Suchergebnisse für "irf64" : > 180

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4  [ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ohne MwSt
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay Semiconductors sihf644s.pdf MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
auf Bestellung 2786 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.03 EUR
10+ 4.29 EUR
25+ 3.7 EUR
100+ 3.29 EUR
250+ 3.2 EUR
500+ 2.96 EUR
1000+ 2.75 EUR
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay Siliconix sihf644s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.68 EUR
50+ 4.51 EUR
100+ 3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.11 EUR
54+ 2.81 EUR
57+ 2.52 EUR
100+ 2.28 EUR
250+ 2.18 EUR
500+ 2 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.73 EUR
94+ 1.6 EUR
98+ 1.47 EUR
102+ 1.36 EUR
250+ 1.3 EUR
500+ 1.21 EUR
1000+ 1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 90
IRF644SPBF IRF644SPBF VISHAY VISH-S-A0011126101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF644SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 2344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.11 EUR
54+ 2.81 EUR
57+ 2.52 EUR
100+ 2.28 EUR
250+ 2.18 EUR
500+ 2 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.66 EUR
98+ 1.52 EUR
102+ 1.41 EUR
250+ 1.35 EUR
500+ 1.26 EUR
1000+ 1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 94
IRF644STRLPBF IRF644STRLPBF Vishay Semiconductors sihf644s.pdf MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
auf Bestellung 2404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.1 EUR
10+ 4.29 EUR
25+ 4.05 EUR
100+ 3.47 EUR
250+ 3.27 EUR
500+ 2.9 EUR
800+ 2.64 EUR
IRF644STRRPBF IRF644STRRPBF Vishay Semiconductors sihf644s.pdf MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.1 EUR
10+ 4.29 EUR
25+ 4.05 EUR
100+ 3.47 EUR
250+ 3.27 EUR
500+ 3.13 EUR
800+ 2.75 EUR
IRF644STRRPBF IRF644STRRPBF Vishay Siliconix sihf644s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.95 EUR
10+ 5 EUR
100+ 4.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRF647 IRF647 Harris Corporation HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 275 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
290+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 290
IRF640 en.CD00000702.pdf description транзистор 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs TO-220
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
IRF640; 18A; 200V; 0,18R; 125W; N-канальный; корпус: ТО220; STM
auf Bestellung 983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF640A FAIRCHILD
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640A FAI
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640B FSC 07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640B Fairchild
auf Bestellung 10005 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640B FSC 04+ BGA
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640FPorSTF40NF20 ST
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640L sihf640s.pdf
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640N description IRF640N Транзисторы
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
IRF640N Infineon description N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
IRF640N-005(94-2065)
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF640NPBF/IR IR 08+;
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640NS IR description 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640NS IR description 0739
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640NS IR description TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640NSTRL IR 01+
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640NSTRLPBF/IR IR 08+;
auf Bestellung 18550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640NSTRR
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640NSTRRPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640STR
auf Bestellung 1084 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640STRR IR sihf640s.pdf TO-263
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF644B
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF644NS IR IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF646H
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Транзистор IRF644
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Транзистор польовий IRF640NPBF 18A 200V N-ch TO-220
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64-9142PBF International Rectifier Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 704077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
547+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 547
DH640 WXDH Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; DH640 DONGHAI TIRF640 DH
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 25
IRF640NL
Produktcode: 143762 		IRF640.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IRF640PBF IRF640PBF
Produktcode: 22635 		IR sihf640.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.18
JHGF: THT
ZCODE: 8541290090
Produkt ist nicht verfügbar
IRF640S IRF640S
Produktcode: 49257 		sihf640s.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IRF640SPBF
Produktcode: 175573 		sihf640s.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IRF644 IRF644
Produktcode: 22636 		IR IRF644.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 250
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 0.24
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
IRF644B
Produktcode: 192729 		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IRF644PBF IRF644PBF
Produktcode: 123223 		SILI sihf644-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 250 V
Idd,A: 8,5 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/68
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
IRF640 IRF640 STMicroelectronics en.CD00000702.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
IRF640 IRF640 STMicroelectronics 3007.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRF640 IRF640 Vishay sihf640.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
IRF640,127 IRF640,127 NXP USA Inc. IRF640,S.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
IRF640FP IRF640FP STMicroelectronics en.CD00000702.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
IRF640FP IRF640FP STMicroelectronics 3007.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRF640L IRF640L Vishay Siliconix sihf640s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
IRF640LPBF IRF640LPBF Vishay Siliconix sihf640s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
IRF640LPBF IRF640LPBF Vishay 8855794227845844sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
IRF640N IRF640N Infineon Technologies irf640n.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRF640NHR IR - ASA only Supplier irf640n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab)
Produkt ist nicht verfügbar
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
auf Bestellung 2786 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+5.03 EUR
10+ 4.29 EUR
25+ 3.7 EUR
100+ 3.29 EUR
250+ 3.2 EUR
500+ 2.96 EUR
1000+ 2.75 EUR
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+5.68 EUR
50+ 4.51 EUR
100+ 3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+3.11 EUR
54+ 2.81 EUR
57+ 2.52 EUR
100+ 2.28 EUR
250+ 2.18 EUR
500+ 2 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
90+1.73 EUR
94+ 1.6 EUR
98+ 1.47 EUR
102+ 1.36 EUR
250+ 1.3 EUR
500+ 1.21 EUR
1000+ 1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 90
IRF644SPBF VISH-S-A0011126101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF644SPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF644SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 2344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+3.11 EUR
54+ 2.81 EUR
57+ 2.52 EUR
100+ 2.28 EUR
250+ 2.18 EUR
500+ 2 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
94+1.66 EUR
98+ 1.52 EUR
102+ 1.41 EUR
250+ 1.35 EUR
500+ 1.26 EUR
1000+ 1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 94
IRF644STRLPBF sihf644s.pdf
IRF644STRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
auf Bestellung 2404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+5.1 EUR
10+ 4.29 EUR
25+ 4.05 EUR
100+ 3.47 EUR
250+ 3.27 EUR
500+ 2.9 EUR
800+ 2.64 EUR
IRF644STRRPBF sihf644s.pdf
IRF644STRRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+5.1 EUR
10+ 4.29 EUR
25+ 4.05 EUR
100+ 3.47 EUR
250+ 3.27 EUR
500+ 3.13 EUR
800+ 2.75 EUR
IRF644STRRPBF sihf644s.pdf
IRF644STRRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+5.95 EUR
10+ 5 EUR
100+ 4.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRF647 HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF647
Hersteller: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 275 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
290+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 290
IRF640 description en.CD00000702.pdf
транзистор 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs TO-220
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
IRF640; 18A; 200V; 0,18R; 125W; N-канальный; корпус: ТО220; STM
auf Bestellung 983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF640A
Hersteller: FAIRCHILD
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640A
Hersteller: FAI
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640B
Hersteller: FSC
07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640B
Hersteller: Fairchild
auf Bestellung 10005 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640B
Hersteller: FSC
04+ BGA
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640FPorSTF40NF20
Hersteller: ST
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640L sihf640s.pdf
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640N description
IRF640N Транзисторы
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
IRF640N description
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
IRF640N-005(94-2065)
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640NPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF640NPBF/IR
Hersteller: IR
08+;
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640NS description
Hersteller: IR
08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640NS description
Hersteller: IR
0739
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640NS description
Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640NSTRL
Hersteller: IR
01+
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640NSTRLPBF/IR
Hersteller: IR
08+;
auf Bestellung 18550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640NSTRR
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640NSTRRPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640STR
auf Bestellung 1084 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF640STRR sihf640s.pdf
Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF644B
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF644NS IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf
Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF646H
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Транзистор IRF644
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Транзистор польовий IRF640NPBF 18A 200V N-ch TO-220
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64-9142PBF
Hersteller: International Rectifier
Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 704077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
547+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 547
DH640
Hersteller: WXDH
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; DH640 DONGHAI TIRF640 DH
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 25
IRF640NL
Produktcode: 143762		 IRF640.pdf
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IRF640PBF
Produktcode: 22635		 sihf640.pdf
IRF640PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.18
JHGF: THT
ZCODE: 8541290090
Produkt ist nicht verfügbar
IRF640S
Produktcode: 49257		 description sihf640s.pdf
IRF640S
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IRF640SPBF
Produktcode: 175573		 sihf640s.pdf
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IRF644
Produktcode: 22636		 description IRF644.pdf
IRF644
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 250
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 0.24
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
IRF644B
Produktcode: 192729
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IRF644PBF
Produktcode: 123223		 sihf644-datasheet.pdf
IRF644PBF
Hersteller: SILI
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 250 V
Idd,A: 8,5 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/68
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
IRF640 description en.CD00000702.pdf
IRF640
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
IRF640 description 3007.pdf
IRF640
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRF640 description sihf640.pdf
IRF640
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
IRF640,127 IRF640,S.pdf
IRF640,127
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
IRF640FP description en.CD00000702.pdf
IRF640FP
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
IRF640FP description 3007.pdf
IRF640FP
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRF640L sihf640s.pdf
IRF640L
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
IRF640LPBF sihf640s.pdf
IRF640LPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
IRF640LPBF 8855794227845844sihf640s.pdf
IRF640LPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
IRF640N description irf640n.pdf
IRF640N
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRF640NHR irf640n.pdf
Hersteller: IR - ASA only Supplier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab)
Produkt ist nicht verfügbar
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4  [ Nächste Seite >> ]