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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF5305PBF Produktcode: 40618
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IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 55 Id,A: 31 Rds(on),Om: 0.06 Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63 /: THT |
verfügbar: 260 Stück
12 Stück - stock Köln
248 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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IRF5305SPBF Produktcode: 185643
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JSMICRO |
![]() Gehäuse: D2Pak Uds,V: 55 V Id,A: 31 A /: SMD |
auf Bestellung 29 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 100 Stück: 100 Stück - erwartet 20.02.2025 |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF530NPBF Produktcode: 50641
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 Idd,A: 17 Rds(on), Ohm: 01.09.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 920/37 JHGF: THT |
auf Bestellung 145 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF530NS Produktcode: 117672
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Lieblingsprodukt
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![]() Gehäuse: D2PAK (TO-263) Uds,V: 100 V Idd,A: 17 A Rds(on), Ohm: 90 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 920/37 JHGF: SMD |
auf Bestellung 3 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
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IRF530S Produktcode: 53545
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Lieblingsprodukt
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Vishay |
![]() Gehäuse: D-Pak Uds,V: 100 Idd,A: 10 Rds(on), Ohm: 0.16 Ciss, pF/Qg, nC: 670/26 JHGF: SMD |
auf Bestellung 41 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF530 | Siliconix |
![]() ![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 375 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF5305 | International Rectifier |
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 1596 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF5305 | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF5305PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -31A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 1673 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5305PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -31A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1673 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF5305PBF | UMW |
![]() Packaging: Tube |
auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF5305PBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 29839 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF5305PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4033 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5305PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1409 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5305PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 15861 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5305PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF5305PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IRF5305PBF | IR |
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auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5305PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1671 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF5305PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5305PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 15861 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5305STRL | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF5305STRL | UMW |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF5305STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -31A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 568 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7936 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7936 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF5305STRLPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF5305STRLPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 84800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 6400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5305STRLPBF | Infineon |
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auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 6400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 12775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 84800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530A | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 723 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IRF530N | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF530N | Infineon |
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF530N-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF530NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Gate charge: 24.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Gate charge: 24.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 268 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1906 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF530NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 12133 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF530NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 70037 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IRF530NPBF | IR |
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auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1897 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 70037 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 1897 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530NS | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF530NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 634 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 634 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2016 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
auf Bestellung 757 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 9839 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5305PBF Produktcode: 40618
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 31
Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 31
Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: THT
verfügbar: 260 Stück
12 Stück - stock Köln
248 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
248 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.47 EUR |
10+ | 0.45 EUR |
IRF5305SPBF Produktcode: 185643
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: JSMICRO
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
/: SMD
auf Bestellung 29 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 100 Stück:
100 Stück - erwartet 20.02.2025Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF530NPBF Produktcode: 50641
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: THT
auf Bestellung 145 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 0.48 EUR |
10+ | 0.44 EUR |
100+ | 0.43 EUR |
IRF530NS Produktcode: 117672
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: SMD
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: SMD
auf Bestellung 3 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF530S Produktcode: 53545
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 100
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 100
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
JHGF: SMD
auf Bestellung 41 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.46 EUR |
IRF530 |
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Hersteller: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.64 EUR |
IRF5305 |
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1596 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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20+ | 1.90 EUR |
IRF5305 |
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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50+ | 1.06 EUR |
IRF5305PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 1673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
39+ | 1.87 EUR |
62+ | 1.17 EUR |
124+ | 0.58 EUR |
131+ | 0.55 EUR |
IRF5305PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1673 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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39+ | 1.87 EUR |
62+ | 1.17 EUR |
124+ | 0.58 EUR |
131+ | 0.55 EUR |
IRF5305PBF |
![]() |
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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8+ | 2.31 EUR |
13+ | 1.46 EUR |
100+ | 0.97 EUR |
IRF5305PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 29839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 2.71 EUR |
50+ | 1.54 EUR |
100+ | 1.41 EUR |
500+ | 1.12 EUR |
1000+ | 1.02 EUR |
2000+ | 0.95 EUR |
5000+ | 0.86 EUR |
10000+ | 0.85 EUR |
IRF5305PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
192+ | 0.84 EUR |
199+ | 0.78 EUR |
205+ | 0.73 EUR |
1000+ | 0.70 EUR |
2000+ | 0.67 EUR |
4000+ | 0.57 EUR |
IRF5305PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
105+ | 1.54 EUR |
110+ | 1.42 EUR |
250+ | 1.31 EUR |
500+ | 1.22 EUR |
1000+ | 1.13 EUR |
IRF5305PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
115+ | 1.40 EUR |
135+ | 1.16 EUR |
500+ | 0.93 EUR |
1000+ | 0.77 EUR |
4000+ | 0.60 EUR |
10000+ | 0.57 EUR |
IRF5305PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5305PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5305PBF |
![]() ![]() |
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.83 EUR |
10+ | 3.38 EUR |
100+ | 3.08 EUR |
IRF5305PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5305PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
592+ | 1.02 EUR |
1000+ | 0.93 EUR |
IRF5305PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
67+ | 2.41 EUR |
116+ | 1.35 EUR |
135+ | 1.11 EUR |
500+ | 0.90 EUR |
1000+ | 0.74 EUR |
4000+ | 0.58 EUR |
10000+ | 0.55 EUR |
IRF5305STRL |
![]() |
Hersteller: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 3.29 EUR |
IRF5305STRL |
![]() |
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 0.82 EUR |
IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
33+ | 2.20 EUR |
46+ | 1.56 EUR |
94+ | 0.77 EUR |
99+ | 0.73 EUR |
IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 7936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 2.00 EUR |
IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 7936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 3.12 EUR |
10+ | 2.23 EUR |
100+ | 2.02 EUR |
IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 84800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 0.97 EUR |
IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 1.25 EUR |
IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.76 EUR |
10+ | 5.38 EUR |
100+ | 4.99 EUR |
IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 1.01 EUR |
IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
106+ | 1.53 EUR |
122+ | 1.28 EUR |
123+ | 1.23 EUR |
166+ | 0.87 EUR |
IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
122+ | 1.33 EUR |
123+ | 1.27 EUR |
166+ | 0.91 EUR |
IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 12775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
114+ | 1.42 EUR |
135+ | 1.16 EUR |
200+ | 1.05 EUR |
1000+ | 0.78 EUR |
1600+ | 0.70 EUR |
3200+ | 0.63 EUR |
6400+ | 0.57 EUR |
IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 84800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 0.97 EUR |
IRF530A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRF530A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - IRF530A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF530N |
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 0.96 EUR |
IRF530N |
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.24 EUR |
IRF530N-ML |
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.08 EUR |
IRF530NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
69+ | 1.04 EUR |
104+ | 0.69 EUR |
196+ | 0.37 EUR |
207+ | 0.35 EUR |
IRF530NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
69+ | 1.04 EUR |
104+ | 0.69 EUR |
196+ | 0.37 EUR |
207+ | 0.35 EUR |
IRF530NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
auf Bestellung 1906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 2.11 EUR |
50+ | 1.07 EUR |
100+ | 0.98 EUR |
500+ | 0.77 EUR |
1000+ | 0.70 EUR |
IRF530NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
153+ | 1.06 EUR |
213+ | 0.73 EUR |
233+ | 0.64 EUR |
500+ | 0.53 EUR |
1000+ | 0.43 EUR |
4000+ | 0.37 EUR |
10000+ | 0.35 EUR |
IRF530NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF530NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 70037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
155+ | 1.04 EUR |
179+ | 0.87 EUR |
500+ | 0.66 EUR |
1000+ | 0.50 EUR |
4000+ | 0.43 EUR |
10000+ | 0.41 EUR |
IRF530NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF530NPBF |
![]() |
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=100V; Id=17A; Pdmax=70W; Rds=90mOhm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=100V; Id=17A; Pdmax=70W; Rds=90mOhm
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.55 EUR |
10+ | 2.26 EUR |
100+ | 2.05 EUR |
IRF530NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
278+ | 0.58 EUR |
IRF530NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 70037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
84+ | 1.93 EUR |
155+ | 1.01 EUR |
179+ | 0.84 EUR |
500+ | 0.63 EUR |
1000+ | 0.48 EUR |
4000+ | 0.41 EUR |
10000+ | 0.39 EUR |
IRF530NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF530NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
72+ | 2.25 EUR |
153+ | 1.02 EUR |
172+ | 0.87 EUR |
500+ | 0.66 EUR |
1000+ | 0.58 EUR |
IRF530NS |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.68 EUR |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
49+ | 1.49 EUR |
63+ | 1.14 EUR |
124+ | 0.58 EUR |
131+ | 0.55 EUR |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 634 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
49+ | 1.49 EUR |
63+ | 1.14 EUR |
124+ | 0.58 EUR |
131+ | 0.55 EUR |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
auf Bestellung 2016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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8+ | 2.24 EUR |
11+ | 1.74 EUR |
100+ | 1.27 EUR |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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800+ | 0.89 EUR |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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156+ | 1.04 EUR |
157+ | 1.00 EUR |
178+ | 0.84 EUR |
250+ | 0.80 EUR |
500+ | 0.57 EUR |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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246+ | 0.66 EUR |
272+ | 0.57 EUR |
282+ | 0.53 EUR |
500+ | 0.49 EUR |
1000+ | 0.45 EUR |
3200+ | 0.40 EUR |
6400+ | 0.37 EUR |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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99+ | 1.64 EUR |
103+ | 1.51 EUR |
250+ | 1.40 EUR |
500+ | 1.29 EUR |
1000+ | 1.20 EUR |
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