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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRF5305PBF IRF5305PBF
Produktcode: 40618
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IR irf5305pbf-datasheet.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 31
Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: THT
auf Bestellung 457 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.47 EUR
10+0.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305SPBF IRF5305SPBF
Produktcode: 37024
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IR irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: SMD
auf Bestellung 169 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305SPBF IRF5305SPBF
Produktcode: 185643
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JSMICRO irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
/: SMD
auf Bestellung 11 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF IRF530NPBF
Produktcode: 50641
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IR irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: THT
auf Bestellung 470 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.48 EUR
10+0.44 EUR
100+0.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NS IRF530NS
Produktcode: 117672
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Infineon-IRF530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: SMD
auf Bestellung 28 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530S IRF530S
Produktcode: 53545
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Vishay sihf530s.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 100
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
JHGF: SMD
auf Bestellung 4 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530 IRF530 Siliconix info-tirf530pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305 IRF5305 International Rectifier info-tirf5305.pdf P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305 IRF5305 UMW info-tirf5305.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305 IRF5305 UMW info-tirf5305.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5305.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 1402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+1.7 EUR
70+1.02 EUR
81+0.88 EUR
93+0.77 EUR
104+0.69 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.57 EUR
1250+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies Infineon_IRF5305_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
auf Bestellung 12170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+2.22 EUR
100+1.5 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.09 EUR
2000+1.02 EUR
5000+0.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+1.72 EUR
100+1.62 EUR
250+1.52 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.87 EUR
2000+0.83 EUR
5000+0.79 EUR
10000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.87 EUR
2000+0.84 EUR
5000+0.82 EUR
10000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1 EUR
149+0.96 EUR
161+0.85 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON INFN-S-A0012826566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 6034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 33076 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.44 EUR
104+1.38 EUR
122+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.72 EUR
2000+0.68 EUR
5000+0.65 EUR
10000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
222+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.37 EUR
109+1.34 EUR
126+1.14 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
436+1.27 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 436 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRL Infineon 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRL Infineon 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5305spbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.57 EUR
34+2.14 EUR
39+1.87 EUR
56+1.29 EUR
100+1.1 EUR
250+0.96 EUR
500+0.89 EUR
800+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
auf Bestellung 3277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.31 EUR
10+2.76 EUR
100+1.9 EUR
500+1.54 EUR
800+1.44 EUR
2400+1.39 EUR
4800+1.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 11800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF International Rectifier irf5305spbf.pdf description P-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD) Транзистори
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+3.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 69600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 11800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 69600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRRPBF IRF5305STRRPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH 60mOhm HEXFET -31A ID
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.82 EUR
10+2.43 EUR
100+1.64 EUR
500+1.32 EUR
800+1.18 EUR
2400+1.11 EUR
4800+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530A IRF530A ON Semiconductor irf530a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530N IRF530N JSMicro Semiconductor TIRF530n_JSM_JSMICRO_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530N IRF530N International Rectifier TIRF530n_0531.pdf N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530N IRF530N Infineon TIRF530n_0531.pdf N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf530n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+0.97 EUR
90+0.8 EUR
99+0.73 EUR
110+0.65 EUR
129+0.55 EUR
250+0.47 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF530N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
auf Bestellung 9443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.06 EUR
10+1.88 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.84 EUR
2000+0.76 EUR
5000+0.67 EUR
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IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON INFN-S-A0012827046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
auf Bestellung 4994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 31624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.98 EUR
210+0.68 EUR
227+0.61 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.4 EUR
5000+0.38 EUR
10000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
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IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.79 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 62027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
302+0.49 EUR
330+0.43 EUR
338+0.41 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.32 EUR
5000+0.31 EUR
10000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 302 Stücke
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IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 31612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+0.71 EUR
227+0.64 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.45 EUR
5000+0.44 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
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IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 62027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
390+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 390 Stücke
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IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
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IRF530NS IRF530NS JSMSEMI TIRF530_ns_JSM_JSMICRO_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF530NS IRF530NS International Rectifier info-tirf530%20ns.pdf N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf530nspbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.35 EUR
50+1.46 EUR
70+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF530NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
auf Bestellung 11040 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.73 EUR
10+2.39 EUR
100+1.64 EUR
500+1.39 EUR
800+1.23 EUR
2400+1.16 EUR
4800+1.1 EUR
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IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 28800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+2.81 EUR
76+1.88 EUR
78+1.78 EUR
107+1.24 EUR
250+1.18 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4047 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+2.91 EUR
74+1.99 EUR
104+1.38 EUR
500+1.01 EUR
800+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 28800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
auf Bestellung 2871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF
Produktcode: 40618
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irf5305pbf-datasheet.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 31
Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: THT
auf Bestellung 457 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
1+0.47 EUR
10+0.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305SPBF
Produktcode: 37024
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irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995
IRF5305SPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: SMD
auf Bestellung 169 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305SPBF
Produktcode: 185643
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IRF5305SPBF
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
/: SMD
auf Bestellung 11 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF
Produktcode: 50641
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IRF530NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: THT
auf Bestellung 470 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
1+0.48 EUR
10+0.44 EUR
100+0.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NS
Produktcode: 117672
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Infineon-IRF530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF530NS
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: SMD
auf Bestellung 28 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530S
Produktcode: 53545
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sihf530s.pdf
IRF530S
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 100
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
JHGF: SMD
auf Bestellung 4 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
1+0.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530 info-tirf530pbf.pdf
IRF530
Hersteller: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
50+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305 info-tirf5305.pdf
IRF5305
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
20+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305 info-tirf5305.pdf
IRF5305
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
50+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305 info-tirf5305.pdf
IRF5305
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
25+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF irf5305.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 1402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
43+1.7 EUR
70+1.02 EUR
81+0.88 EUR
93+0.77 EUR
104+0.69 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.57 EUR
1250+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF Infineon_IRF5305_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
auf Bestellung 12170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+3.5 EUR
10+2.22 EUR
100+1.5 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.09 EUR
2000+1.02 EUR
5000+0.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
87+1.72 EUR
100+1.62 EUR
250+1.52 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
1000+0.87 EUR
2000+0.83 EUR
5000+0.79 EUR
10000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
1000+0.87 EUR
2000+0.84 EUR
5000+0.82 EUR
10000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
148+1 EUR
149+0.96 EUR
161+0.85 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF INFN-S-A0012826566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5305PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 6034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 33076 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
103+1.44 EUR
104+1.38 EUR
122+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.72 EUR
2000+0.68 EUR
5000+0.65 EUR
10000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1339 Stücke:
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222+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3422 Stücke:
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AnzahlPreis
108+1.37 EUR
109+1.34 EUR
126+1.14 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
436+1.27 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 436 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRL 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf
Hersteller: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
50+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRL 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf
Hersteller: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
50+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
28+2.57 EUR
34+2.14 EUR
39+1.87 EUR
56+1.29 EUR
100+1.1 EUR
250+0.96 EUR
500+0.89 EUR
800+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
auf Bestellung 3277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+4.31 EUR
10+2.76 EUR
100+1.9 EUR
500+1.54 EUR
800+1.44 EUR
2400+1.39 EUR
4800+1.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF description IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5305STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 11800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Hersteller: International Rectifier
P-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD) Транзистори
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2+3.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 69600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
800+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
800+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
800+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
82+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF description IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5305STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 11800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 69600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
800+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRRPBF irf5305spbf.pdf
IRF5305STRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH 60mOhm HEXFET -31A ID
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+3.82 EUR
10+2.43 EUR
100+1.64 EUR
500+1.32 EUR
800+1.18 EUR
2400+1.11 EUR
4800+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530A irf530a-d.pdf
IRF530A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530N TIRF530n_JSM_JSMICRO_0001.pdf
IRF530N
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
50+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530N TIRF530n_0531.pdf
IRF530N
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
50+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530N TIRF530n_0531.pdf
IRF530N
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
50+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530N-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
50+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF irf530n.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
74+0.97 EUR
90+0.8 EUR
99+0.73 EUR
110+0.65 EUR
129+0.55 EUR
250+0.47 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF Infineon_IRF530N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
auf Bestellung 9443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+3.06 EUR
10+1.88 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.84 EUR
2000+0.76 EUR
5000+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF INFN-S-A0012827046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF530NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
auf Bestellung 4994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 31624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
152+0.98 EUR
210+0.68 EUR
227+0.61 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.4 EUR
5000+0.38 EUR
10000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
1000+0.79 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 62027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
302+0.49 EUR
330+0.43 EUR
338+0.41 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.32 EUR
5000+0.31 EUR
10000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 302 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 31612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
209+0.71 EUR
227+0.64 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.45 EUR
5000+0.44 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 62027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
390+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 390 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
129+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NS TIRF530_ns_JSM_JSMICRO_0001.pdf
IRF530NS
Hersteller: JSMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
50+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NS info-tirf530%20ns.pdf
IRF530NS
Hersteller: International Rectifier
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
20+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
31+2.35 EUR
50+1.46 EUR
70+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF description Infineon_IRF530NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
auf Bestellung 11040 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+3.73 EUR
10+2.39 EUR
100+1.64 EUR
500+1.39 EUR
800+1.23 EUR
2400+1.16 EUR
4800+1.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 28800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
800+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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53+2.81 EUR
76+1.88 EUR
78+1.78 EUR
107+1.24 EUR
250+1.18 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRF530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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90+1.77 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4047 Stücke:
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51+2.91 EUR
74+1.99 EUR
104+1.38 EUR
500+1.01 EUR
800+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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800+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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800+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
auf Bestellung 2871 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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