Suchergebnisse für "IRF530" : > 60
Wählen Sie Seite:
1
2
[ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 599 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 373 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 390 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 306 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF5305PBF Produktcode: 40618
3
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
IR |
 Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Id, A: 31 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63 Montage: THT |
auf Bestellung: 376 St.
|
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5305SPBF Produktcode: 37024
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: D2Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В Drain-Strom Id, A: 31 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63 Montage: SMD |
auf Bestellung: 64 St.
|
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5305SPBF Produktcode: 185643
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
JSMICRO |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: D2Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В Drain-Strom Id, A: 31 А Montage: SMD |
auf Bestellung: 9 St.
|
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530NPBF Produktcode: 50641
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 17 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10,5 Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 920/37 Montage: THT |
auf Bestellung: 289 St.
|
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530NS Produktcode: 117672
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В Drain-Strom Idd, A: 17 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 90 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 920/37 Montage: SMD |
auf Bestellung: 19 St.
|
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF530S Produktcode: 53545
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Vishay |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 10 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 670/26 Montage: SMD |
auf Bestellung: 3 St.
|
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530 | Siliconix |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5305 | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5305 | International Rectifier |
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 256 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5305 | JSMicro Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5305 | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5305PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -31A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC |
auf Bestellung 3842 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 18259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1139 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3422 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 8838 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 17000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 28635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1139 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5305PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
auf Bestellung 3805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 17005 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3422 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
| IRF5305STRL | Infineon |
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| IRF5305STRL | Infineon |
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF5305STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -31A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1677 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
|
IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 26696 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 26400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 73600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 5799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5305STRLPBF | International Rectifier |
P-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD) Транзистори |
auf Bestellung 318 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5305STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
auf Bestellung 8570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 5799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 73600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5305STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
auf Bestellung 8570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5305STRRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH 60mOhm HEXFET -31A ID |
auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530N | International Rectifier |
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530N | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530N | Infineon |
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530N | International Rectifier |
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
| IRF530N-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF530NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Gate charge: 24.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 3412 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5787 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC |
auf Bestellung 12322 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 45573 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 8599 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 59000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 61987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 63W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm |
auf Bestellung 5923 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 8599 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 61987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 46603 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 59000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530NS | JSMSEMI |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSM Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530NS | International Rectifier |
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel |
auf Bestellung 639 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
|
IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6163 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| IRF5305PBF Produktcode: 40618
3
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 31 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 31 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: THT
auf Bestellung: 376 St.
- 376 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.37 EUR |
| 10+ | 1.24 EUR |
| 100+ | 1.09 EUR |
| IRF5305SPBF Produktcode: 37024
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Id, A: 31 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Id, A: 31 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: SMD
auf Bestellung: 64 St.
- 64 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.21 EUR |
| 10+ | 1.09 EUR |
| 100+ | 0.98 EUR |
| IRF5305SPBF Produktcode: 185643
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Id, A: 31 А
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Id, A: 31 А
Montage: SMD
auf Bestellung: 9 St.
- 9 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.88 EUR |
| 10+ | 1.73 EUR |
| IRF530NPBF Produktcode: 50641
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10,5
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 920/37
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10,5
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 920/37
Montage: THT
auf Bestellung: 289 St.
- 289 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 0.69 EUR |
| 10+ | 0.62 EUR |
| 100+ | 0.56 EUR |
| IRF530NS Produktcode: 117672
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
|
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 17 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 90 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 920/37
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 17 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 90 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 920/37
Montage: SMD
auf Bestellung: 19 St.
- 19 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.52 EUR |
| IRF530S Produktcode: 53545
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 670/26
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 670/26
Montage: SMD
auf Bestellung: 3 St.
- 3 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.04 EUR |
| 10+ | 0.93 EUR |
| IRF530 |
|
Hersteller: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.87 EUR |
| IRF5305 |
|
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 1.31 EUR |
| IRF5305 |
|
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 1.81 EUR |
| IRF5305 |
|
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 1.44 EUR |
| IRF5305 |
|
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.21 EUR |
| IRF5305PBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF5305PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
auf Bestellung 3842 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.7 EUR |
| 10+ | 1.98 EUR |
| 100+ | 1.59 EUR |
| 500+ | 1.3 EUR |
| 1000+ | 1.14 EUR |
| 2000+ | 1.05 EUR |
| 5000+ | 1 EUR |
| IRF5305PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 18259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.82 EUR |
| 10+ | 3.09 EUR |
| 50+ | 2.34 EUR |
| 100+ | 2.11 EUR |
| 500+ | 1.69 EUR |
| IRF5305PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 123+ | 1.4 EUR |
| 156+ | 1.07 EUR |
| 157+ | 1.02 EUR |
| 169+ | 0.9 EUR |
| 500+ | 0.73 EUR |
| IRF5305PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 58+ | 3 EUR |
| 103+ | 1.65 EUR |
| 113+ | 1.48 EUR |
| 122+ | 1.34 EUR |
| 500+ | 0.92 EUR |
| IRF5305PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 1.73 EUR |
| 101+ | 1.69 EUR |
| 120+ | 1.38 EUR |
| 500+ | 0.92 EUR |
| IRF5305PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.64 EUR |
| 2000+ | 0.62 EUR |
| IRF5305PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 28635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 51+ | 3.38 EUR |
| 100+ | 1.67 EUR |
| 101+ | 1.58 EUR |
| 121+ | 1.27 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| IRF5305PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 156+ | 1.11 EUR |
| 157+ | 1.08 EUR |
| 169+ | 0.98 EUR |
| 500+ | 0.8 EUR |
| IRF5305PBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 3805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 76+ | 3.3 EUR |
| 102+ | 2.28 EUR |
| 143+ | 1.5 EUR |
| 500+ | 1.19 EUR |
| 1000+ | 1.12 EUR |
| IRF5305PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 87+ | 2 EUR |
| 100+ | 1.88 EUR |
| 250+ | 1.76 EUR |
| 500+ | 1.67 EUR |
| 1000+ | 1.58 EUR |
| IRF5305PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 599+ | 1.08 EUR |
| 1000+ | 0.98 EUR |
| IRF5305PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.64 EUR |
| 2000+ | 0.61 EUR |
| IRF5305PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 58+ | 3 EUR |
| 103+ | 1.62 EUR |
| 113+ | 1.42 EUR |
| 122+ | 1.27 EUR |
| 500+ | 0.86 EUR |
| IRF5305STRL |
|
Hersteller: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 2.3 EUR |
| IRF5305STRL |
|
Hersteller: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 2.3 EUR |
| IRF5305STRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1677 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF5305STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 26696 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.71 EUR |
| 10+ | 3.71 EUR |
| 50+ | 2.84 EUR |
| 100+ | 2.56 EUR |
| IRF5305STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 26400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.96 EUR |
| 2400+ | 1.75 EUR |
| IRF5305STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 73600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.42 EUR |
| IRF5305STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 4.32 EUR |
| 59+ | 2.88 EUR |
| 100+ | 1.98 EUR |
| 500+ | 1.51 EUR |
| 800+ | 1.48 EUR |
| IRF5305STRLPBF |
|
Hersteller: International Rectifier
P-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD) Транзистори
P-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD) Транзистори
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 4.08 EUR |
| IRF5305STRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 8570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 36+ | 7.02 EUR |
| 71+ | 3.3 EUR |
| 100+ | 2.74 EUR |
| 500+ | 2.42 EUR |
| 1000+ | 2.09 EUR |
| IRF5305STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 4.32 EUR |
| 59+ | 2.81 EUR |
| 100+ | 1.89 EUR |
| 500+ | 1.44 EUR |
| 800+ | 1.36 EUR |
| IRF5305STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 73600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.43 EUR |
| IRF5305STRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 8570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.74 EUR |
| 500+ | 2.42 EUR |
| 1000+ | 2.09 EUR |
| IRF5305STRRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH 60mOhm HEXFET -31A ID
MOSFETs 30V 1 N-CH 60mOhm HEXFET -31A ID
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.55 EUR |
| 10+ | 2.89 EUR |
| 100+ | 1.95 EUR |
| 500+ | 1.57 EUR |
| 800+ | 1.4 EUR |
| 2400+ | 1.32 EUR |
| 4800+ | 1.26 EUR |
| IRF530N |
|
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.13 EUR |
| IRF530N |
|
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.09 EUR |
| IRF530N |
|
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.13 EUR |
| IRF530N |
|
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.13 EUR |
| IRF530N-ML |
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.12 EUR |
| IRF530NPBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF530NPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
auf Bestellung 5787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 2.26 EUR |
| 15+ | 1.43 EUR |
| 50+ | 1.06 EUR |
| 100+ | 0.94 EUR |
| 500+ | 0.73 EUR |
| IRF530NPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
auf Bestellung 12322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.07 EUR |
| 10+ | 0.96 EUR |
| 100+ | 0.83 EUR |
| 500+ | 0.64 EUR |
| 1000+ | 0.62 EUR |
| 2000+ | 0.61 EUR |
| IRF530NPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 45573 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 142+ | 1.21 EUR |
| 307+ | 0.54 EUR |
| 310+ | 0.51 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.46 EUR |
| 2000+ | 0.44 EUR |
| 5000+ | 0.4 EUR |
| 10000+ | 0.3 EUR |
| IRF530NPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8599 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 84+ | 2.06 EUR |
| 240+ | 0.69 EUR |
| 242+ | 0.67 EUR |
| 500+ | 0.63 EUR |
| 1000+ | 0.6 EUR |
| 2000+ | 0.56 EUR |
| 5000+ | 0.48 EUR |
| IRF530NPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 59000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.7 EUR |
| 2000+ | 0.65 EUR |
| 5000+ | 0.56 EUR |
| 10000+ | 0.42 EUR |
| IRF530NPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 129+ | 2.06 EUR |
| IRF530NPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 61987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 373+ | 0.46 EUR |
| 390+ | 0.43 EUR |
| IRF530NPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
auf Bestellung 5923 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 82+ | 3.07 EUR |
| 174+ | 1.34 EUR |
| 216+ | 1 EUR |
| 500+ | 0.81 EUR |
| 1000+ | 0.74 EUR |
| 5000+ | 0.65 EUR |
| IRF530NPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8599 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 84+ | 2.06 EUR |
| 240+ | 0.71 EUR |
| 242+ | 0.69 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| 2000+ | 0.62 EUR |
| 5000+ | 0.54 EUR |
| IRF530NPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 61987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 390+ | 0.44 EUR |
| IRF530NPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 46603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 306+ | 0.56 EUR |
| 309+ | 0.55 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
| 1000+ | 0.51 EUR |
| 2000+ | 0.5 EUR |
| 5000+ | 0.48 EUR |
| 10000+ | 0.33 EUR |
| IRF530NPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 59000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.7 EUR |
| 2000+ | 0.67 EUR |
| 5000+ | 0.58 EUR |
| 10000+ | 0.44 EUR |
| IRF530NS |
|
Hersteller: JSMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.21 EUR |
| IRF530NS |
|
Hersteller: International Rectifier
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 1.61 EUR |
| IRF530NSTRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF530NSTRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
auf Bestellung 6163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.96 EUR |
| 10+ | 3.2 EUR |
| 50+ | 2.44 EUR |
| 100+ | 2.2 EUR |
Wählen Sie Seite:
1
2
[ Nächste Seite >> ]