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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB Produktcode: 3289
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220AB Uds,V: 100 Idd,A: 33 Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71 JHGF: THT |
verfügbar: 2260 Stück
31 Stück - stock Köln
2229 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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IRF540NSPBF Produktcode: 34259
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: D2PAK (TO-263) Uds,V: 100 V Idd,A: 33 A Rds(on), Ohm: 44 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71 JHGF: SMD |
auf Bestellung 45 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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IRF9540NPBF Produktcode: 31944
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: TO-220 Uds,V: 100 Id,A: 23 Rds(on),Om: 0.117 Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97 /: THT |
auf Bestellung 572 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF9540NSPBF Produktcode: 62471
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: D2Pak Uds,V: 100 V Id,A: 23 A Rds(on),Om: 117 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1450/73 /: SMD |
auf Bestellung 72 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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IRL540NPBF Produktcode: 25626
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Uds,V: 100 Idd,A: 36 Rds(on), Ohm: 0.044 Ciss, pF/Qg, nC: 1800/74 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
verfügbar: 57 Stück
5 Stück - stock Köln
52 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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SN74HC7540N Produktcode: 30077
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Lieblingsprodukt
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NXP |
IC > IC LogikGehäuse: DIP-20 Beschreibung: Buffers & Line Drivers OCTAL SCHMITT TRIGGER BUR/DRVR Analog 74хх: THT Strom.V: 2...6V T°C: -40…+125°C |
auf Bestellung 42 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| AUIRF9540N | International Rectifier |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 AUIRF9540N TAUIRF9540nAnzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DC540N/W1 | TAJIMA |
Category: Shears, Scissors, KnivesDescription: Knife; professional,universal; 18mm Type of tool: knife Oblique pliers/knives features: locked blade; pulled out, breakable blade Pliers/knives application: professional; universal Width: 18mm Standard equipment: blade x1 |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DC540N/W1 | TAJIMA |
Category: Shears, Scissors, KnivesDescription: Knife; professional,universal; 18mm Type of tool: knife Oblique pliers/knives features: locked blade; pulled out, breakable blade Pliers/knives application: professional; universal Width: 18mm Standard equipment: blade x1 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DN2540N3-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 120mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92 Case: TO92 Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 0.12A Pulsed drain current: 0.5A On-state resistance: 25Ω Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: bulk |
auf Bestellung 469 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DN2540N3-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 120mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92 Case: TO92 Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 0.12A Pulsed drain current: 0.5A On-state resistance: 25Ω Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: bulk Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 469 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DN2540N3-G | Microchip Technology |
MOSFETs 400V 25Ohm |
auf Bestellung 1012 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DN2540N3-G-P003 | Microchip Technology |
MOSFETs N-Channel MOSFET 400V 0.12A 3P TO-92 |
auf Bestellung 2020 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DN2540N5-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 500mA; Idm: 0.5A; 15W; TO220 Case: TO220 Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 0.5A On-state resistance: 25Ω Power dissipation: 15W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube |
auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DN2540N5-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 500mA; Idm: 0.5A; 15W; TO220 Case: TO220 Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 0.5A On-state resistance: 25Ω Power dissipation: 15W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DN2540N5-G | Microchip Technology |
MOSFETs 400V 25Ohm |
auf Bestellung 3098 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DN2540N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 170mA; Idm: 0.5A; 1.6W Case: SOT89-3 Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.5A On-state resistance: 25Ω Power dissipation: 1.6W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape |
auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DN2540N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 170mA; Idm: 0.5A; 1.6W Case: SOT89-3 Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.5A On-state resistance: 25Ω Power dissipation: 1.6W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DN2540N8-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 400V 170MA TO243AAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DN2540N8-G | Microchip Technology |
MOSFETs 400V 25Ohm |
auf Bestellung 13501 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DN2540N8-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 400V 170MA TO243AAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7160 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DS1015-40NN2A | CONNFLY |
Category: IDC connectorsDescription: Connector: IDC; plug; male; PIN: 40; IDC; for ribbon cable; 2.54mm Type of connector: IDC Connector: plug Kind of connector: male Number of pins: 40 Electrical mounting: IDC Contacts pitch: 2.54mm Connector pinout layout: 2x20 Contact plating: gold-plated Mechanical mounting: for ribbon cable Tape pitch: 1.27mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 607 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| DZ540N22K | Infineon Technologies |
Diode Modules 2200V 1150A |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DZ540N26K | Infineon Technologies |
Diode Modules 2600V 1150A |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ESB25-40N-01 | ABB | Contactors - Electromechanical INSTALLATION CONTACTOR |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF540N | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF540N | Infineon |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF540N | Infineon |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF540N-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF540NL | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nlAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF540NL | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nlAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF540NL | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nlAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB Case: TO220AB Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 33A Gate charge: 47.3nC On-state resistance: 44mΩ Power dissipation: 140W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 1372 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB Case: TO220AB Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 33A Gate charge: 47.3nC On-state resistance: 44mΩ Power dissipation: 140W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1372 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF540NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
auf Bestellung 63571 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF540NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC |
auf Bestellung 11390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF540NS | SLKOR |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLKAnzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF540NS | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS JSMICRO TIRF540ns JSMAnzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF540NS | SLKOR |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLKAnzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF540NSTRL | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NSTRL UMW TIRF540ns UMW Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1773 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC |
auf Bestellung 9816 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9540N | JSMSEMI |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 20A; 58W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9540; IRF9540N; SP001560174; IRF9540N JSMICRO TIRF9540n JSMAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9540N | Infineon |
P-MOSFET 23A 100V 140W 0.12Ω Replacement: IRF9540 IRF9540N IRF9540N TIRF9540nAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 873 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9540N | Infineon |
P-MOSFET 23A 100V 140W 0.12Ω Replacement: IRF9540 IRF9540N IRF9540N TIRF9540nAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9540NL | International Rectifier |
P-MOSFET 23A 100V IRF9540NL TIRF9540nlAnzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9540NLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262 Case: TO262 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -23A Power dissipation: 140W Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540NLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262 Case: TO262 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -23A Power dissipation: 140W Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -23A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 64.7nC On-state resistance: 0.117Ω Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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IRF9540NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 23A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 4324 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9540NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC |
auf Bestellung 9224 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF9540NSTRL | Infineon |
P-MOSFET 23A 100V 3.8W 0.12Ω IRF9540NS TIRF9540ns Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9540NSTRL | International Rectifier |
P-MOSFET 23A 100V 3.8W 0.12Ω IRF9540NS TIRF9540ns Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 7264 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC |
auf Bestellung 4899 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 7200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFI540N | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540N; IRFI540; IRFI540 ISO INFINEON; IRFI540N TIRF540 iso Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFI540N | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540N; IRFI540; IRFI540 ISO INFINEON; IRFI540N TIRF540 iso Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFI540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP Case: TO220FP Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 18A Gate charge: 62.7nC On-state resistance: 52mΩ Power dissipation: 42W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB Produktcode: 3289
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Lieblingsprodukt
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![]() |
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar: 2260 Stück
31 Stück - stock Köln
2229 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
2229 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.88 EUR |
| 10+ | 0.79 EUR |
| IRF540NSPBF Produktcode: 34259
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Lieblingsprodukt
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![]() |
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: SMD
auf Bestellung 45 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF9540NPBF Produktcode: 31944
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 23
Rds(on),Om: 0.117
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 23
Rds(on),Om: 0.117
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
/: THT
auf Bestellung 572 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.58 EUR |
| 10+ | 0.52 EUR |
| IRF9540NSPBF Produktcode: 62471
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 117 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1450/73
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 117 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1450/73
/: SMD
auf Bestellung 72 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRL540NPBF Produktcode: 25626
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 36
Rds(on), Ohm: 0.044
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/74
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 36
Rds(on), Ohm: 0.044
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/74
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
verfügbar: 57 Stück
5 Stück - stock Köln
52 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
52 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.6 EUR |
| 10+ | 0.56 EUR |
| SN74HC7540N Produktcode: 30077
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: NXP
IC > IC Logik
Gehäuse: DIP-20
Beschreibung: Buffers & Line Drivers OCTAL SCHMITT TRIGGER BUR/DRVR
Analog 74хх: THT
Strom.V: 2...6V
T°C: -40…+125°C
IC > IC Logik
Gehäuse: DIP-20
Beschreibung: Buffers & Line Drivers OCTAL SCHMITT TRIGGER BUR/DRVR
Analog 74хх: THT
Strom.V: 2...6V
T°C: -40…+125°C
auf Bestellung 42 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 1.54 EUR |
| AUIRF9540N |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 100V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 AUIRF9540N TAUIRF9540n
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Trans MOSFET P-CH Si 100V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 AUIRF9540N TAUIRF9540n
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 3.94 EUR |
| DC540N/W1 |
![]() |
Hersteller: TAJIMA
Category: Shears, Scissors, Knives
Description: Knife; professional,universal; 18mm
Type of tool: knife
Oblique pliers/knives features: locked blade; pulled out, breakable blade
Pliers/knives application: professional; universal
Width: 18mm
Standard equipment: blade x1
Category: Shears, Scissors, Knives
Description: Knife; professional,universal; 18mm
Type of tool: knife
Oblique pliers/knives features: locked blade; pulled out, breakable blade
Pliers/knives application: professional; universal
Width: 18mm
Standard equipment: blade x1
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 13.9 EUR |
| 10+ | 12.91 EUR |
| DC540N/W1 |
![]() |
Hersteller: TAJIMA
Category: Shears, Scissors, Knives
Description: Knife; professional,universal; 18mm
Type of tool: knife
Oblique pliers/knives features: locked blade; pulled out, breakable blade
Pliers/knives application: professional; universal
Width: 18mm
Standard equipment: blade x1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Shears, Scissors, Knives
Description: Knife; professional,universal; 18mm
Type of tool: knife
Oblique pliers/knives features: locked blade; pulled out, breakable blade
Pliers/knives application: professional; universal
Width: 18mm
Standard equipment: blade x1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 13.9 EUR |
| 10+ | 12.91 EUR |
| DN2540N3-G |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 120mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92
Case: TO92
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.5A
On-state resistance: 25Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: bulk
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 120mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92
Case: TO92
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.5A
On-state resistance: 25Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: bulk
auf Bestellung 469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 58+ | 1.24 EUR |
| 61+ | 1.19 EUR |
| 72+ | 1 EUR |
| DN2540N3-G |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 120mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92
Case: TO92
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.5A
On-state resistance: 25Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 120mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92
Case: TO92
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.5A
On-state resistance: 25Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 469 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 58+ | 1.24 EUR |
| 61+ | 1.19 EUR |
| 72+ | 1 EUR |
| DN2540N3-G |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 400V 25Ohm
MOSFETs 400V 25Ohm
auf Bestellung 1012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.47 EUR |
| 25+ | 1.21 EUR |
| 100+ | 1.11 EUR |
| DN2540N3-G-P003 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs N-Channel MOSFET 400V 0.12A 3P TO-92
MOSFETs N-Channel MOSFET 400V 0.12A 3P TO-92
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.54 EUR |
| 25+ | 1.3 EUR |
| 100+ | 1.18 EUR |
| 10000+ | 1.16 EUR |
| DN2540N5-G |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 500mA; Idm: 0.5A; 15W; TO220
Case: TO220
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 0.5A
On-state resistance: 25Ω
Power dissipation: 15W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 500mA; Idm: 0.5A; 15W; TO220
Case: TO220
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 0.5A
On-state resistance: 25Ω
Power dissipation: 15W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 34+ | 2.13 EUR |
| 36+ | 2 EUR |
| 37+ | 1.94 EUR |
| 100+ | 1.82 EUR |
| DN2540N5-G |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 500mA; Idm: 0.5A; 15W; TO220
Case: TO220
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 0.5A
On-state resistance: 25Ω
Power dissipation: 15W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 500mA; Idm: 0.5A; 15W; TO220
Case: TO220
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 0.5A
On-state resistance: 25Ω
Power dissipation: 15W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 34+ | 2.13 EUR |
| 36+ | 2 EUR |
| 37+ | 1.94 EUR |
| 100+ | 1.82 EUR |
| DN2540N5-G |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 400V 25Ohm
MOSFETs 400V 25Ohm
auf Bestellung 3098 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.66 EUR |
| 25+ | 2.22 EUR |
| 100+ | 2.02 EUR |
| DN2540N8-G |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 170mA; Idm: 0.5A; 1.6W
Case: SOT89-3
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.5A
On-state resistance: 25Ω
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 170mA; Idm: 0.5A; 1.6W
Case: SOT89-3
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.5A
On-state resistance: 25Ω
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 41+ | 1.74 EUR |
| 45+ | 1.6 EUR |
| 46+ | 1.59 EUR |
| DN2540N8-G |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 170mA; Idm: 0.5A; 1.6W
Case: SOT89-3
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.5A
On-state resistance: 25Ω
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 170mA; Idm: 0.5A; 1.6W
Case: SOT89-3
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.5A
On-state resistance: 25Ω
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 41+ | 1.74 EUR |
| 45+ | 1.6 EUR |
| 46+ | 1.59 EUR |
| DN2540N8-G |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 400V 170MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 170MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 1.21 EUR |
| DN2540N8-G |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 400V 25Ohm
MOSFETs 400V 25Ohm
auf Bestellung 13501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.61 EUR |
| 25+ | 1.35 EUR |
| 100+ | 1.21 EUR |
| DN2540N8-G |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 400V 170MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 170MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 7160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 11+ | 1.6 EUR |
| 25+ | 1.34 EUR |
| DS1015-40NN2A |
![]() |
Hersteller: CONNFLY
Category: IDC connectors
Description: Connector: IDC; plug; male; PIN: 40; IDC; for ribbon cable; 2.54mm
Type of connector: IDC
Connector: plug
Kind of connector: male
Number of pins: 40
Electrical mounting: IDC
Contacts pitch: 2.54mm
Connector pinout layout: 2x20
Contact plating: gold-plated
Mechanical mounting: for ribbon cable
Tape pitch: 1.27mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IDC connectors
Description: Connector: IDC; plug; male; PIN: 40; IDC; for ribbon cable; 2.54mm
Type of connector: IDC
Connector: plug
Kind of connector: male
Number of pins: 40
Electrical mounting: IDC
Contacts pitch: 2.54mm
Connector pinout layout: 2x20
Contact plating: gold-plated
Mechanical mounting: for ribbon cable
Tape pitch: 1.27mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 607 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 26+ | 2.79 EUR |
| 32+ | 2.3 EUR |
| 43+ | 1.7 EUR |
| 168+ | 1.43 EUR |
| 504+ | 0.96 EUR |
| DZ540N22K |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Diode Modules 2200V 1150A
Diode Modules 2200V 1150A
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 419.43 EUR |
| 12+ | 310.11 EUR |
| DZ540N26K |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Diode Modules 2600V 1150A
Diode Modules 2600V 1150A
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 409.53 EUR |
| 12+ | 354.94 EUR |
| ESB25-40N-01 |
Hersteller: ABB
Contactors - Electromechanical INSTALLATION CONTACTOR
Contactors - Electromechanical INSTALLATION CONTACTOR
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 365.15 EUR |
| 10+ | 343.16 EUR |
| 25+ | 340.37 EUR |
| IRF540N |
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 1.21 EUR |
| IRF540N |
Hersteller: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.49 EUR |
| IRF540N |
Hersteller: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.49 EUR |
| IRF540N-ML |
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.02 EUR |
| IRF540NL |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 2.76 EUR |
| IRF540NL |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 2.76 EUR |
| IRF540NL |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 2.78 EUR |
| IRF540NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Gate charge: 47.3nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 140W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Gate charge: 47.3nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 140W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 76+ | 0.94 EUR |
| 100+ | 0.72 EUR |
| 109+ | 0.66 EUR |
| 115+ | 0.62 EUR |
| 122+ | 0.59 EUR |
| 200+ | 0.56 EUR |
| 250+ | 0.55 EUR |
| 500+ | 0.53 EUR |
| 1000+ | 0.51 EUR |
| IRF540NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Gate charge: 47.3nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 140W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Gate charge: 47.3nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 140W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 76+ | 0.94 EUR |
| 100+ | 0.72 EUR |
| 109+ | 0.66 EUR |
| 115+ | 0.62 EUR |
| 122+ | 0.59 EUR |
| 200+ | 0.56 EUR |
| 250+ | 0.55 EUR |
| IRF540NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
auf Bestellung 63571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 13+ | 1.43 EUR |
| 50+ | 0.91 EUR |
| 100+ | 0.86 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 1000+ | 0.78 EUR |
| 2000+ | 0.75 EUR |
| 5000+ | 0.69 EUR |
| IRF540NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
auf Bestellung 11390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.33 EUR |
| 10+ | 0.91 EUR |
| 100+ | 0.83 EUR |
| 500+ | 0.81 EUR |
| 1000+ | 0.76 EUR |
| 2000+ | 0.74 EUR |
| 5000+ | 0.72 EUR |
| IRF540NS | ![]() |
Hersteller: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.1 EUR |
| IRF540NS | ![]() |
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS JSMICRO TIRF540ns JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS JSMICRO TIRF540ns JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 1.25 EUR |
| IRF540NS | ![]() |
Hersteller: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 1.11 EUR |
| IRF540NSTRL |
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NSTRL UMW TIRF540ns UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NSTRL UMW TIRF540ns UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.11 EUR |
| IRF540NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
auf Bestellung 1773 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.8 EUR |
| 10+ | 1.82 EUR |
| 100+ | 1.15 EUR |
| IRF540NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 800+ | 0.86 EUR |
| IRF540NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
auf Bestellung 9816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.76 EUR |
| 10+ | 1.81 EUR |
| 100+ | 1 EUR |
| 500+ | 0.95 EUR |
| 800+ | 0.85 EUR |
| IRF9540N | ![]() |
Hersteller: JSMSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 20A; 58W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9540; IRF9540N; SP001560174; IRF9540N JSMICRO TIRF9540n JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 20A; 58W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9540; IRF9540N; SP001560174; IRF9540N JSMICRO TIRF9540n JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 30+ | 1.25 EUR |
| IRF9540N | ![]() |
Hersteller: Infineon
P-MOSFET 23A 100V 140W 0.12Ω Replacement: IRF9540 IRF9540N IRF9540N TIRF9540n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 23A 100V 140W 0.12Ω Replacement: IRF9540 IRF9540N IRF9540N TIRF9540n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 873 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.93 EUR |
| IRF9540N | ![]() |
Hersteller: Infineon
P-MOSFET 23A 100V 140W 0.12Ω Replacement: IRF9540 IRF9540N IRF9540N TIRF9540n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 23A 100V 140W 0.12Ω Replacement: IRF9540 IRF9540N IRF9540N TIRF9540n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.93 EUR |
| IRF9540NL |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 23A 100V IRF9540NL TIRF9540nl
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
P-MOSFET 23A 100V IRF9540NL TIRF9540nl
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 2.88 EUR |
| IRF9540NLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Case: TO262
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Technology: HEXFET®
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Case: TO262
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 26+ | 2.77 EUR |
| 32+ | 2.29 EUR |
| 50+ | 1.96 EUR |
| 100+ | 1.83 EUR |
| IRF9540NLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Case: TO262
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Case: TO262
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 26+ | 2.77 EUR |
| 32+ | 2.29 EUR |
| 50+ | 1.96 EUR |
| 100+ | 1.83 EUR |
| 500+ | 1.56 EUR |
| IRF9540NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 64.7nC
On-state resistance: 0.117Ω
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 64.7nC
On-state resistance: 0.117Ω
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF9540NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 4324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.69 EUR |
| 50+ | 1.22 EUR |
| 100+ | 1.15 EUR |
| 500+ | 0.98 EUR |
| 1000+ | 0.91 EUR |
| 2000+ | 0.84 EUR |
| IRF9540NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
auf Bestellung 9224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.55 EUR |
| 10+ | 2.27 EUR |
| 25+ | 1.17 EUR |
| 100+ | 1.06 EUR |
| 500+ | 0.94 EUR |
| 1000+ | 0.9 EUR |
| 2000+ | 0.84 EUR |
| IRF9540NSTRL |
Hersteller: Infineon
P-MOSFET 23A 100V 3.8W 0.12Ω IRF9540NS TIRF9540ns
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 23A 100V 3.8W 0.12Ω IRF9540NS TIRF9540ns
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.83 EUR |
| IRF9540NSTRL |
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 23A 100V 3.8W 0.12Ω IRF9540NS TIRF9540ns
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 23A 100V 3.8W 0.12Ω IRF9540NS TIRF9540ns
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.83 EUR |
| IRF9540NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 7264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 3.52 EUR |
| 10+ | 2.25 EUR |
| 100+ | 1.53 EUR |
| IRF9540NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
auf Bestellung 4899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.52 EUR |
| 10+ | 2.27 EUR |
| 100+ | 1.54 EUR |
| 800+ | 1.02 EUR |
| IRF9540NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 800+ | 1.06 EUR |
| 1600+ | 1.04 EUR |
| 2400+ | 1.02 EUR |
| 4000+ | 0.97 EUR |
| IRFI540N |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540N; IRFI540; IRFI540 ISO INFINEON; IRFI540N TIRF540 iso
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540N; IRFI540; IRFI540 ISO INFINEON; IRFI540N TIRF540 iso
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 2.77 EUR |
| IRFI540N |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540N; IRFI540; IRFI540 ISO INFINEON; IRFI540N TIRF540 iso
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540N; IRFI540; IRFI540 ISO INFINEON; IRFI540N TIRF540 iso
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 2.77 EUR |
| IRFI540NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Gate charge: 62.7nC
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 42W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Gate charge: 62.7nC
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 42W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 41+ | 1.74 EUR |
| 52+ | 1.4 EUR |
| 60+ | 1.2 EUR |
| 100+ | 1.1 EUR |
| 250+ | 1 EUR |
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