+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI050N06D1 DI050N06D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6A9E363F32140CE&compId=di050n06d1.pdf?ci_sign=b4612d5f733ac8ba60d6a2d629c8056ebae084c6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2539 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.17 EUR
82+0.87 EUR
201+0.36 EUR
213+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI050N06D1 DI050N06D1 Diotec Semiconductor di050n06d1.pdf MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N
auf Bestellung 1176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.53 EUR
10+1.2 EUR
100+0.72 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.61 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT050N06 DIT050N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AF3496006EA0C4&compId=dit050n06.pdf?ci_sign=ce593fb33bb37229999662264b9a58ab203ba25c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
auf Bestellung 1136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+0.96 EUR
98+0.73 EUR
107+0.67 EUR
174+0.41 EUR
184+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT050N06 DIOTEC dit050n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube ODPOWIEDNIK: DIT050N06-DIO; DIT050N06 TDIT050n06
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT050N06 DIT050N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AF3496006EA0C4&compId=dit050n06.pdf?ci_sign=ce593fb33bb37229999662264b9a58ab203ba25c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
98+0.73 EUR
107+0.67 EUR
174+0.41 EUR
184+0.39 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT050N06 DIT050N06 Diotec Semiconductor dit050n06.pdf MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 60V, 50A, 175C, N
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.78 EUR
10+1.4 EUR
100+0.84 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.71 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP50N06 ON-Semicoductor fqp50n06-d.pdf N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP50N06 ON-Semicoductor fqp50n06-d.pdf N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP50N06L ON-Semicoductor fqp50n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD350N06L G IPD350N06L G Infineon Technologies Infineon-IPD350N06LG_-DS-v01_03-en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.45 EUR
10+0.94 EUR
100+0.64 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.45 EUR
2500+0.4 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC2F9789B411C&compId=IPD350N06LG-DTE.pdf?ci_sign=87fae814c5bc9e76dd51c3647c62fa14ffec9864 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+1.5 EUR
75+0.96 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC2F9789B411C&compId=IPD350N06LG-DTE.pdf?ci_sign=87fae814c5bc9e76dd51c3647c62fa14ffec9864 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.5 EUR
75+0.96 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S214ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 55V; 50A; 136W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
auf Bestellung 117500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S214ATMA2 IPD50N06S214ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.99 EUR
10+2.09 EUR
100+1.4 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.06 EUR
2500+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S2L13ATMA2 IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
auf Bestellung 29972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.27 EUR
10+1.39 EUR
100+1.2 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.1 EUR
2500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S4_09-DS-v01_02-en.pdf MOSFETs MOSFET
auf Bestellung 7975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.22 EUR
10+1.43 EUR
100+1.04 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.78 EUR
2500+0.69 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S4L_08-DS-v01_00-en.pdf MOSFETs MOSFET
auf Bestellung 10315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.4 EUR
100+1.08 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.78 EUR
2500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.3 EUR
82+0.88 EUR
88+0.81 EUR
91+0.79 EUR
93+0.77 EUR
100+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
82+0.88 EUR
88+0.81 EUR
91+0.79 EUR
93+0.77 EUR
100+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf MOSFETs MOSFET
auf Bestellung 4519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+1.06 EUR
100+0.82 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCACD50N06YHE3-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS MCACD50N06YHE3(PDFN5060-8D).pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; 60V; 50A; PDFN5060D-8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Case: PDFN5060D-8
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCTL150N06YHE3-TP MCTL150N06YHE3-TP Micro Commercial Components (MCC) MCTL150N06YHE3(TOLL-8).pdf MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.22 EUR
10+6.53 EUR
100+5.53 EUR
500+5.05 EUR
1000+4.51 EUR
2000+4.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06 RFP50N06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0AB3A6FEB9F1A303005056AB0C4F&compId=RFP50N06.pdf?ci_sign=97a5effd8691ccb8bb007880ff25eb5b1a0ba7ed Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.3 EUR
34+2.14 EUR
40+1.83 EUR
43+1.67 EUR
46+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06 ON-Semicoductor rfp50n06-d.pdf FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 50A 60V 0.022Ω RFP50N06 TRFP50N06
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06 RFP50N06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0AB3A6FEB9F1A303005056AB0C4F&compId=RFP50N06.pdf?ci_sign=97a5effd8691ccb8bb007880ff25eb5b1a0ba7ed Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.3 EUR
34+2.14 EUR
40+1.83 EUR
43+1.67 EUR
46+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06 RFP50N06 onsemi / Fairchild RFP50N06-D.PDF MOSFETs TO-220AB N-CH POWER
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.87 EUR
10+1.85 EUR
100+1.57 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW050N065H-BP SICW050N065H-BP Micro Commercial Components (MCC) SICW050N065H(TO-247AB).pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.52 EUR
10+9.82 EUR
100+8.18 EUR
500+7.3 EUR
1000+6.81 EUR
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SICW050N065H4-BP SICW050N065H4-BP Micro Commercial Components (MCC) SICW050N065H4(TO-247-4).pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
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SQD50N06-09L_GE3 SQD50N06-09L_GE3 Vishay Semiconductors sqd50n06-09l.pdf MOSFETs 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
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STP50N06 ST MICROELECTRONICS -n 60V 0.028 50.0A 125W TO-220
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SUD50N06-09L-E3 Siliconix sud50n06.pdf N-MOSFET 60V 50A 9.3mΩ 136W SUD50N06-09L-E3 Vishay TSUD50N06-09L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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SUD50N06-09L-E3 VISHAY sud50n06.pdf SUD50N06-09L-E3 SMD N channel transistors
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26+2.85 EUR
48+1.5 EUR
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TSM850N06CX RFG TSM850N06CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM850N06CX_C1811.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
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129+0.56 EUR
205+0.35 EUR
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277+0.26 EUR
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TSM850N06CX RFG TSM850N06CX RFG Taiwan Semiconductor TSM850N06CX_C1811.pdf MOSFETs 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET
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10+0.54 EUR
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1000+0.26 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
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TSM850N06CX RPG Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; TSM850N06CX RFG TSM850N06CX TTSM850n06cx
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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WMO50N06TS WMO50N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 410 Stücke:
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129+0.56 EUR
247+0.29 EUR
274+0.26 EUR
345+0.21 EUR
365+0.2 EUR
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YFW50N06AD YFW TO-252 MOSFETs Podobny do: CJ CJU20N06AYFW; YFW50N06AD; TECH PUBLIC NTD5867NLT4G; ONSEMI NTD5867NLT4G; VBSEMI NTD5867NLT4G-VB; HXY MOSFET NTD5867NLT4G-HXY; UMW NTD5867NLT4G(UMW); NTD5867NLT4G TNTD5867nl c
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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2MBI150N-060 FUJI 150A/600V/IGBT/2U
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2MBI150N-060 FUJI .
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2MBI150N-060 FUJI A4-3
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2MBI150N-060 FUJI 03+ A3-5
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2MBI150N-060 FUJI MODULE
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2MBI150N-060 FUJI 150A/600V IGBT MODULE
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2MBI150N-060 module
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2MBI150N-060 fuji
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2MBI150N-060??? FUJI IGBT 150A600V2U
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2MBI150N060 FUJI description MODULE
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2MBI50N-060 FUJI .
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2MBI50N-060 module
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2MBI50N-060 FUJI 50A/600V/IGBT/2U
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2MBI50N-060 FUJI A4-3
auf Bestellung 19 Stücke:
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2MBI50N-060 FUJI
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2MBI50N-060 FUJI MODULE
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2MBR50N-060 FUJI MODULE
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6MBI50N-060 FUJI MODULE
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FQP50N06
Produktcode: 31258
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fqp50n06-d.pdf
FQP50N06
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 0.022
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
JHGF: THT
auf Bestellung 2 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.98 EUR
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FQP50N06C
Produktcode: 205802
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FQP50N06C
Hersteller: JSMSemi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
JHGF: THT
auf Bestellung 121 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RFP50N06LE
Produktcode: 189268
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JSM50N06C_TO-220AB.pdf
RFP50N06LE
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
JHGF: THT
auf Bestellung 53 Stück:
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D2450N06T Infineon-D2450N-DS-v03_01-en_de.pdf
D2450N06T
Hersteller: Infineon Technologies
Rectifiers Rectifier Diode 2450A 600V
auf Bestellung 30 Stücke:
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Anzahl Preis
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9+316.73 EUR
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DI050N06D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6A9E363F32140CE&compId=di050n06d1.pdf?ci_sign=b4612d5f733ac8ba60d6a2d629c8056ebae084c6
DI050N06D1
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.17 EUR
82+0.87 EUR
201+0.36 EUR
213+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI050N06D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6A9E363F32140CE&compId=di050n06d1.pdf?ci_sign=b4612d5f733ac8ba60d6a2d629c8056ebae084c6
DI050N06D1
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2539 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.17 EUR
82+0.87 EUR
201+0.36 EUR
213+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 61
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DI050N06D1 di050n06d1.pdf
DI050N06D1
Hersteller: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N
auf Bestellung 1176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.53 EUR
10+1.2 EUR
100+0.72 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.61 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT050N06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AF3496006EA0C4&compId=dit050n06.pdf?ci_sign=ce593fb33bb37229999662264b9a58ab203ba25c
DIT050N06
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
auf Bestellung 1136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
98+0.73 EUR
107+0.67 EUR
174+0.41 EUR
184+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT050N06 dit050n06.pdf
Hersteller: DIOTEC
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube ODPOWIEDNIK: DIT050N06-DIO; DIT050N06 TDIT050n06
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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DIT050N06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AF3496006EA0C4&compId=dit050n06.pdf?ci_sign=ce593fb33bb37229999662264b9a58ab203ba25c
DIT050N06
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
98+0.73 EUR
107+0.67 EUR
174+0.41 EUR
184+0.39 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT050N06 dit050n06.pdf
DIT050N06
Hersteller: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 60V, 50A, 175C, N
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.78 EUR
10+1.4 EUR
100+0.84 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.71 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP50N06 fqp50n06-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP50N06 fqp50n06-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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FQP50N06L fqp50n06l-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD350N06L G Infineon-IPD350N06LG_-DS-v01_03-en.pdf
IPD350N06L G
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.45 EUR
10+0.94 EUR
100+0.64 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.45 EUR
2500+0.4 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD350N06LGBTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC2F9789B411C&compId=IPD350N06LG-DTE.pdf?ci_sign=87fae814c5bc9e76dd51c3647c62fa14ffec9864
IPD350N06LGBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.5 EUR
75+0.96 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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IPD350N06LGBTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC2F9789B411C&compId=IPD350N06LG-DTE.pdf?ci_sign=87fae814c5bc9e76dd51c3647c62fa14ffec9864
IPD350N06LGBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.5 EUR
75+0.96 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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IPD50N06S214ATMA2 Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 55V; 50A; 136W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
auf Bestellung 117500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S214ATMA2 Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf
IPD50N06S214ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.99 EUR
10+2.09 EUR
100+1.4 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.06 EUR
2500+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon-IPD50N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf
IPD50N06S2L13ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
auf Bestellung 29972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.27 EUR
10+1.39 EUR
100+1.2 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.1 EUR
2500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S409ATMA2 Infineon-IPD50N06S4_09-DS-v01_02-en.pdf
IPD50N06S409ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
auf Bestellung 7975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.22 EUR
10+1.43 EUR
100+1.04 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.78 EUR
2500+0.69 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon-IPD50N06S4L_08-DS-v01_00-en.pdf
IPD50N06S4L08ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
auf Bestellung 10315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.01 EUR
10+1.4 EUR
100+1.08 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.78 EUR
2500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S4L12ATMA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8
IPD50N06S4L12ATMA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
82+0.88 EUR
88+0.81 EUR
91+0.79 EUR
93+0.77 EUR
100+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S4L12ATMA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8
IPD50N06S4L12ATMA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
82+0.88 EUR
88+0.81 EUR
91+0.79 EUR
93+0.77 EUR
100+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf
IPD50N06S4L12ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
auf Bestellung 4519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.71 EUR
10+1.06 EUR
100+0.82 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCACD50N06YHE3-TP MCACD50N06YHE3(PDFN5060-8D).pdf
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; 60V; 50A; PDFN5060D-8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Case: PDFN5060D-8
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCTL150N06YHE3-TP MCTL150N06YHE3(TOLL-8).pdf
MCTL150N06YHE3-TP
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.22 EUR
10+6.53 EUR
100+5.53 EUR
500+5.05 EUR
1000+4.51 EUR
2000+4.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0AB3A6FEB9F1A303005056AB0C4F&compId=RFP50N06.pdf?ci_sign=97a5effd8691ccb8bb007880ff25eb5b1a0ba7ed
RFP50N06
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.3 EUR
34+2.14 EUR
40+1.83 EUR
43+1.67 EUR
46+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06 rfp50n06-d.pdf FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ON-Semicoductor
N-MOSFET 50A 60V 0.022Ω RFP50N06 TRFP50N06
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0AB3A6FEB9F1A303005056AB0C4F&compId=RFP50N06.pdf?ci_sign=97a5effd8691ccb8bb007880ff25eb5b1a0ba7ed
RFP50N06
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.3 EUR
34+2.14 EUR
40+1.83 EUR
43+1.67 EUR
46+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFP50N06 RFP50N06-D.PDF
RFP50N06
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs TO-220AB N-CH POWER
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.87 EUR
10+1.85 EUR
100+1.57 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW050N065H-BP SICW050N065H(TO-247AB).pdf
SICW050N065H-BP
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.52 EUR
10+9.82 EUR
100+8.18 EUR
500+7.3 EUR
1000+6.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW050N065H4-BP SICW050N065H4(TO-247-4).pdf
SICW050N065H4-BP
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.68 EUR
10+9.96 EUR
100+8.29 EUR
500+7.41 EUR
1000+6.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50N06-09L_GE3 sqd50n06-09l.pdf
SQD50N06-09L_GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 39071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.21 EUR
10+5.33 EUR
100+4.28 EUR
500+4.19 EUR
1000+3.78 EUR
2000+3.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP50N06
Hersteller: ST MICROELECTRONICS
-n 60V 0.028 50.0A 125W TO-220
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+3.91 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-09L-E3 sud50n06.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 60V 50A 9.3mΩ 136W SUD50N06-09L-E3 Vishay TSUD50N06-09L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-09L-E3 sud50n06.pdf
Hersteller: VISHAY
SUD50N06-09L-E3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2539 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.85 EUR
48+1.5 EUR
51+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX_C1811.pdf
TSM850N06CX RFG
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
205+0.35 EUR
262+0.27 EUR
277+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX_C1811.pdf
TSM850N06CX RFG
Hersteller: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 19907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.85 EUR
10+0.54 EUR
100+0.3 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM850N06CX RPG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; TSM850N06CX RFG TSM850N06CX TTSM850n06cx
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO50N06TS
WMO50N06TS
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
247+0.29 EUR
274+0.26 EUR
345+0.21 EUR
365+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YFW50N06AD
Hersteller: YFW
TO-252 MOSFETs Podobny do: CJ CJU20N06AYFW; YFW50N06AD; TECH PUBLIC NTD5867NLT4G; ONSEMI NTD5867NLT4G; VBSEMI NTD5867NLT4G-VB; HXY MOSFET NTD5867NLT4G-HXY; UMW NTD5867NLT4G(UMW); NTD5867NLT4G TNTD5867nl c
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2MBI150N-060
Hersteller: FUJI
150A/600V/IGBT/2U
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2MBI150N-060
Hersteller: FUJI
.
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2MBI150N-060
Hersteller: FUJI
A4-3
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2MBI150N-060
Hersteller: FUJI
03+ A3-5
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2MBI150N-060
Hersteller: FUJI
MODULE
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2MBI150N-060
Hersteller: FUJI
150A/600V IGBT MODULE
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2MBI150N-060
Hersteller: module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2MBI150N-060
Hersteller: fuji
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2MBI150N-060???
Hersteller: FUJI IGBT
150A600V2U
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2MBI150N060 description
Hersteller: FUJI
MODULE
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2MBI50N-060
Hersteller: FUJI
.
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2MBI50N-060
Hersteller: module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2MBI50N-060
Hersteller: FUJI
50A/600V/IGBT/2U
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2MBI50N-060
Hersteller: FUJI
A4-3
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2MBI50N-060
Hersteller: FUJI
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2MBI50N-060
Hersteller: FUJI
MODULE
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2MBR50N-060
Hersteller: FUJI
MODULE
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6MBI50N-060
Hersteller: FUJI
MODULE
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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