Suchergebnisse für "IRF530" : > 60

Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF5305PBF IRF5305PBF
Produktcode: 40618
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

IR irf5305pbf-datasheet.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 31
Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: THT
auf Bestellung 594 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.47 EUR
10+0.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305SPBF IRF5305SPBF
Produktcode: 185643
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

JSMICRO irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
/: SMD
auf Bestellung 47 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF IRF530NPBF
Produktcode: 50641
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

IR irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: THT
auf Bestellung 147 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.48 EUR
10+0.44 EUR
100+0.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NS IRF530NS
Produktcode: 117672
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Infineon-IRF530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: SMD
auf Bestellung 10 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530S IRF530S
Produktcode: 53545
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Vishay sihf530s.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 100
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
JHGF: SMD
auf Bestellung 21 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530 Siliconix IRF530.pdf irf530.pdf HRISD017-4-286.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305 JSMicro Semiconductor Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305 UMW Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305 International Rectifier P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1186 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 1189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+1.42 EUR
62+1.16 EUR
128+0.56 EUR
135+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1189 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
62+1.16 EUR
128+0.56 EUR
135+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies Infineon_IRF5305_DataSheet_v01_01_EN-3362784.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
auf Bestellung 6973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.55 EUR
10+1.9 EUR
25+1.29 EUR
100+1.21 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.87 EUR
2000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies irf5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e370101993 Description: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 28810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.69 EUR
50+1.32 EUR
100+1.26 EUR
500+1 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.85 EUR
5000+0.79 EUR
10000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.56 EUR
149+0.93 EUR
200+0.81 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IR irf5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e370101993 Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
436+1.23 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 436
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 55951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.61 EUR
150+0.92 EUR
161+0.83 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.64 EUR
4000+0.48 EUR
10000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 89
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 55951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON INFN-S-A0012826566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.63 EUR
143+0.97 EUR
157+0.85 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+1.67 EUR
100+1.54 EUR
250+1.42 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 86
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRL Infineon 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRL Infineon 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63DB1C1ECCF1A303005056AB0C4F&compId=irf5305spbf.pdf?ci_sign=8d8f60bc4dd0bfdf2437e18ae5f2bbd287da7428 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.23 EUR
41+1.76 EUR
94+0.77 EUR
99+0.73 EUR
800+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 description Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.12 EUR
1600+1.03 EUR
2400+0.99 EUR
4000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 description Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.41 EUR
10+2.18 EUR
100+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf-3363922.pdf description MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
auf Bestellung 11836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.17 EUR
10+1.95 EUR
100+1.38 EUR
500+1.37 EUR
800+1.01 EUR
2400+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF Infineon irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 description Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+5.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 13600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 27200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.78 EUR
1600+0.74 EUR
2400+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.13 EUR
145+0.92 EUR
250+0.8 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.37 EUR
122+1.09 EUR
145+0.88 EUR
250+0.77 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 104
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 12450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 27200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.78 EUR
1600+0.74 EUR
2400+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 13600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.89 EUR
2400+0.71 EUR
4000+0.66 EUR
5600+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530A IRF530A ONSEMI 256488.pdf Description: ONSEMI - IRF530A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530N Infineon N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530N JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+1.04 EUR
122+0.59 EUR
196+0.37 EUR
207+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 741 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.04 EUR
122+0.59 EUR
196+0.37 EUR
207+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
auf Bestellung 20373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.71 EUR
17+1.06 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.59 EUR
5000+0.53 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF530N_DataSheet_v01_01_EN-3362954.pdf MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
auf Bestellung 8680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.73 EUR
10+1.06 EUR
100+0.92 EUR
250+0.91 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.8 EUR
233+0.59 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.35 EUR
4000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 62027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 223
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 63366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+0.69 EUR
254+0.54 EUR
274+0.48 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.36 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 207
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON INFN-S-A0012827046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF IR irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=100V; Id=17A; Pdmax=70W; Rds=90mOhm
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 191
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 62027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+0.83 EUR
223+0.62 EUR
246+0.54 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.38 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 172
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.07 EUR
191+0.72 EUR
218+0.61 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 63366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 255
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NS International Rectifier irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+1.33 EUR
59+1.23 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF
Produktcode: 40618
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

irf5305pbf-datasheet.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 31
Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: THT
auf Bestellung 594 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.47 EUR
10+0.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305SPBF
Produktcode: 185643
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995
IRF5305SPBF
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
/: SMD
auf Bestellung 47 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF
Produktcode: 50641
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a
IRF530NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: THT
auf Bestellung 147 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.48 EUR
10+0.44 EUR
100+0.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NS
Produktcode: 117672
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Infineon-IRF530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF530NS
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: SMD
auf Bestellung 10 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530S
Produktcode: 53545
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

sihf530s.pdf
IRF530S
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 100
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
JHGF: SMD
auf Bestellung 21 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530 IRF530.pdf irf530.pdf HRISD017-4-286.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1186 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530
IRF5305PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 1189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
62+1.16 EUR
128+0.56 EUR
135+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530
IRF5305PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1189 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
62+1.16 EUR
128+0.56 EUR
135+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF Infineon_IRF5305_DataSheet_v01_01_EN-3362784.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
auf Bestellung 6973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.55 EUR
10+1.9 EUR
25+1.29 EUR
100+1.21 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.87 EUR
2000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF irf5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e370101993
IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 28810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.69 EUR
50+1.32 EUR
100+1.26 EUR
500+1 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.85 EUR
5000+0.79 EUR
10000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
92+1.56 EUR
149+0.93 EUR
200+0.81 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF irf5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e370101993
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
436+1.23 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 436
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 55951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
89+1.61 EUR
150+0.92 EUR
161+0.83 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.64 EUR
4000+0.48 EUR
10000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 89
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 55951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
151+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF INFN-S-A0012826566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5305PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
88+1.63 EUR
143+0.97 EUR
157+0.85 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
86+1.67 EUR
100+1.54 EUR
250+1.42 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 86
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
143+1 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRL 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf
Hersteller: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRL 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf
Hersteller: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63DB1C1ECCF1A303005056AB0C4F&compId=irf5305spbf.pdf?ci_sign=8d8f60bc4dd0bfdf2437e18ae5f2bbd287da7428
IRF5305STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.23 EUR
41+1.76 EUR
94+0.77 EUR
99+0.73 EUR
800+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995
IRF5305STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.12 EUR
1600+1.03 EUR
2400+0.99 EUR
4000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995
IRF5305STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.41 EUR
10+2.18 EUR
100+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf-3363922.pdf
IRF5305STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
auf Bestellung 11836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.17 EUR
10+1.95 EUR
100+1.38 EUR
500+1.37 EUR
800+1.01 EUR
2400+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 13600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF description IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5305STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 27200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.78 EUR
1600+0.74 EUR
2400+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF description IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5305STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
122+1.13 EUR
145+0.92 EUR
250+0.8 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
104+1.37 EUR
122+1.09 EUR
145+0.88 EUR
250+0.77 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 104
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 12450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
57+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 27200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.78 EUR
1600+0.74 EUR
2400+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 13600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.89 EUR
2400+0.71 EUR
4000+0.66 EUR
5600+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530A 256488.pdf
IRF530A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRF530A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530N
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530N
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530N-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283
IRF530NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
122+0.59 EUR
196+0.37 EUR
207+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283
IRF530NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 741 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
122+0.59 EUR
196+0.37 EUR
207+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
auf Bestellung 20373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.71 EUR
17+1.06 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.59 EUR
5000+0.53 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF Infineon_IRF530N_DataSheet_v01_01_EN-3362954.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
auf Bestellung 8680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.73 EUR
10+1.06 EUR
100+0.92 EUR
250+0.91 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.8 EUR
233+0.59 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.35 EUR
4000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 62027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
223+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 223
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 63366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
207+0.69 EUR
254+0.54 EUR
274+0.48 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.36 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 207
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF INFN-S-A0012827046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF530NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=100V; Id=17A; Pdmax=70W; Rds=90mOhm
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
191+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 191
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 62027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
172+0.83 EUR
223+0.62 EUR
246+0.54 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.38 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 172
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
134+1.07 EUR
191+0.72 EUR
218+0.61 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 63366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
255+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 255
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NS irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c
Hersteller: International Rectifier
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c
IRF530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.33 EUR
59+1.23 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]